确定数据读取时长的方法、测试方法、装置及存储介质与流程

本公开涉及芯片设计，尤其涉及一种确定数据读取时长的方法、测试方法、装置及存储介质。

背景技术：

1、相关技术中，在晶圆的测试中，例如在lpddr(low power double data ratesdram)内存芯片的晶圆的测试过程中。写入内存芯片的数据在读出时，会因晶圆生产工艺上的公差和不同的测试条件，产生数据读出时间上的偏移，造成晶圆测试过程中的稳定性和准确性低。

技术实现思路

1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

2、本公开提供一种确定数据读取时长的方法、测试方法、装置及存储介质。

3、根据本公开实施例的第一方面，提供了一种确定数据读取时长的方法，所述方法包括：

4、在预设测试条件下，根据晶圆上的芯片的第一偏移时长，确定晶圆测试过程中的第二偏移时长；所述第一偏移时长为所述晶圆上的芯片的数据同步信号的偏移时长；

5、根据所述第二偏移时长和预设数据读取时长，确定所述晶圆上芯片中的数据的数据读取时长。

6、在一些示例性的实施例中，在预设测试条件下，所述根据晶圆上的芯片的第一偏移时长，确定晶圆测试过程中的第二偏移时长，包括：

7、在预设测试条件下，根据晶圆上的第一预设数量的芯片的第一偏移时长，确定晶圆测试过程中的第二偏移时长。

8、在一些示例性的实施例中，在预设测试条件下，所述根据晶圆上的第一预设数量的芯片的第一偏移时长，确定晶圆测试过程中的第二偏移时长，包括：

9、将所述预设测试条件下确定的所述第一预设数量的所述第一偏移时长的平均值，确定为所述预设测试条件下的所述晶圆测试过程中的第二偏移时长。

10、在一些示例性的实施例中，在预设测试条件下，所述根据晶圆上的第一预设数量的芯片的第一偏移时长，确定晶圆测试过程中的第二偏移时长，包括：

11、确定在预设时长范围内的所述第一偏移时长；

12、将确定的所述第一偏移时长的平均值，确定为所述预设测试条件下的所述晶圆测试过程中的第二偏移时长。

13、在一些示例性的实施例中，所述确定方法还包括：

14、根据所述第一预设数量的芯片的第一偏移时长确定所述预设时长范围。

15、在一些示例性的实施例中，所述第一预设数量与所述晶圆上芯片的总数量的比值大于预设比值。

16、在一些示例性的实施例中，所述第一预设数量为所述晶圆上芯片的总数量，或者为按照预设规则排除晶圆上失效芯片后得到的芯片数量。

17、在一些示例性的实施例中，所述确定方法还包括：

18、在所述预设测试条件下，在所述晶圆的所述第一预设数量的芯片上进行第二预设数量的数据写读测试，获取所述数据写读测试中所述第一预设数量的每个芯片上对应的所述第一偏移时长。

19、在一些示例性的实施例中，所述第二预设数量小于等于预设阈值。

20、在一些示例性的实施例中，根据所述第二偏移时长和预设数据读取时长，确定所述晶圆上芯片中的数据的数据读取时长，包括：

21、将所述第二偏移时长和所述预设数据读取时长的和，确定为所述晶圆上芯片中的数据的数据读取时长。

22、根据本公开实施例的第二方面，提供了一种晶圆的测试方法，所述方法包括：根据本公开示例性的实施例所提供的方法所确定的晶圆上芯片中的数据的数据读取时长，在所述预设测试条件下，对晶圆进行功能性测试。

23、根据本公开实施例的第三方面，提供了一种确定数据读取时长的装置，所述装置包括：

24、第一确定模块，被配置为在预设测试条件下，根据晶圆上的芯片的第一偏移时长，确定晶圆测试过程中的第二偏移时长；所述第一偏移时长为所述晶圆上的芯片的数据同步信号的偏移时长；

