确定存储器读取操作的电压偏移的制作方法

1.本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更特定来说涉及确定存储器读取操作的电压偏移。背景技术：2.存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。举例来说，所述存储器装置可为非易失性存储器装置及易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以将数据存储在存储器装置处及从存储器装置检索数据。附图说明3.从下面给出的详细描述及从本公开的一些实施例的附图，将更全面地理解本公开。4.图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。5.图2示意性地说明根据本公开的实施例的由存储器子系统控制器维持的用于将块与电压分档相关联的实例元数据。6.图3说明根据本公开的一或多个方面的基于接近电压分档之间的过渡边界的块的阈值电压偏移来校准存储器装置的电压分档的实例方法。7.图4说明根据本公开的一或多个方面的通过将电压分档的阈值电压偏移调整为在阈值电压偏移的范围内来校准存储器装置的电压分档的实例方法。8.图5是根据本公开的一些实施例的支持用于存储器装置的块的读取操作电压偏移与分档确定电压偏移分离的实例方法的流程图。9.图6是根据本公开的一或多个方面的使用电压分档的读取操作阈值电压偏移来执行读取操作及使用电压分档的分档确定阈值电压偏移来执行分档确定操作的实例方法的流程图。10.图7说明根据本公开的一或多个方面的基于电压分档的分档确定阈值电压偏移的位错误率测量将存储器装置的块指派到电压分档的实例方法。11.图8说明根据本公开的一或多个方面的支持存储器装置的每一电压分档的读取操作阈值电压偏移及分档确定阈值电压偏移的实例方法。12.图9说明计算机系统的实例机器，在计算机系统内可执行用于致使所述机器执行本文所论述的方法论中的任一或多者的一组指令。具体实施方式13.本公开的实施例涉及用于校准存储器装置的电压分档的阈值电压确定。存储器子系统可为存储装置、存储器模块或存储装置与存储器模块的混合体。下面结合图1描述存储装置及存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包含例如存储数据的存储器装置的一或多个组件的存储器子系统。主机系统可提供待存储在存储器子系统处的数据，并且可请求待从存储器子系统检索的数据。14.存储器子系统可利用一或多个存储器装置，包含不同类型的非易失性存储器装置及/或易失性存储器装置的任一组合，以存储由主机系统提供的数据。在一些实施例中，非易失性存储器装置可由与非(nand)型快闪存储器装置提供。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它实例。非易失性存储器装置是一或多个裸片的封装。每一裸片可由一或多个平面组成。平面可被分组成逻辑单位(lun)。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如，nand装置)，每一平面由一组物理块组成。本文的“块”应是指一组连续或不连续存储器页面。“块”的实例是“可擦除块”，其为存储器的最小可擦除单位，而“页面”是存储器的最小可写入单位。每一页面包含一组存储器单元。存储器单元是存储信息的电子电路。15.数据操作可由存储器子系统执行。数据操作可为主机启动的操作。举例来说，主机系统可在存储器子系统上启动数据操作(例如，写入、读取、擦除等)。主机系统可向存储器子系统发送存取请求(例如，写入命令、读取命令)，例如以将数据存储在存储器子系统处的存储器装置上，并从存储器子系统上的存储器装置读取数据。如由主机请求指定的待读取或写入的数据在下文称为“主机数据”。主机请求可包含用于主机数据的逻辑地址信息(例如，逻辑块地址(lba)、命名空间)，所述逻辑地址信息是主机系统与主机数据相关联的位置。逻辑地址信息(例如，lba、命名空间)可为用于主机数据的元数据的部分。元数据还可包含错误处置数据(例如，错误校正码(ecc)、奇偶校验码)、数据版本(例如，用于区分写入数据的年龄)、有效位图(其lba或逻辑传送单位含有有效数据)等等。16.存储器装置包含多个存储器单元，取决于存储器单元类型，其中的每一者存储一或多个信息位。通过向存储器单元施加一定电压，可对存储器单元进行编程(写入到存储器单元)，这导致由存储器单元保持电荷，因此允许调制由存储器单元产生的电压分布。此外，精确控制由存储器单元存储的电荷量允许建立对应于不同逻辑电平的多个阈值电压电平，因此有效地允许单个存储器单元存储多个信息位：以2n个不同阈值电压电平操作的存储器单元能够存储n个信息位。因此，可通过将由存储器单元展现的所测量电压与一或多个参考读取电压电平进行比较来执行读取操作，以便区分单电平单元的两个逻辑电平及区分多电平单元的多个逻辑电平。17.由于被称为缓慢电荷损失的现象，存储器单元的阈值电压随着单元的电荷降级而随时间改变，这被称为“时间电压移位”(因为使电荷降级致使电压分布沿电压轴朝向较低电压电平移位)。阈值电压首先快速改变(紧接在存储器单元被编程之后)，且接着关于自单元编程事件以来经过的时间，以近似对数线性方式减速。因此，未能减轻由缓慢电荷损失引起的时间电压移位可导致读取操作中的增加位错误率。