一种三维存储器架构及其刷新方法和存储器与流程

本发明属于集成电路领域，尤其涉及一种三维存储器架构及其刷新方法和存储器。

背景技术：

1、动态随机存储器（dram）是一种常见的内存技术，用于数据存储和访问。dram采用1t1c（1 transition and 1 capacitor）结构，其中每个存储单元包括一个晶体管和一个电容。电容用于存储数据，晶体管用于控制电容的访问。然而，晶体管在关断状态下也存在电荷泄漏，导致电容电压逐渐趋近位线电压，从而使原本存储的数据不再可靠。为了防止存储数据被破坏，内存系统需要定期执行刷新操作以维持数据的完整性。为了防止存储数据被破坏，需要在存储数据失效前，补充存储电容中随时间流逝因漏电流而丢失的电荷，所以dram在设计中加入了动态刷新机制。

2、随着对内存芯片存储容量的需求不断增加，传统的平面存储器架构发展越来越难以跟上需求的发展。得益于先进封装技术以及硅通孔（tsv）技术的发展，使得三维存储器架构得以实现。

3、然而，目前三维存储器的架构，仍存在芯片功耗高、刷新模式单一等问题。因此，如何进一步优化三维存储器的架构及其刷新方法，是亟待解决的问题。

技术实现思路

1、本发明是为解决上述现有技术的全部或部分问题，提供了一种三维存储器架构及其刷新方法和存储器，以改善芯片功耗高、刷新模式单一等问题。

2、本发明提供了一种三维存储器架构，包括：存储单元层，所述存储单元层包括存储阵列和控制电路，所述控制电路配置为控制存储阵列的刷新频率；逻辑控制层，多个所述存储单元层沿竖直方向堆叠在所述逻辑控制层上。

3、在一些实施例中，其中至少一个存储单元层具有不同于其他存储单元层的刷新频率。

4、在一些实施例中，所述控制电路基于配置模式信号和字线地址遍历信号控制存储阵列的刷新频率，所述配置模式信号用于调节刷新频率的有效值，所述字线地址遍历信号用于确定执行刷新操作的时机。

5、在一些实施例中，所述控制电路用于接收模式配置信号、字线地址、刷新命令和字线地址遍历信号，输出有效字线地址和有效刷新命令。

6、在一些实施例中，所述逻辑控制层包括命令接收及编译电路、内部刷新命令产生电路、字线地址生成电路和模式配置信号生成电路；所述命令接收及编译电路用于接收外部刷新命令输出预刷新命令；所述内部刷新命令产生电路用于接收预刷新命令输出刷新命令；所述字线地址生成电路用于接收所述刷新命令生成字线地址遍历信号和字线地址；所述模式配置信号生成电路用于接收所述刷新命令生成模式配置信号。

7、在一些实施例中，所述存储单元层的刷新频率与所述存储单元层的温度相对应。

8、在一些实施例中，模式信号配置的刷新频率范围为全频刷新至1/32频率刷新。

9、本申请还提供了一种应用于上述三维存储器架构的刷新方法，所述刷新方法包括：提供外部刷新命令；接收外部刷新命令输出预刷新命令；接收预刷新命令输出刷新命令；接收所述刷新命令生成字线地址遍历信号和字线地址；接收所述刷新命令生成模式配置信号；接收模式配置信号、字线地址、刷新命令和字线地址遍历信号，输出有效字线地址和有效刷新命令；基于有效字线地址和有效刷新命令，对存储单元层进行刷新。

10、在一些实施例中，所述刷新方法包括：获取每一存储单元层的温度；基于所述存储单元层的温度控制所述存储单元层的刷新频率。

11、本发明还提供了一种存储器，包括：上述任一种的三维存储器架构。

12、本发明实施例提供的三维存储器架构，每一存储单元层可以通过各层的控制电路有选择的执行刷新操作，每层可单独调整刷新频率。进而可以进一步控制存储器的功耗，避免字线地址漏刷，提高存储数据的可靠性。

技术特征：

1.一种三维存储器架构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的三维存储器架构，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的三维存储器架构，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的三维存储器架构，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的三维存储器架构，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的三维存储器架构，其特征在于，

7.一种应用于权利要求1-6任一项所述的三维存储器架构的刷新方法，其特征在于，所述刷新方法包括：

8.根据权利要求7所述的刷新方法，其特征在于，所述刷新方法包括：

9.一种存储器，其特征在于，包括：权利要求1-6任一项所述的三维存储器架构。

技术总结本申请提供了一种三维存储器架构及其刷新方法和存储器，其中，所述三维存储器架构包括：存储单元层，所述存储单元层包括存储阵列和控制电路，所述控制电路配置为控制存储阵列的刷新频率；逻辑控制层，多个所述存储单元层沿竖直方向堆叠在所述逻辑控制层上。每一存储单元层可以通过各层的控制电路有选择的执行刷新操作，每层可单独调整刷新频率。进而可以进一步控制存储器的功耗，避免字线地址漏刷，提高存储数据的可靠性。技术研发人员：汪佳峰受保护的技术使用者：浙江力积存储科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/22