一种DRAM系统、校准训练控制方法、电子组件及电子设备与流程

本公开涉及存储器，尤其涉及一种dram系统、校准训练控制方法、电子组件及电子设备。

背景技术：

1、对于采用dram(dynamic random access memory，动态随机存储器)系统作为内存的片上系统(system on chip，soc)芯片来说，稳定的dram系统能减少读写传输发生错误的概率，为soc持续提供高带宽访问。

2、为保证dram系统稳定工作，目前一般的设计方法是周期性地校准其内部的参数变量来维持dram系统的稳定性。

3、周期性地进行校准训练虽然有助于dram系统的稳定工作，但是，有时dram系统并未处在不稳定状态却还是需要进入校准训练，在校准训练期间无法访问dram系统的存储颗粒，校准训练结束后才可以访问，因此，周期性的进行校准训练不可避免的会导致dram系统访问性能下降。

技术实现思路

1、本公开的目的是提供一种dram系统、校准训练控制方法、电子组件及电子设备，旨在解决周期性的进行校准训练导致dram系统性能下降的问题。

2、根据本公开的一个方面，提供一种dram系统，包括控制器、端口物理层芯片phy以及存储颗粒；

3、所述控制器，用于每隔第一预设周期执行以下操作：

4、向phy发起温度获取请求以获取存储颗粒的当前温度值，基于获取的当前温度值，以及上一次获取的温度值，确定所述存储颗粒在上一第一预设周期内的温度变化梯度；在温度变化梯度不小于第一梯度时，向所述phy发起校准训练指令；

5、所述phy，用于响应所述校准训练指令，协同所述存储颗粒进行校准训练。

6、在一个实施例中，所述控制器，还用于在所述温度变化梯度小于第一梯度时，不向所述phy发起校准训练指令。

7、在一个实施例中，所述控制器，还用于每隔第二预设周期执行以下操作：

8、根据温度变化梯度以及当前待处理命令，确定执行校准训练的时间，其中所述第二预设周期大于所述第一预设周期。

9、在一个实施例中，所述控制器，具体用于在所述温度变化梯度不小于第二梯度、当前待处理命令中不存在高优先级命令时，向所述phy发起校准训练指令；所述第二梯度小于所述第一梯度；

10、在所述温度变化梯度不小于第二梯度、当前待处理命令中存在高优先级命令时，待全部高优先级命令执行完毕后，向所述phy发起校准训练指令。

11、在一个实施例中，所述控制器，还用于在所述温度变化梯度小于第二梯度，当前不存在待处理的命令时，向所述phy发起校准训练指令；

12、在所述温度变化梯度小于第二梯度，当前存在待处理的命令时，待全部待处理的命令执行完毕后，向所述phy发起校准训练指令。

13、根据本公开的第二个方面，提供一种校准训练控制方法，应用于dram系统，该dram系统包括控制器、端口物理层芯片phy以及存储颗粒；所述方法包括：

14、所述控制器每隔第一预设周期执行以下操作：

15、向phy发起温度获取请求以获取存储颗粒的当前温度值，基于获取的当前温度值，以及上一次获取的温度值，确定所述存储颗粒在上一第一预设周期内的温度变化梯度；在温度变化梯度不小于第一梯度时，向所述phy发起校准训练指令；

16、所述phy响应所述校准训练指令，协同所述存储颗粒进行校准训练。

17、在一个实施例中，该方法还包括：

18、所述控制器在所述温度变化梯度小于第一梯度时，不向所述phy发起校准训练指令。

19、在一个实施例中，该方法还包括：所述控制器每隔第二预设周期执行以下操作：

20、根据温度变化梯度以及当前待处理命令，确定执行校准训练的时间，其中所述第二预设周期大于所述第一预设周期。

21、在一个实施例中，所述根据温度变化梯度以及当前待处理命令，确定执行校准训练的时间，包括：

22、在所述温度变化梯度不小于第二梯度、当前待处理命令中不存在高优先级命令时，向所述phy发起校准训练指令；所述第二梯度小于所述第一梯度；

23、在所述温度变化梯度不小于第二梯度、当前待处理命令中存在高优先级命令时，待全部高优先级命令执行完毕后，向所述phy发起校准训练指令。

24、在一个实施例中，该方法还包括：所述控制器在所述温度变化梯度小于第二梯度，当前不存在待处理的命令时，向所述phy发起校准训练指令；

25、在所述温度变化梯度小于第二梯度，当前存在待处理的命令时，待全部待处理的命令执行完毕后，向所述phy发起校准训练指令。

26、根据本公开的第三个方面，提供一种图形处理系统，包括上述第一方面中任一实施例的dram系统。

27、根据本公开的第四个方面，提供一种电子组件，包括上述第三方面任一实施例所述的图形处理系统。

28、根据本公开的第五个方面，提供一种电子设备，包括上述第四方面任一实施例所述的电子组件。

技术特征：

1.一种dram系统，包括控制器、端口物理层芯片phy以及存储颗粒；

2.根据权利要求1所述的dram系统，

3.根据权利要求1所述的dram系统，

4.根据权利要求3所述的dram系统，

5.根据权利要求4所述的dram系统，

6.一种校准训练控制方法，应用于dram系统，该dram系统包括控制器、端口物理层芯片phy以及存储颗粒；所述方法包括：

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

8.根据权利要求6所述的方法，还包括：

9.根据权利要求8所述的方法，

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

11.一种图形处理系统，包括权利要求1-5任一项所述的dram系统。

12.一种电子组件，包括权利要求11所述的图形处理系统。

13.一种电子设备，包括权利要求12所述的电子组件。

技术总结本公开提供一种DRAM系统、校准训练控制方法、电子组件及电子设备。DRAM系统，包括控制器、端口物理层芯片PHY以及存储颗粒；控制器，用于每隔第一预设周期执行以下操作：向PHY发起温度获取请求以获取存储颗粒的当前温度值，基于获取的当前温度值，以及上一次获取的温度值，确定存储颗粒在上一第一预设周期内的温度变化梯度；在温度变化梯度不小于第一梯度时，向PHY发起校准训练指令；PHY，用于响应校准训练指令，协同存储颗粒进行校准训练。技术研发人员：王克行,周锋,冯辉宇受保护的技术使用者：象帝先计算技术（重庆）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/22