18.然而，各种常见实施方案未能充分解决时间电压移位或采用导致高位错误率及/或展现其它缺点的低效策略。本公开的实施例通过实施采用一组读取阈值电压分档(“电压分档”)的存储器子系统且基于每一块的编程后时间，将存储在存储器子系统电压的存储器装置处的每一块指派到电压分档中的一者来解决上述及其它缺陷，因此实现导致块的有效读取操作的阈值电压偏移。有效读取操作是指对错误恢复的需求最小的读取，即，当第一读取尝试由于高错误率而失败，且读取操作通过错误处置/错误恢复步骤来校正错误时。错误恢复过程需要时间及带宽，且因此增加将数据传回到主机的延时。因此，有效读取操作对应于低位错误率，其可通过使用考虑scl的适当读取阈值电压来实现。总之，有效读取操作是指低错误率及因此低延时。电压分档表示可用于在给定块处执行读取操作的一组读取电平阈值电压，使得每一读取电平阈值电压对应于电压分布谷值，其中每一谷值是待读取块的两个邻近数据状态之间的距离。例如，对于存储3个位的tlc块，可存在对应于由七个谷值划分的八个电压分布的8个数据状态(即，电平)。因此，tlc块的每一电压分档具有7个偏移，即每一谷值一个偏移。在一些实施方案中，读取可与块的页面相关联。每一页面类型(tlc、slc等)对应于一定数目个谷值。对于页面读取，从指派到含有页面的块的分档读取适当偏移。每一页面类型的一或多个谷值由用于将数据状态(电平)映射到位(例如格雷码)的码确定。格雷码是指二进制数字系统是两个连续谷值仅相差一个位(例如，二进制数字)。在tlc块上，块的一些部分可为每存储器单元存储2个位的多电平单元(mlc)(导致4个数据状态)，或每存储器单元存储1个位的单电平单元(slc)。对于mlc及slc部件，可分别存在3个及1个偏移。块与裸片及与电压分档的关联可存储在由存储器子系统控制器维持的相应元数据表中。19.如上文解释，将存储器装置的块指派到电压分档可减少由缓慢电荷损失引起的时间电压移位对存储器装置的块的读取操作的效率的影响。然而，随着时间的推移，缓慢电荷损失也影响单个电压分档内的块的读取操作的效率。因此，为维持有效读取操作且最小化位错误率，可执行电压分档校准过程来调整与每一电压分档相关联的阈值电压偏移。对于每一电压偏移分档，校准可涉及：例如按特定时间间隔扫描与电压分档相关联的块；基于读取操作来确定经更新阈值电压偏移；以及基于读取操作的结果来更新电压分档的阈值电压偏移。然而，当相同阈值电压偏移用于存储器装置的经编程块的读取操作及分档确定时，更新用于读取操作的阈值电压偏移可致使电压分档之间的边界的非所要移位。因此，本公开的实施例通过提供技术来向每一电压分档指派不同于读取操作阈值电压偏移的分档确定阈值电压偏移来解决此限制，因此最小化校准用于有效读取操作的阈值电压偏移对存储器装置的块的分档确定过程的不利影响。20.根据本公开的实施例，可识别来自存储器装置的电压分档的一组读取电平的某个读取电平用于指派阈值电压偏移。在实施例中，可将两个阈值电压偏移指派到每一读取电平，使得可使用第一阈值电压偏移来执行读取操作，且可使用第二阈值电压偏移来执行电压分档确定操作。因为用于读取操作的阈值电压偏移可随着时间的推移频繁校准，以维持主机数据的有效读取操作，在将经编程块指派到电压分档时使用单独阈值电压偏移进行分档确定可消除可由使用用于分档确定的经校准阈值电压偏移引起的电压分档之间的边界的电势移位。在一个实施例中，当将读取操作阈值电压偏移及分档确定阈值电压偏移指派到电压分档的给定读取电平时，它们可被指派相同值。在指派到读取电平之后，且随着时间的流逝，可校准读取操作阈值电压偏移，以维持指派到所述读取电平处的电压分档的块的有效读取操作，而分档确定阈值电压偏移可在不进一步校准的情况下维持其初始值。在另一实施例中，在指派到读取电平之后，随着时间流逝，可以某个速率校准读取操作阈值电压偏移，且可以另一速率(例如，比读取操作阈值电压偏移的校准速率更慢的速率)校准分档确定阈值电压偏移，因此能够调整分档确定阈值电压偏移，同时继续最小化由于读取电压校准而显著改变电压分档边界的不利影响。21.在某些实施例中，给定读取电平的读取操作阈值电压偏移及/或分档确定阈值电压偏移最初可在预特性化过程期间确定，所述预特性化过程可作为存储器装置制造期间的一次性过程来执行。在其它实施例中，给定读取电平的读取操作阈值电压偏移及/或分档确定阈值电压偏移最初可被指派相同值，所述值可基于接近对应于所述读取电平的电压分档与先前电压分档之间的过渡边界的块的编程后时间(tap)来确定。在此情况下，可确定先前电压分档的块的子集，其正在接近电压分档与先前电压分档之间的过渡边界，例如，在距过渡边界的预定距离内。在一个实施例中，存储器装置的电压分档中的每一者可具有编程后时间(tap)的对应范围，且电压分档与后续电压分档之间的过渡边界对应于特定tap值，使得当指派到电压分档的块达到大于对应于电压分档与后续电压分档之间的过渡边界的特定tap值的tap值时，所述块被指派到后续电压分档。在实施方案中，由于块的存储器单元的缓慢电荷损失，给定电压分档的块可接近电压分档与后续电压分档之间的过渡边界，如上文更详细解释。当识别接近过渡边界的块的子集时，可确定对块的子集的读取操作有效的阈值电压偏移，且接着将其用作后续电压分档的读取操作阈值电压偏移及分档确定阈值电压偏移的初始值。在实施方案中，scl也可取决于温度。因此，tap也可为用块的温度调整的编程后时间。作为实例，30c下的scl小于90c下的stl。