存储阵列失效检测方法、装置、计算机设备、存储介质与流程

本申请涉及存储器，特别是涉及一种存储阵列失效检测方法、装置、计算机设备、存储介质。

背景技术：

1、存储器件制造工艺精巧复杂，尤其在电容的极板制程过程容易出现缺陷，引起上下极板漏电的现象，从而影响电容器件的性能。

2、目前，在对存储器件进行检测时，难以将电容极板漏电的问题进行良好检测。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种存储阵列失效检测方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品，能够对电容极板漏电的问题进行良好检测。

2、一种存储阵列失效检测方法，包括：

3、对所述存储阵列中的目标存储单元的第一电容极板施加第一电压，且对其第二电容极板施加第二电压，所述第二电压大于第一电压；

4、对所述目标存储单元写入高电平的第一数据；

5、对所述目标存储单元进行读取，获取第二数据；

6、当所述第二数据不等于第一数据时，则所述目标存储单元的电容器失效。

7、在其中一个实施例中，所述方法还包括：

8、当所述第二数据等于第一数据时，则所述目标存储单元的电容未失效。

9、在其中一个实施例中，

10、所述第二电压与所述第一电压之差为第一压差，

11、对所述目标存储单元写入高电平的第一数据，使得所述第二电容极板与所述第一电容极板之间的压差为第二压差，

12、所述第一压差大于所述第二压差。

13、在其中一个实施例中，所述第一电压为0v，所述第二电压为1.1v-1.5v。

14、在其中一个实施例中，所述目标存储单元连接目标位线，

15、对所述目标存储单元写入高电平的第一数据之后，且在对目标存储单元进行读取，获取第二数据之前，还包括：

16、将所述目标位线的电位拉低至低于中间电位，且将所述目标位线的互补位线的电位拉高至高于中间电位；

17、修改所述读取所述目标存储单元时的预充电时间，修改后的所述预充电时间小于第一预设时间。

18、在其中一个实施例中，

19、通过对所述存储阵列写入所述第一数据，实现对所述目标存储单元写入第一数据。

20、在其中一个实施例中，

21、所述存储阵列包括多条字线，所述目标存储单元连接目标字线，

22、所述将所述目标位线的电位拉低，且将所述目标位线的互补位线的电位拉高，包括：

23、对在前存储单元进行读取时，在回存阶段，对所述在前存储单元进行反写，所述在前存储单元与所述目标存储单元均连接所述目标位线，且所述在前存储单元连接在前字线，所述在前字线为所述目标字线的前一条字线。

24、在其中一个实施例中，采用y-page写操作方式对所述存储阵列写入高电平的第一数据。

25、在其中一个实施例中，对所述目标存储单元写入高电平的第一数据之后，且在对所述目标存储单元进行读取，获取第二数据之前，包括：

26、关闭所述目标存储单元的字线，且维持第二预设时间。

27、一种存储阵列失效检测装置，包括：

28、电源模块，用于对所述存储阵列中的目标存储单元的第一电容极板施加第一电压，且对其第二电容极板施加第二电压，所述第二电压大于第一电压；

29、读写模块，用于对所述目标存储单元写入高电平的第一数据，且对所述目标存储单元进行读取，获取第二数据；

30、判断模块，用于当所述第二数据不等于第一数据时，则判定所述目标存储单元的电容器失效。

31、在其中一个实施例中，所述目标存储单元连接目标位线，所述读写模块还用于将所述目标位线的电位拉低，且将所述目标位线的互补位线的电位拉高，且修改所述读取所述目标存储单元时的预充电时间，修改后的所述预充电时间小于第一预设时间。

32、在其中一个实施例中，

33、所述存储阵列包括多条字线，所述目标存储单元连接目标字线，

34、所述读写模块用于通过对所述存储阵列写入所述第一数据，实现对所述目标存储单元写入第一数据，且对在前存储单元进行读取时，在回存阶段，对所述在前存储单元进行反写，

35、所述在前存储单元与所述目标存储单元均连接所述目标位线，且所述在前存储单元连接在前字线，所述在前字线为所述目标字线的前一条字线。

36、在其中一个实施例中，所述电源模块还用于关闭所述目标存储单元的字线，且维持第二预设时间。

37、一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任一项所述的方法的步骤。

38、一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一项所述的方法的步骤。

39、一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述任一项所述的方法的步骤。

40、上述存储阵列失效检测方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品，在对目标存储单元进行第一数据写入之前，对目标存储单元的第一电容极板以及第二电容极板均施加电压，而产生漏电弱势条件。因此，一些原本耐压性能接近第二压差，从而难以被检测出失效的存储单元，在耐压性能减弱之后，可以更加容易被检测出，从而提高产品可靠性。

技术特征：

1.一种存储阵列失效检测方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储阵列失效检测方法，其特征在于，所述方法还包括：

3.根据权利要求1所述的存储阵列失效检测方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的存储阵列失效检测方法，其特征在于，所述第一电压为0v，所述第二电压为1.1v-1.5v。

5.根据权利要求1所述的存储阵列失效检测方法，其特征在于，所述目标存储单元连接目标位线，

6.根据权利要求5所述的存储阵列失效检测方法，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的存储阵列失效检测方法，其特征在于，

8.根据权利要求6所述的存储阵列失效检测方法，其特征在于，采用y-page写操作方式对所述存储阵列写入高电平的第一数据。

9.根据权利要求1所述的存储阵列失效检测方法，其特征在于，对所述目标存储单元写入高电平的第一数据之后，且在对所述目标存储单元进行读取，获取第二数据之前，包括：

10.一种存储阵列失效检测装置，其特征在于，包括：

11.根据权利要求10所述存储阵列失效检测装置，其特征在于，所述目标存储单元连接目标位线，所述读写模块还用于将所述目标位线的电位拉低，且将所述目标位线的互补位线的电位拉高，且修改所述读取所述目标存储单元时的预充电时间，修改后的所述预充电时间小于第一预设时间。

12.根据权利要求11所述存储阵列失效检测装置，其特征在于，

13.根据权利要求10所述存储阵列失效检测装置，其特征在于，所述电源模块还用于关闭所述目标存储单元的字线，且维持第二预设时间。

14.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至9中任一项所述的方法的步骤。

15.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至9中任一项所述的方法的步骤。

16.一种计算机程序产品，包括计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至9中任一项所述的方法的步骤。

技术总结本申请涉及一种存储阵列失效检测方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。方法包括对存储阵列中的目标存储单元的第一电容极板施加第一电压，且对其第二电容极板施加第二电压，第二电压大于第一电压；对目标存储单元写入高电平的第一数据；对目标存储单元进行读取，获取第二数据；当第二数据不等于第一数据时，则目标存储单元的电容器失效。本申请实施例能够对电容极板漏电的问题进行良好检测。技术研发人员：楚西坤受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15