用于高速感测放大器的动态交叉耦合再生的制作方法

本公开的方面总体上涉及放大器，并且更具体地涉及感测放大器。

背景技术：

1、感测放大器被用在广泛的应用中，应用包括高速串行器/解串器(serdes)中的存储器、模数转换器和数据采样器。在数据采样器的情况下，感测放大器可以包括再生电路，再生电路向感测放大器提供再生反馈以快速解析数据采样器中的传入数据位。期望增加再生电路的再生增益以增加感测放大器的速度和灵敏度。

技术实现思路

1、以下呈现一个或多个实施方式的简化总结，以便提供对这些实施方式的基本理解。该技术实现要素：不是对所有预期实施方式的广泛概述，并且既不旨在标识所有实施方式的关键或重要元素，也不旨在描绘任何或所有实施方式的范围。其唯一目的是以简化形式呈现一个或多个实施方式的一些概念，作为稍后呈现的更详细描述的前奏。

2、第一方面涉及一种再生电路。再生电路包括具有输入和输出的第一反相电路，并且包括具有输入和输出的第二反相电路。再生电路还包括耦合到第二反相电路的输入的第一晶体管，其中第一晶体管的栅极被配置为接收第一输入信号，并且再生电路还包括耦合到第一反相电路的输入的第二晶体管，其中第二晶体管的栅极被配置为接收第二输入信号。再生电路还包括耦合在第一晶体管与第一反相电路的输出之间的第一开关，其中第一开关的控制输入被配置为接收定时信号，并且再生电路还包括耦合在第二晶体管与第二反相电路的输出之间的第二开关，其中第二开关的控制输入被配置为接收该定时信号。

3、第二方面涉及一种感测放大器。感测放大器包括输入电路和再生电路。输入电路包括第一晶体管，其中第一晶体管的栅极被配置为接收第一输入信号，并且第一晶体管的漏极耦合到输入电路的第一输出，并且输入电路包括第二晶体管，其中第二晶体管的栅极被配置为接收第二输入信号，并且第二晶体管的漏极耦合到输入电路的第二输出。再生电路包括具有输入和输出的第一反相电路，并且包括具有输入和输出的第二反相电路。再生电路还包括耦合到第二反相电路的输入的第三晶体管，其中第三晶体管的栅极耦合到输入电路的第二输出，并且再生电路还包括耦合到第一反相电路的输入的第四晶体管，其中第四晶体管的栅极耦合到输入电路的第一输出。再生电路还包括耦合在第三晶体管与第一反相电路的输出之间的第一开关，其中第一开关的控制输入被配置为接收定时信号，并且再生电路还包括耦合在第四晶体管与第二反相电路的输出之间的第二开关，其中第二开关的控制输入被配置为接收该定时信号。

4、第三方面涉及一种操作感测放大器的再生电路的方法。再生电路包括具有输入和输出的第一反相电路、具有输入和输出的第二反相电路、耦合到第二反相电路的输入的第一晶体管、以及耦合到第一反相电路的输入的第二晶体管。该方法包括：在复位阶段，将第一反相电路的输出与第一晶体管去耦合，以及将第二反相电路的输出与第二晶体管去耦合。方法还包括：在感测阶段，将第一反相电路的输出耦合到第一晶体管，以及将第二反相电路的输出耦合到第二晶体管。

技术特征：

1.一种再生电路，包括：

2.根据权利要求1所述的再生回路，其中：

3.根据权利要求2所述的再生回路，其中：

4.根据权利要求2所述的再生电路，其中所述第一晶体管包括第一n型场效应晶体管(nfet)，并且所述第二晶体管包括第二nfet。

5.根据权利要求2所述的再生回路，其中：

6.根据权利要求1所述的再生回路，其中：

7.根据权利要求6所述的再生回路，其中：

8.根据权利要求6所述的再生回路，其中：

9.根据权利要求1所述的再生回路，还包括：

10.根据权利要求9所述的再生回路，其中：

11.根据权利要求9所述的再生回路，其中：

12.根据权利要求9所述的再生回路，其中：

13.根据权利要求1所述的再生电路，其中所述定时信号包括时钟信号。

14.根据权利要求1所述的再生电路，其中所述第一开关的控制输入和所述第二开关的控制输入耦合到定时信号电路，所述定时信号电路被配置为生成所述定时信号。

15.一种感测放大器，包括：

16.根据权利要求15所述的感测放大器，其中所述输入电路还包括：

17.根据权利要求16所述的感测放大器，其中：

18.根据权利要求16所述的感测放大器，其中所述输入电路还包括第五开关，所述第五开关耦合在所述第一晶体管的源极与地之间，并且耦合在所述第二晶体管的源极与所述地之间。

19.根据权利要求18所述的感测放大器，其中：

20.根据权利要求15所述的感测放大器，其中：

21.根据权利要求20所述的感测放大器，其中：

22.根据权利要求20所述的感测放大器，其中：

23.根据权利要求15所述的感测放大器，其中：

24.根据权利要求23所述的再生回路，其中：

25.一种操作感测放大器的再生电路的方法，其中所述再生电路包括具有输入和输出的第一反相电路、具有输入和输出的第二反相电路、耦合到所述第二反相电路的输入的第一晶体管、以及耦合到所述第一反相电路的输入的第二晶体管，所述方法包括：

26.根据权利要求25所述的方法，还包括：

27.根据权利要求26所述的方法，其中：

28.根据权利要求27所述的方法，其中：

29.根据权利要求28所述的方法，其中：

30.根据权利要求29所述的方法，还包括：

31.根据权利要求30所述的方法，还包括：

32.根据权利要求25所述的方法，其中所述再生电路包括第一开关和第二开关，所述第一开关耦合在所述第一反相电路的输出与所述第一晶体管之间，并且所述第二开关耦合在所述第二反相电路的输出与所述第二晶体管之间，并且其中：

33.根据权利要求25所述的方法，其中所述第一晶体管的漏极直接耦合到所述第二反相电路的输入，并且所述第二晶体管的漏极直接耦合到所述第一反相电路的输入。

34.根据权利要求33所述的方法，其中：

35.根据权利要求34所述的方法，其中所述再生电路包括第一开关和第二开关，所述第一开关耦合在所述第一反相电路的输出与所述第一晶体管的漏极之间，并且所述第二开关耦合在所述第二反相电路的输出与所述第二晶体管的漏极之间，并且其中：

技术总结再生电路包括：具有输入和输出的第一反相电路；具有输入和输出的第二反相电路；耦合到第二反相电路的输入的第一晶体管，其中第一晶体管的栅极被配置为接收第一输入信号；以及耦合到第一反相电路的输入的第二晶体管，其中第二晶体管的栅极被配置为接收第二输入信号。再生电路还包括：耦合在第一晶体管与第一反相电路的输出之间的第一开关，其中第一开关的控制输入被配置为接收定时信号；以及耦合在第二晶体管与第二反相电路的输出之间的第二开关，其中第二开关的控制输入被配置为接收该定时信号。技术研发人员：T·M·拉斯姆斯受保护的技术使用者：高通股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15