因此，在90c下30分钟的tap可导致大于在30c下30分钟之后的另一scl值的scl值。因此，可通过考虑温度来计算经调整tap，即，关于例如30c的参考温度的正规化时间。作为实例，90c下的30分钟可能对应于2小时的正规化时间。22.在一个实施例中，可通过对存储在块的子集处的数据执行读取操作且确定将导致读取操作的最小位错误率的阈值电压偏移来确定块的子集的有效阈值电压偏移。由于接近过渡边界的块的子集将比指派到电压分档的其它块更快地指派到后续电压分档，将对于接近过渡边界的块的子集的读取操作有效的阈值电压偏移指派为后续电压分档的读取操作阈值电压偏移及分档确定阈值电压偏移的初始值。23.在实施例中，可针对与电压分档相关联的所述一组读取电平中的每一读取电平确定接近过渡边界的块的子集，且块的子集的有效阈值电压偏移可用作电压分档的对应读取电平的初始读取操作阈值电压偏移及分档确定阈值电压偏移。对于后续电压分档的所述一组读取电平中的每一读取电平，可重复指派初始阈值电压偏移的过程。24.在一些实施例中，当读取操作阈值电压偏移及分档确定阈值电压偏移被指派到存储器装置的电压分档的读取电平时，存储主机数据的块可基于电压分档的读取电平的分档确定阈值电压偏移而被指派到对应读取电平处的电压分档。在此情况下，可将给定块指派到具有分档确定阈值电压偏移的电压分档，所述电压偏移如果应用为读取电平偏移，那么将导致块的最可靠读取操作。作为实例，可确定基于给定块的读取操作的可靠性度量(例如，数据状态度量)。可靠性度量的一个实例是原始位错误率(rber)。rber可定义为错误位的数目与存储在存储器子系统的数据单元中的所有数据位的数目的比率。可使用存储器装置的电压分档中的每一者的分档确定阈值电压偏移来执行给定块的一组读取操作，且可选择具有导致读取操作结果的最小rber的分档确定阈值电压偏移的电压分档。接着可将块指派到所选择电压分档。可使用指派到块的电压分档的读取操作阈值电压偏移来执行存储在块处的数据的进一步读取操作。25.随着时间的过去，可校准电压分档的读取操作阈值电压偏移，以维持指派到电压分档的块的有效读取操作。在此情况下，可基于指派到电压分档的块中的至少一些者的读取操作的结果来更新读取操作阈值电压偏移。在一些实施例中，随着时间的推移，在块被指派到给定电压分档时，可继续调整给定电压分档的读取操作阈值电压偏移的值，以实现对指派到电压分档的块的数据的有效读取操作。读取操作阈值电压偏移的调整可导致经调整阈值电压偏移朝向电压分档与后续电压分档之间的过渡边界的移位，因此，潜在地使读取操作阈值电压偏移显著偏离其对应于电压分档与先前电压分档之间的边界的初始值。读取操作阈值电压偏移的此移位可导致新指派到电压分档的块的低效读取操作，因为新指派的块可具有比对应于移位的读取操作阈值电压偏移的tap更小的tap，从而导致使用读取操作阈值电压偏移执行的读取操作的更高位错误率。为减轻电压分档的读取操作阈值电压偏移的显著移位，可限制在电压分档校准期间对读取操作阈值电压偏移的调整，使得经调整读取操作阈电压偏移不超过预定电压阈值。在此情况下，如果基于电压分档校准的经调整读取操作阈值电压偏移超过电压分档的预定电压阈值，那么可将电压分档的经调整读取操作阈值电压偏移的值复位为电压分档的预定电压阈值。26.在一个实施例中，随着时间的过去，还可校准电压分档的分档确定阈值电压偏移，以基于存储器装置的块的缓慢电荷损失来维持有效分档确定。在其它实施例中，电压分档的分档确定阈值电压偏移可在不调整的情况下维持其初始值，而电压分档的读取操作阈值电压偏移可继续被校准。27.因此，根据本公开的一些实施例实施的系统及方法的优点包含(但不限于)优化电压分档校准过程的性能，使得每一电压分档的单独阈值电压偏移可用于执行读取操作及分档确定操作。由于使用电压分档的专用阈值电压偏移来执行读取操作，因此校准读取操作阈值电压偏移不会影响使用阈值电压偏移执行的其它操作，例如，分档确定操作。另外，由于存储器子系统可基于扫描接近过渡到电压分档的一组块来确定电压分档的初始阈值电压偏移，因此将扫描操作限制为仅接近过渡边界的所述一组模块显著降低电压分档校准期间扫描过程的性能损失。28.图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统110的实例计算系统100。存储器子系统110可包含媒体，例如一或多个易失性存储器装置(例如，存储器装置140)、一或多个非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)或此组合。29.存储器子系统110可为存储装置、存储器模块或存储装置及存储器模块的混合。存储装置的实例包含固态驱动器(ssd)、快闪驱动器、通用串行总线(usb)快闪驱动器、嵌入式多媒体控制器(emmc)驱动器、通用快闪存储(ufs)驱动器、安全数字(sd)卡及硬盘驱动器(hdd)。存储器模块的实例包含双列直插式存储器模块(dimm)、小外形dimm(so-dimm)及各种类型的非易失性双列直插式存储器模块(nvdimm)。30.计算系统100可为计算装置，例如台式计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、交通工具(例如，飞机、无人机、火车、汽车或其它交通工具)、具有物联网(iot)能力的装置、嵌入式计算机(例如，包含在交通工具、工业装备或联网商业装置中的计算机)，或包含存储器及处理装置(例如，处理器)的此类计算装置。