一种芯片测试方法、测试系统、处理器和内存介质与流程

本发明涉及芯片测试，尤其涉及一种芯片测试方法、测试系统、处理器和内存介质。

背景技术：

1、芯片，又称微电路(microcircuit)、微芯片(microchip)、集成电路(integratedcircuit)，是指内含集成电路的硅片，体积很小，芯片是计算机硬件中不可或缺的组成部分，对设备的整体性能和功能起着重要作用。为了确保芯片质量，通常会对芯片进行性能测试。

2、现有技术中的芯片的测试方法是需要对每个内存单元进行逐个测试，包括写入时间、读取时间、通信时间和编程时间，遍历每个内存单元并且满足各种不同操作的时间需求，尤其在量产测试的情况下，这会导致大量的时间耗费，难以满足快速生产的需求；一种方法是采用并行测试，同时对多个内存单元进行操作，这对计算机的运算和处理能力要求较高；这两种方式的缺点都在于无法准确定位到每个单元的测试信息，影响测试精度，准确度较低，不便于定点维护的问题。

3、鉴于此，需要对现有技术中的芯片测试方法加以改进，以解决测试准确度较低的技术问题。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种芯片测试方法、测试系统、处理器和内存介质，解决以上的技术问题。

2、为达此目的，本发明采用以下技术方案：

3、一种芯片测试方法，包括：

4、向芯片的内存单元中写入第一测试数据，在测试过程中以第一规则调整写入和读取的寄存器指数；所述第一规则为从最小逐步增大延迟指标，直到所述寄存器指数达到标准寄存器指数；

5、将所述芯片分成多个单元区域，分别进行测试，生成第一测试结果；其中，每个区域分别采用不同的二进制序列进行测试；

6、在测试过程中，实时监测芯片的温度，生成第一监测结果；若任一单元区域的温度升高至第一阈值时，标记对应的单元区域为目标区域；

7、对所述目标区域输入第二测试数据，生成第二监测结果；若所述目标区域的温度升高至第二阈值时，确定对应的单位区域为问题区域；若所述目标区域的温度处于第一阈值至第二阈值之间时，则进行下一单元区域的测试；

8、根据所述第一测试结果和所述第一监测结果、第二监测结果，进行综合分析，以确定芯片的最终分析结果。

9、可选的，向芯片的内存单元中写入第一测试数据，在测试过程中以第一规则调整写入和读取的寄存器指数；具体包括：

10、对芯片的每一个内存单元写入预设的第一测试数据；

11、测试过程中，按照定义的第一规则来调整写入和读取的寄存器指数；

12、调整寄存器指数后，从内存单元读取测试数据，并且将读取的第一测试数据进行验证；

13、继续进行下一轮的记录和测试，逐步调整寄存器指数，进行新一轮的写入和读取测试，直到寄存器指数达到预设的标准寄存器指数。

14、可选的，所述将所述芯片分成多个单元区域，分别进行测试，生成第一测试结果；具体包括：

15、将芯片划分为多个单元区域；

16、对每一个标识的单元区域写入特定第一测试数据，然后再读取和验证第一测试数据；

17、执行每个单元区域测试后，生成对应的一组关联测试结果；

18、设定第二规则来对每组关联测试结果进行记录并分类整理，形成第一测试结果。

19、可选的，在测试过程中，实时监测芯片的温度，生成第一监测结果；具体包括：

20、在测试过程中，使用温度感应器对所述芯片进行实时的温度监测；其中，所述温度感应器覆盖于所述芯片的整个表面；

21、将实时监测到的每个内存单元区域的温度信息记录成第一监测结果；

22、当任何单元区域的温度上升到预设的第一阈值时，将这个区域标记为目标区域。

23、可选的，对所述目标区域输入第二测试数据，生成第二监测结果；具体包括：

24、对目标区域输入特定的第二测试数据，其中，所述第二测试数据包括故障和异常测试数据；

25、当第二测试数据被输入后，持续实时监测目标区域的温度变化；

26、记录目标区域在输入第二测试数据后的实时温度信息，形成第二监测结果；

27、若目标区域的温度介于第一阈值与第二阈值之间，进行下一单元区域的测试；若监测到目标区域的温度上升至第二阈值时，将其确定为问题区域；

28、对问题区域进一步的分析、测试或修复；并继续对下一单元区域进行测试。

29、可选的，所述根据所述第一测试结果和所述第一监测结果、第二监测结果，进行综合分析，以确定芯片的最终分析结果，具体包括：

30、将第一测试数据、第一监测结果和第二监测结果集合为一数据集；

31、分析第一测试数据，得出芯片在初始测试阶段的基本性能和工作状况；

32、结合第一监测结果和第二监测结果，对比目标区域在进行第一次测试和第二次测试时的温度变化。

33、可选的，所述结合第一监测结果和第二监测结果，对比目标区域在进行第一次测试和第二次测试时的温度变化；之后还包括：

34、根据所述数据，找出芯片的单元区域的变化趋势；

35、结合第一测试数据、所述第一监测结果、所述第二监测结果和所述变化趋势进行综合分析，找出芯片的总体性能表现，预测存在的问题；

36、基于所述综合分析，得出芯片的最终测试结果；

37、将所述最终分析结果整理成预定的数据图标。

38、本发明还提供了一种测试系统，应用于如上所述的芯片测试方法，所述测试系统包括：

39、温度传感器，用于检测芯片每个单元区域的温度；

40、数据处理模块，用于对第一测试结果和所述第一监测结果、第二监测结果进行分析；

41、内存模块，用于内存所述第一测试数据和第二测试数据；

42、控制模块，用于控制所述测试系统运行。

43、本发明还提供了一种处理器，包括内存器和至少一个处理器，所述内存器中内存有指令；

44、所述处理器调用所述内存器中的所述指令，以使得所述处理器执行如上所述的芯片测试方法。

45、本发明还提供了一种内存介质，所述内存介质上内存有指令，所述指令用于实现如上所述的芯片测试方法。

46、与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：将第一测试数据写入芯片的内存单元中，并按照第一规则进行延迟指标从最小值逐步增大，直到寄存器指数达到标准寄存器指数；将芯片分成多个单元区域，并且每一个单元区域使用不同的二进制序列进行独立测试，生成第一测试结果；将芯片分成多个单元区域，并且每一个区域使用不同的二进制序列进行独立测试，生成第一测试结果，之后通过对于单元区域的温度检测和第一测试数据的调整，获得第一监测结果、第二监测结果，进行综合分析以确定最终的芯片测试结果；本测试方法通过实时监测每个分区的温度，并采用二次测试对目标区域能进行重新确认，不仅可以更精确地定位和识别问题区域能，而且也使得具有问题的单元区域便于定点维护，其通过设置两个阈值，使得问题定位更具有灵敏性和准确性，大大增强了测试的可靠性，同时通过动态调整寄存器指数和分区测试，可以更全面和准确地测试芯片性能，提高检测结果的准确性。