存储装置及其操作方法与流程

本公开关于存储装置及其操作方法。

背景技术：

1、为了缩小体积、降低重量、增加功率密度、改善可移植性等目的，三维(three-dimensional，3d)垂直存储结构被开发出来。然而，因为目标存储单元与相邻的存储单元共享电荷捕捉层，在存储装置的各种操作中发现到横向电荷迁移的发生。随着3d垂直存储结构中的层数增加，由于横向尺寸的等比例缩小，横向电荷迁移变成可靠性的一个重要问题。举例来说，横向电荷迁移引起的阈值电压变化随着写入/擦除周期的数目增加。目前已经提出通过电荷捕捉层的物理分离来提高可靠性。然而，这个解决方案在工艺上具有技术挑战。

技术实现思路

1、本公开提供存储装置及其操作方法，用于抑制横向电荷迁移，以便改善可靠性。

2、根据本公开的一种存储装置包括多个通道层、多个字线、多个存储层设置在通道层与字线之间和多个存储单元定义在通道层与字线的多个交点。该存储装置配置成用于执行一第一操作m次和一第二操作n次，m大于等于n。在第一操作中，一第一电场产生在存储层的一部分。所述多个字线配置成用于在第二操作中于存储层的该部分产生一第二电场，第二电场的电场方向不同于第一电场的电场方向。

3、根据本公开的一种存储装置的操作方法包括执行一第一操作m次和执行一第二操作n次，其中m大于等于n。存储装置包括多个通道层、多个字线、多个存储层设置在通道层与字线之间和多个存储单元定义在通道层与字线的多个交点。在第一操作中，一第一电场产生在存储层的一部分。此外，执行第二操作包括利用字线产生一第二电场在存储层的该部分，其中第二电场的电场方向不同于第一电场的电场方向。

4、为了对本公开的上述及其他方面有更佳的了解，本公开特举实施例，并配合所附附图详细说明如下。

5、附图说明

6、图1标出根据本公开的存储装置的一种示例性的实施方案；

7、图2标出根据本公开的存储装置的操作方法的流程图；

8、图3a～图3b示出根据本公开的存储装置的操作方法的一种示例性的实施方案；

9、图4a～图4c示出根据本公开的存储装置的操作方法的另一种示例性的实施方案；

10、图5a～图5c示出根据本公开的存储装置的操作方法的又一种示例性的实施方案；

11、图6标出根据本公开的存储装置的操作方法的更进一步的示例性的实施方案；

12、图7示出利用根据本公开的操作方法的一个测试结果。

技术特征：

1.一种存储装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储装置，包括：

3.根据权利要求2所述的存储装置，还包括：

4.根据权利要求2所述的存储装置，其中所述多个存储层包括：

5.根据权利要求1所述的存储装置，其中在该第二操作中，该第二电场是通过施加到所述多个字线中对应于所述多个存储层的该部分的一字线的一第一电压和施加到所述多个字线中对应于所述多个存储层的该部分的另一字线的一第二电压来产生。

6.根据权利要求5所述的存储装置，其中该第一电压是1v到3v，该第二电压是7v到10v。

7.根据权利要求1所述的存储装置，其中在该第一操作中，该第一电场是通过施加到一字线对中的一第一字线的一第一电压和施加到该字线对中的一第二字线的一第二电压来产生，且其中在该第二操作中，该第二电场是通过施加到该第一字线的该第二电压和施加到该第二字线的该第一电压来产生。

8.根据权利要求1所述的存储装置，其中在该第二操作中，该第二电场是通过施加到位在对应于所述多个存储层的该部分的一侧的所述多个字线的一个或多个第一电压和加到位在对应于所述多个存储层的该部分的另一侧的所述多个字线的一个或多个第二电压来产生。

9.根据权利要求8所述的存储装置，其中在该第二操作中，多个第二电场以依次通过包括该部分的一对应存储层的方式产生。

10.一种存储装置的操作方法，其中该存储装置包括多个通道层、多个字线、多个存储层设置在所述多个通道层与所述多个字线之间和多个存储单元定义在所述多个通道层与所述多个字线的多个交点，且其中该存储装置的操作方法包括：

11.根据权利要求10所述的存储装置的操作方法，其中该第二电场的该电场方向相反于该第一电场的该电场方向。

12.根据权利要求10所述的存储装置的操作方法，其中在该第二操作中，通过施加一第一电压到所述多个字线中对应于所述多个存储层的该部分的一字线和施加一第二电压到所述多个字线中对应于所述多个存储层的该部分的另一字线来产生该第二电场。

13.根据权利要求10所述的存储装置的操作方法，其中该第一电压是1v到3v，该第二电压是7v到10v。

14.根据权利要求10所述的存储装置的操作方法，其中在该第一操作中，该第一电场是通过施加到一字线对中的一第一字线的一第一电压和施加到该字线对中的一第二字线的一第二电压来产生，且其中在该第二操作中，通过施加该第二电压到该第一字线和施加该第一电压到该第二字线来产生该第二电场。

15.根据权利要求10所述的存储装置的操作方法，其中在该第一操作中，该第一电场是通过施加到多个字线对中的多个第一字线的多个第一电压和施加到所述多个字线对中的多个第二字线的多个第二电压来产生，且其中在该第二操作中，通过施加所述多个第二电压到所述多个第一字线和施加所述多个第一电压到所述多个第二字线来产生该第二电场。

16.根据权利要求10所述的存储装置的操作方法，其中在该第二操作中，通过施加一个或多个第一电压到位在对应于所述多个存储层的该部分的一侧的所述多个字线和施加一个或多个第二电压到位在对应于所述多个存储层的该部分的另一侧的所述多个字线来产生该第二电场。

17.根据权利要求16所述的存储装置的操作方法，其中在该第二操作中，依次通过包括该部分的一对应存储层产生多个第二电场。

18.根据权利要求16所述的存储装置的操作方法，其中所述多个第二电压是通过电压。

19.根据权利要求10所述的存储装置的操作方法，其中对应于所述多个存储层的该部分的所述多个存储单元的一串行对应至一第0字线到一第m字线，一第i字线和一第i+1字线对应于所述多个存储层的该部分，i是大于等于0且小于m的整数，且其中在该第二操作中，通过施加多个第一电压到该第i+1字线到该第m字线和施加多个第二电压到该第0字线到该第i字线来产生该第二电场。

20.根据权利要求10所述的存储装置的操作方法，其中对应于所述多个存储层的该部分的所述多个存储单元的一串行对应至一第0字线到一第m字线，一第i字线和一第i+1字线对应于所述多个存储层的该部分，i是大于等于0且小于m的整数，且其中在该第二操作中，通过施加多个第一电压到该第0字线到该第i字线和施加多个第二电压到该第i+1字线到该第m字线来产生该第二电场。

技术总结本公开提供一种存储装置。该存储装置包括多个通道层、多个字线、多个存储层设置在通道层与字线之间和多个存储单元定义在通道层与字线的多个交点。该存储装置配置成用于执行一第一操作m次和一第二操作n次，m大于等于n。在第一操作中，一第一电场产生在存储层的一部分。所述多个字线配置成用于在第二操作中于存储层的该部分产生一第二电场，第二电场的电场方向不同于第一电场的电场方向。技术研发人员：曾柏皓,李峯旻,栢添赐,李明修受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/22