31.计算系统100可包含耦合到一或多个存储器子系统110的主机系统120。在一些实施例中，主机系统120耦合到不同类型的存储器子系统110。图1说明耦合到一个存储器子系统110的主机系统120的一个实例。如本文使用，“耦合到”或“与...耦合”通常是指组件之间的连接，其可为间接通信连接或直接通信连接(例如，不具有中介组件)，无论是有线的还是无线的，包含例如电连接、光学连接、磁性连接等连接。32.主机系统120可包含处理器芯片组及由处理器芯片组执行的软件栈。处理器芯片组可包含一或多个核心、一或多个高速缓存、存储器控制器(例如，nvdimm控制器)及存储协议控制器(例如，pcie控制器、sata控制器)。主机系统120例如使用存储器子系统110以将数据写入到存储器子系统110并从存储器子系统110读取数据。33.主机系统120可经由物理主机接口耦合到存储器子系统110。物理主机接口的实例包含(但不限于)串行高级技术附接(sata)接口、外围组件互连快速(pcie)接口、通用串行总线(usb)接口、光纤通道、串行附接scsi(sas)、双倍数据速率(ddr)存储器总线、小型计算机系统接口(scsi)、双列直插式存储器模块(dimm)接口(例如，支持双倍数据速率(ddr)的dimm插槽接口)、开放式nand快闪接口(onfi)、双倍数据速率(ddr)、低功率双倍数据速率(lpddr)等。物理主机接口可用于在主机系统120与存储器子系统110之间传输数据。主机系统120可进一步利用nvm快速(nvme)接口以在存储器子系统110通过pcie接口与主机系统120耦合时存取组件(例如，存储器装置130)。所述物理主机接口可提供用于在存储器子系统110与主机系统120之间传递控制、地址、数据及其它信号的接口。图1举例说明存储器子系统110。一般来说，主机系统120可经由相同通信连接、多个单独通信连接及/或通信连接的组合来存取多个存储器子系统。34.存储器装置130、140可包含不同类型的非易失性存储器装置及/或易失性存储器装置的任一组合。易失性存储器装置(例如，存储器装置140)可为(但不限于)随机存取存储器(ram)，例如动态随机存取存储器(dram)及同步动态随机存取存储器(sdram)。35.非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)的一些实例包含与非(nand)型快闪存储器及就地写入存储器，例如三维交叉点(“3d交叉点”)存储器装置，其为非易失性存储器单元的交叉点阵列。非易失性存储器的交叉点阵列可结合可堆叠交叉网格数据存取阵列，基于体电阻的变化而执行位存储。另外，与许多基于快闪的存储器相比，交叉点非易失性存储器可执行原位写入操作，其中可对非易失性存储器单元进行编程而无需事先擦除非易失性存储器单元。nand型快闪存储器包含例如二维nand(2d nand)及三维nand(3d nand)。36.存储器装置130中的每一者可包含存储器单元的一或多个阵列。一种类型的存储器单元(例如单电平单元(slc))可每单元存储一个位。其它类型的存储器单元(例如多电平单元(mlc)、三电平单元(tlc)及四电平单元(qlc))可每单元存储多个位。在一些实施例中，存储器装置130中的每一者可包含存储器单元的一或多个阵列，例如slc、mlc、tlc、qlc或其任一组合。在一些实施例中，特定存储器装置可包含存储器单元的slc部分及mlc部分、tlc部分或qlc部分。存储器装置130的存储器单元可被分组为页面，页面可指用于存储数据的存储器装置的逻辑单位。针对一些类型的存储器(例如，nand)，可对页面进行分组以形成块。37.尽管描述非易失性存储器装置(例如非易失性存储器单元的3d交叉点阵列及nand型存储器(例如，2d nand、3d nand))，但存储器装置130可基于任何其它类型的非易失性存储器，例如只读存储器(rom)、相变存储器(pcm)、自选择存储器、其它基于硫属化物的存储器、铁电晶体管随机存取存储器(fetram)、铁电随机存取存储器(feram)、磁随机存取存储器(mram)、自旋转移力矩(stt)-mram、导电桥接ram(cbram)、电阻式随机存取存储器(rram)、基于氧化物的rram(oxram)、或非(nor)快闪存储器及电可擦除可编程只读存储器(eeprom)。38.存储器子系统控制器115(或简称为控制器115)可与存储器装置130通信以在存储器装置130处执行例如读取数据、写入数据或擦除数据的操作及其它此类操作。存储器子系统控制器115可包含硬件，例如一或多个集成电路及/或离散组件、缓冲存储器或者其组合。硬件可包含具有专用(即，硬编码)逻辑以执行本文所描述的操作的数字电路系统。存储器子系统控制器115可为微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(fpga)、专用集成电路(asic)等)或其它合适处理器。39.存储器子系统控制器115可包含经配置以执行存储在本地存储器119中的指令的处理器117(例如，处理装置)。在所说明实例中，存储器子系统控制器115的本地存储器119包含嵌入式存储器，所述嵌入式存储器经配置以存储用于执行控制存储器子系统110的操作(包含处置存储器子系统110与主机系统120之间的通信)的各种过程、操作、逻辑流程及例程的指令。