25、第二确定模块，被配置为根据所述第二偏移时长和预设数据读取时长，确定所述晶圆上芯片中的数据的数据读取时长。

26、在一些示例性的实施例中，第一确定模块被配置为：

27、在预设测试条件下，根据晶圆上的第一预设数量的芯片的第一偏移时长，确定晶圆测试过程中的第二偏移时长。

28、在一些示例性的实施例中，第一确定模块被配置为：

29、将所述预设测试条件下确定的所述第一预设数量的所述第一偏移时长的平均值，确定为所述预设测试条件下的所述晶圆测试过程中的第二偏移时长。

30、在一些示例性的实施例中，第一确定模块被配置为：

31、确定在预设时长范围内的所述第一偏移时长；

32、将确定的所述第一偏移时长的平均值，确定为所述预设测试条件下的所述晶圆测试过程中的第二偏移时长。

33、在一些示例性的实施例中，第一确定模块被配置为：

34、根据所述第一预设数量的芯片的第一偏移时长确定所述预设时长范围。

35、在一些示例性的实施例中，所述第一预设数量与所述晶圆上芯片的总数量的比值大于预设比值。

36、在一些示例性的实施例中，所述第一预设数量为所述晶圆上芯片的总数量，或者为按照预设规则排除晶圆上失效芯片后得到的芯片数量。

37、在一些示例性的实施例中，所述确定方法还包括第三确定模块，被配置为：

38、在所述预设测试条件下，在所述晶圆的所述第一预设数量的芯片上进行第二预设数量的数据写读测试，获取所述数据写读测试中所述第一预设数量的每个芯片上对应的所述第一偏移时长。

39、在一些示例性的实施例中，所述第二预设数量小于等于预设阈值。

40、在一些示例性的实施例中，所述第二确定模块被配置为：

41、将所述第二偏移时长和所述预设数据读取时长的和，确定为所述晶圆上芯片中的数据的数据读取时长。

42、根据本公开实施例的第四方面，提供了一种测试装置，所述装置包括：

43、测试模块，被配置为根据本公开示例性的实施例所述的方法所确定的晶圆上芯片中的数据的数据读取时长，在所述预设测试条件下，对晶圆进行功能性测试。

44、根据本公开实施例的第五方面，提供了一种确定数据读取时长的装置，所述装置包括：

45、处理器；以及

46、存储器，所述存储器上存储有计算机可读指令，所述计算机可读指令被所述处理器执行时实现本公开示例性的实施例所提供的所述的方法。

47、根据本公开实施例的第六方面，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现本公开示例性的实施例所提供的所述的方法。

48、在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

技术特征：

1.一种确定数据读取时长的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在预设测试条件下，所述根据晶圆上的芯片的第一偏移时长，确定晶圆测试过程中的第二偏移时长，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在预设测试条件下，所述根据晶圆上的第一预设数量的芯片的第一偏移时长，确定晶圆测试过程中的第二偏移时长，包括：

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在预设测试条件下，所述根据晶圆上的第一预设数量的芯片的第一偏移时长，确定晶圆测试过程中的第二偏移时长，包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

6.根据权利要求2-5任一所述的方法，其特征在于，所述第一预设数量与所述晶圆上芯片的总数量的比值大于预设比值。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一预设数量为所述晶圆上芯片的总数量，或者为按照预设规则排除晶圆上失效芯片后得到的芯片数量。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二预设数量小于等于预设阈值。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述第二偏移时长和预设数据读取时长，确定所述晶圆上芯片中的数据的数据读取时长，包括：

11.一种测试方法，其特征在于，所述方法包括：根据权利要求1-10任一所述的方法所确定的晶圆上芯片中的数据的数据读取时长，在所述预设测试条件下，对晶圆进行功能性测试。

12.一种确定数据读取时长的装置，其特征在于，所述装置包括：

13.一种测试装置，其特征在于，所述装置包括：

14.一种确定数据读取时长的装置，其特征在于，所述装置包括：

15.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现根据权利要求1至11任一项所述的方法。

技术总结本公开提供一种确定数据读取时长的方法、测试方法、装置及存储介质。所述方法包括：在预设测试条件下，根据晶圆上的芯片的第一偏移时长，确定晶圆测试过程中的第二偏移时长；所述第一偏移时长为所述晶圆上的芯片的数据同步信号的偏移时长；根据所述第二偏移时长和预设数据读取时长，确定所述晶圆上芯片中的数据的数据读取时长。通过在对晶圆测试过程中使用统一的偏移时长，第二偏移时长，来对晶圆中所有芯片中数据进行数据读取，可以提高测试过程中数据读取的可靠性。技术研发人员：郑建信受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/2/1