40.在一些实施例中，本地存储器119可包含存储存储器指针、所提取数据等的存储器寄存器。本地存储器119还可包含用于存储微码的只读存储器(rom)。虽然图1中的实例存储器子系统110已被说明为包含控制器115，但在本公开的另一实施例中，存储器子系统110不包含控制器115，而是可依赖于外部控制(例如，由外部主机，或者由与存储器子系统分开的处理器或控制器提供)。41.一般来说，存储器子系统控制器115可从主机系统120接收命令或操作且将命令或操作转换成指令或适当命令以实现对存储器装置130的所期望存取。存储器子系统控制器115可负责与存储器装置130相关联的其它操作，例如损耗均衡操作、废弃项目收集操作、错误检测及错误校正码(ecc)操作、加密操作、高速缓存操作及逻辑地址(例如，逻辑块地址(lba)、命名空间)与物理地址(例如，物理块地址)之间的地址转译。存储器子系统控制器115可进一步包含用以经由物理主机接口与主机系统120通信的主机接口电路系统。主机接口电路系统可将从主机系统接收到的命令转换成用以存取存储器装置130的命令指令，并且将与存储器装置130相关联的响应转换成用于主机系统120的信息。42.在一些实施方案中，存储器子系统110可使用条带化方案，根据所述方案，每一个数据有效载荷(例如，用户数据)利用存储器装置130(例如，nand型快闪存储器装置)的多个裸片，使得有效载荷通过裸片的子集分布，而剩余一或多个裸片用于存储错误校正信息(例如，奇偶校验位)。因此，使用条带化方案跨越存储器装置的一组裸片分布的一组块在本文中被称为“超级块”。43.存储器子系统110还可包含未说明的额外电路系统或组件。在一些实施例中，存储器子系统110可包含可从控制器115接收地址并解码所述地址以存取存储器装置130的高速缓存或缓冲器(例如，dram)及地址电路系统(例如，行解码器及列解码器)。44.在一些实施例中，存储器装置130包含结合存储器子系统控制器115操作以对存储器装置130的一或多个存储器单元执行操作的本地媒体控制器135。外部控制器(例如，存储器子系统控制器115)可在外部管理存储器装置130(例如，对存储器装置130执行媒体管理操作)。在一些实施例中，存储器装置130是受管理存储器装置，其是与本地控制器(例如，本地控制器135)组合的原始存储器装置，用于同一存储器装置封装内的媒体管理。受管理存储器装置的实例是受管理nand(mnand)装置。45.存储器子系统110包含电压分档校准组件113，根据本公开的实施例，电压分档校准组件113可用于实施用于支持用于存储器装置130到140的块的读取操作电压偏移与分档确定电压偏移分离的技术。在一个实施方案中，电压分档校准组件113从存储器装置130到140的电压分档的一组读取电平识别读取电平。在实施方案中，可将两个阈值电压偏移指派到每一电压分档的每一读取电平；读取操作阈值电压偏移及分档确定阈值电压偏移。可使用读取操作阈值电压偏移来执行指派到电压分档的块的读取操作，且可使用分档确定阈值电压偏移来执行电压分档的电压分档确定操作。在一个实施例中，电压分档校准组件113可将相同电压偏移值指派到电压分档的读取电平的读取操作阈值电压偏移及分档确定阈值电压偏移两者。在指派到读取电平之后，且随着时间的流逝，电压分档校准组件113可校准读取操作阈值电压偏移，以维持指派到所述读取电平处的电压分档的块的有效读取操作，同时将分档确定阈值电压偏移维持在其初始值，而无需进一步校准。在另一实施例中，在指派到读取电平之后，随着时间的流逝，电压分档校准组件113可以某个速率校准读取操作阈值电压偏移及/或将读取操作阈值电压偏移校准到某个阈值，且以不同速率(例如，比读取操作阈值电压偏移的校准速率更慢的速率)校准分档确定阈值电压及/或将分档确定阈值电压校准直到较低阈值。46.在某些实施例中，电压分档校准组件113最初可在预特性化过程期间确定读取电平的读取操作阈值电压偏移及/或分档确定阈值电压偏移，所述预特性化过程可在存储器装置130到140的制造期间作为一次性过程执行。在其它实施例中，电压分档校准组件113最初可将相同值指派到读取电平的读取操作阈值电压偏移及分档确定阈值电压偏移，所述读取电平可基于接近对应于读取电平的电压分档与先前电压分档之间的过渡边界的块的编程后时间(tap)来确定。在此情况下，电压分档校准组件113识别先前电压分档的块的子集，其正在接近电压分档与先前电压分档之间的过渡边界，例如，在距过渡边界的预定距离内。当电压分档校准组件113确定接近过渡边界的块的子集时，电压分档校准组件113可确定对于块的子集的读取操作有效的阈值电压偏移，且接着使用所确定阈值电压作为后续电压分档的读取操作阈值电压偏移及分档确定阈值电压偏移的初始值。47.在一个实施方案中，电压分档校准组件113可通过执行存储在块的子集处的数据的读取操作来确定块的子集的有效阈值电压偏移，且确定导致读取操作的最小位错误率的阈值电压偏移。电压分档校准组件113接着可将所确定阈值电压指派为后续电压分档的读取操作阈值电压偏移及分档确定阈值电压偏移的初始值。在实施方案中，电压分档校准组件113可针对与电压分档相关联的所述一组读取电平中的每一读取电平确定接近过渡边界的块的子集，且块的子集的有效阈值电压偏移可被指派为电压分档的对应读取电平的初始读取操作阈值电压偏移及分档确定阈值电压偏移。对于后续电压分档的所述一组读取电平中的每一读取电平，可重复指派初始阈值电压偏移的过程。48.在一些实施方案中，当读取操作阈值电压偏移及分档确定阈值电压偏移被指派到存储器装置130到140的电压分档的读取电平时，电压分档校准组件113可基于电压分档的读取电平的分档确定阈值电压偏移而将某个读取电平处存储主机数据的块指派到对应读取电平处的电压分档。在此情况下，电压分档校准组件113可例如基于读取操作的最小rber而将给定块指派到具有对应于块的最可靠读取操作的分档确定阈值电压偏移的电压分档。在此情况下，电压分档校准组件113使用存储器装置130到140的电压分档中的每一者的分档确定阈值电压偏移来执行给定块的一组读取操作，且选择具有导致读取操作结果的最小rber的分档确定阈值电压偏移的电压分档。电压分档校准组件113接着将块指派到所选择电压分档。电压分档校准组件113可使用指派到块的电压分档的读取操作阈值电压偏移来执行存储在块处的数据的进一步读取操作。49.随着时间的过去，且由于例如缓慢电荷损失，电压分档校准组件113可校准电压分档的读取操作阈值电压偏移，以维持指派到电压分档的块的有效读取操作。在此情况下，电压分档校准组件113基于指派到电压分档的块中的至少一些者的读取操作的结果来更新读取操作阈值电压偏移。在一些实施方案中，当块随着时间的推移而被指派到给定电压分档时，电压分档校准组件113继续更新给定电压分档的读取操作阈值电压偏移的值，以实现指派到电压分档的块的数据的有效读取操作。在实施方案中，为减轻可导致新指派到电压分档的块的低效读取操作的电压分档的读取操作阈值电压偏移的显著移位，电压分档校准组件113可限制在电压分档校准期间对读取操作阈值电压偏移的调整，使得经调整读取操作阈值电压偏移不超过预定电压阈值。在此情况下，如果基于电压分档校准的经调整读取操作阈值电压偏移超过电压分档的预定电压阈值，那么电压分档校准组件113可将电压分档的经调整读取操作阈值电压偏移的值复位到电压分档的预定电压阈值。50.在某些实施方案中，随着时间的过去，电压分档校准组件113还可校准电压分档的分档确定阈值电压偏移，以基于存储器装置130到140的块的缓慢电荷损失来维持有效分档确定操作。在其它实施方案中，电压分档校准组件113可在不进行调整的情况下将电压分档的分档确定阈值电压偏移维持在其初始值，同时校准电压分档的读取操作阈值电压偏移。51.图2示意性地说明根据本公开的实施例的由存储器子系统控制器维持的用于将块及/或分区与电压分档相关联的实例元数据。如由图2示意性地说明，存储器子系统控制器可维持超级块表210、块表220及偏移表230。超级块表210的每一记录指定与指定超级块及分区组合相关联的块。在一些实施方案中，超级块表记录可进一步包含与指定超级块及分区组合相关联的时间及温度值。52.块表220由块编号编索引，使得块表220的每一记录针对由记录的索引所引用的块指定与块的相应裸片相关联的一组电压分档。换句话说，块表220的每一记录包含向量，其每一元素指定与由向量元素的索引所引用的裸片相关联的电压分档。53.最后，偏移表230由分档编号编索引。偏移表230的记录指定与电压分档相关联的一组读取操作阈值电压偏移(例如，对于tlc、mlc及/或slc)。另一记录指定与电压分档相关联的一组分档确定阈值电压偏移(例如，对于tlc、mlc及/或slc)。元数据表210到230可存储在图1的一或多个存储器装置130上。在一些实施方案中，元数据表的至少部分可高速缓存在图1的存储器子系统控制器115的本地存储器119中。54.在操作中，在接收到读取命令时，存储器子系统控制器确定对应于由读取命令指定的逻辑块地址(lba)的物理地址。物理地址的组件(例如物理块编号及裸片标识符)用于执行元数据表遍历：首先，超级块表210用于识别对应于物理块编号的块标识符；然后，块标识符用作块表220的索引以便于确定与块及裸片相关联的电压分档；最后，所识别电压分档用作偏移表230的索引，以便确定对应于分档的读取操作阈值电压偏移及分档确定阈值电压偏移。接着，存储器子系统控制器可将所所识别读取操作阈值电压偏移附加地应用于基本电压读取电平，以便执行所请求读取操作。55.在图2的说明性实例中，超级块表210将超级块0的分区0映射到块4，块4用作块表220的索引以便确定裸片0映射到电压分档3。后一个值用作偏移表的索引，以便确定电压分档3的阈值电压偏移值。56.图3说明根据本公开的一或多个方面的基于接近电压分档之间的过渡边界的块的阈值电压偏移来校准存储器装置的电压分档的实例方法。方法300可通过包含硬件(例如，电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码等)、软件(例如，在处理器上运行以执行硬件模拟的指令)或其组合的处理逻辑来执行。在一些实施例中，方法300由图1的电压分档校准组件113执行。在一个实施方案中，图表310根据本公开的实施例针对所选择读取电平示意性地说明一组电压分档(分档0到分档3)。阈值电压偏移曲线315说明针对所选读取电平，y轴上的阈值电压偏移对x轴上的自块被编程以来经过的时间段的编程后时间(其可关于特定温度进行时间正规化)的依赖性。在一个实施方案中，将在指定时间窗口内编程的存储器装置的块指派到对应于块的编程后时间的电压分档。如上文所述，鉴于损耗均衡可在所有块上保持类似的编程/擦除循环，编程之后经过的时间及存储器装置的温度是影响时间电压移位的主要因素。使用正规化时间考虑温度量变曲线，且因此并入温度信息。因此，假设在特定时间窗口(即，正规化时间窗口)内编程的所有块在存储器单元中展现类似阈值电压分布，且因此可指派到相同电压分档，且可利用相同电压偏移进行读取操作。57.在一个实施方案中，新编程的块可与分档0相关联。然后，存储器子系统控制器可周期性地执行前台或后台校准过程，以便将每一个块的每一裸片与预定义阈值电压分档(图3的说明性实例中的分档0到3)中的一者相关联，其又与要应用于读取操作的电压偏移相关联。块与电压分档及裸片的关联可存储在由存储器子系统控制器维持的相应元数据表中，如本文关于图2更详细解释。图3的阈值电压偏移与单个谷值相关联。阈值电压偏移值沿y轴向下变得更负，其对应于更高scl。对于每一电压分档，单独阈值电压偏移可被指派到每一谷值。58.如由图3示意性地说明，图表310可细分为多个电压分档320，使得每一电压分档对应于基于电压分档的tap的对应范围的阈值电压偏移的预定范围。虽然图3的说明性实例定义四个电压分档，但在其它实施方案中，可采用各种其它数目个电压分档(例如，10个分档)。基于周期性执行的校准过程，存储器子系统控制器将每一个块的每一裸片与电压分档相关联，其定义待应用于基本电压读取电平的一组阈值电压偏移，以便执行块的数据的读取操作，如下文更详细描述。59.图3的图表325说明通过基于接近电压分档之间的过渡边界的块的阈值电压偏移而将阈值电压偏移指派到电压分档来校准电压分档的过程。在实施方案中，处理逻辑执行方法300可确定对应于分档1与分档2之间的过渡边界的编程后时间(tap)330。在实施方案中，tap 330可为自编程块以来经过的时间的特定值。在其它实施方案中，tap 330可为值的范围，使得具有在tap 330范围内的tap值的块可从电压分档1过渡到电压分档2。60.在某些实施方案中，处理逻辑可确定指派到电压分档1的一组块，其正在接近电压分档1与电压分档2之间的边界tap 330。作为实例，处理逻辑可确定具有在距tap 330预定距离内的tap值的所述一组块。当确定接近对应于tap 330的过渡边界的所述一组块时，处理逻辑可确定对于所确定一组块的读取操作有效的阈值电压偏移，以用作电压分档2的所选择读取电平的初始阈值电压偏移。在实施方案中，可通过对存储在所述一组块处的数据执行读取操作且确定导致读取操作的最小位错误率的一组阈值电压偏移来确定所述一组块的一组有效阈值电压偏移(每一谷值一个有效阈值电压偏移)。当确定所述一组块的所述一组阈值电压偏移时，处理逻辑可将所确定阈值电压偏移组指派为电压分档2的所选择读取电平的阈值电压偏移的初始值。在实施方案中，处理逻辑接着可将块指派到电压分档2，且可利用阈值电压偏移的初始值来执行与所选择读取电平相关联的新指派的块的读取操作。对于每一电压分档，所述一组读取偏移包含每谷值一个偏移，例如tlc字线的7个偏移。页面读取对应于不同谷值，且因而可使用对应读取偏移。用于确定所述一组读取偏移的读取操作可使用不同页面类型来覆盖所有谷值。61.类似地，处理逻辑可确定对应于电压分档2与电压分档3之间的过渡边界的tap 340。在实施方案中，tap 340可为自对块进行编程以来经过的时间的特定值。在其它实施方案中，tap 340可为值的范围，使得具有在tap 340范围内的tap值的块可从电压分档2过渡到电压分档3。在某些实施方案中，处理逻辑可确定指派到电压分档2的一组块，其正在接近电压分档2与电压分档3之间的边界tap 340。作为实例，处理逻辑可确定具有在距tap 340预定距离内的tap值的所述一组块。当确定接近对应于tap 340的过渡边界的所述一组块时，处理逻辑可确定对于所确定一组块的读取操作有效的一组阈值电压偏移，以用作电压分档3的所选择读取电平的一组初始阈值电压偏移。当确定所述一组块的所述一组阈值电压偏移时，处理逻辑可将所确定阈值电压偏移组指派为电压分档3的所选择读取电平的阈值电压偏移的初始值。在实施方案中，处理逻辑接着可将块指派到电压分档3，且可利用阈值电压偏移的初始值来执行与所选择读取电平相关联的新指派的块的读取操作。62.图4说明根据本公开的一或多个方面的通过将电压分档的阈值电压偏移调整为在阈值电压偏移的范围内来校准存储器装置的电压分档的实例方法400。方法400可通过包含硬件(例如，电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码等)、软件(例如，在处理器上运行以执行硬件模拟的指令)或其组合的处理逻辑来执行。在一些实施例中，方法400由图1的电压分档校准组件113执行。在一个实施方案中，图表410根据本公开的实施例针对所选择读取电平示意性地说明一组电压分档(分档0到分档3)。在一个实施方案中，将已在指定时间窗口内编程的存储器装置的块指派到对应于块的编程后时间的电压分档0到3。63.如由图4示意性地说明，图表410可细分为多个电压分档0到3，使得每一电压分档对应于基于针对每一谷值的电压分档的tap的对应范围的阈值电压偏移的预定范围。虽然图4的说明性实例定义四个电压分档，但在其它实施方案中，可采用各种其它数目个电压分档(例如，10个分档)。在某些实施方案中，初始阈值电压偏移值可被指派到每一电压分档0到3的所选择读取电平，且存储器装置的块可基于块的有效阈值电压偏移及/或块的tap而被指派到电压分档分档0到3中的一者。64.在某些实施方案中，处理逻辑可执行电压分档校准以调整电压分档的阈值电压偏移，例如以适应存储器装置的裸片到裸片变化。另一方面，由于阈值电压偏移相对于tap的非线性，如图表410上对应于单个谷值所见，有效阈值电压偏移也不是电压分档内tap的线性函数。因此，在基于当前指派到电压分档的块来执行分档电压校准时，存在从电压分档内的较大tap选择用于校准过程的更多统计块样本的趋势，因此致使经校准阈值电压偏移朝向电压分档内的较高tap移位。使阈值电压偏移移位可导致新指派到电压分档的块的读取操作效率较低。为减轻由于校准而导致的电压分档0到3的阈值电压偏移中的显著移位，处理逻辑可限制校准期间阈值电压偏移的调整，使得经调整阈值电压偏移不超过预定电压阈值415。在此情况下，如果分档2的经校准阈值电压偏移超过阈值电压415，那么处理逻辑可将分档1的经校准阈值电压偏移的值设置为预定电压阈值415。在实施方案中，电压阈值415大约可在分档1的阈值电压偏移的范围内的中间，因此为分档1的新指派的块以及较旧块提供改进读取效率。65.图5是根据本公开的一些实施例的支持用于存储器装置的块的读取操作电压偏移与分档确定电压偏移分离的实例方法的流程图。方法500可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，方法500由图1的电压分档校准组件113执行。尽管以特定序列或顺序展示，除非另有指定，否则可修改操作的顺序。因此，所说明实施例应仅被理解为实例，并且所说明操作可以不同顺序执行，而一些操作可并行执行。另外，在一些实施例中可省略一或多个操作。因此，并非在每一个实施例中都需要所有所说明操作，并且其它过程流程是可能的。66.在操作510处，处理逻辑识别存储器装置的一组电压分档中的电压分档的一组读取电平中的读取电平。在一个实施方案中，所述一组读取电平对应于存储器单元的谷值之间的数据状态，且读取电平的数目基于存储器装置的类型来确定，如上文更详细解释。67.在操作520处，处理逻辑将第一阈值电压偏移指派到电压分档的读取电平。在一个实施方案中，第一阈值电压偏移可为读取操作阈值电压偏移，其可用于执行存储在指派到对应读取电平处的电压分档的块处的数据的读取操作，如上文更详细解释。68.在操作530处，处理逻辑将第二阈值电压偏移指派到电压分档的读取电平。在实施方案中，第二阈值电压偏移可为分档确定阈值电压偏移，其可用于确定待指派到对应读取电平处的存储器装置的块的电压分档，如上文更详细解释。69.在操作540处，处理逻辑对存储在与读取电平相关联的块中的数据执行读取操作。使用指派到块的电压分档的读取操作阈值电压偏移来执行读取操作。在一个实施方案中，电压分档包含一组读取操作阈值电压偏移，每一偏移对应于某个读取电平，且在执行块的读取操作时，处理逻辑选择与匹配块的读取电平的读取电平相关联的读取操作阈值电压偏移。70.在操作550处，处理逻辑对与某个读取电平相关联的块执行分档确定操作。分档确定操作提供待指派到存储器装置的电压分档中的电压分档的块。处理逻辑使用每一电压分档的分档确定阈值电压偏移来执行块的读取操作，且接着确定对应具有最小位错误率的读取操作的电压分档，如上文更详细解释。所确定电压分档接着可被指派到块。71.图6是根据本公开的一或多个方面的使用电压分档的读取操作阈值电压偏移来执行读取操作及使用电压分档的分档确定阈值电压偏移来执行分档确定操作的实例方法的流程图。方法600可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，方法600由图1的电压分档校准组件113执行。尽管以特定序列或顺序展示，除非另有指定，否则可修改操作的顺序。因此，所说明实施例应仅被理解为实例，并且所说明操作可以不同顺序执行，而一些操作可并行执行。另外，在一些实施例中可省略一或多个操作。因此，并非在每一个实施例中都需要所有所说明操作，并且其它过程流程是可能的。72.在操作610处，处理逻辑在存储器装置处接收执行某个操作类型的存储器存取操作的请求，其中存储器存取操作与待在其上执行存储器存取操作的一组块相关联。在实施方案中，存储器存取操作可为与读取操作请求一起提供的所述一组块的读取操作。73.在操作620处，处理逻辑识别对应于所述一组块的电压分档。在一个实施方案中，处理逻辑可存取元数据表，以识别指派到待在其上执行读取操作的所述一组块的电压分档。作为实例，待在其上执行单个读取操作的所述一组块可被指派到单个电压分档。74.在操作630处，处理逻辑使用与电压分档相关联的读取操作阈值电压偏移来执行存储在所述一组块处的数据的读取操作。在一个实施方案中，可校准读取操作阈值电压偏移以维持指派到电压分档的所述一组块的有效读取操作，如上文更详细解释。75.在操作640处，处理逻辑在存储器装置处接收执行另一操作类型的第二存储器存取操作的第二请求，其中第二存储器存取操作与待在其上执行第二存储器存取操作的另一组块相关联。在实施方案中，第二存储器存取操作可为分档确定操作，以将所述一组块中的每一块指派到存储器装置的所述一组电压分档中的电压分档。76.在操作650处，处理逻辑基于第二组块识别存储器装置的所述一组电压分档中的电压分档。在实施方案中，第二组块可已经被指派到电压分档，且分档确定操作用于将第二组模块重新指派到另一电压分档。77.在操作660处，处理逻辑执行分档确定操作以确定待指派到第二组块的电压分档。在实施方案中，处理逻辑可对存储在第二组块处的数据执行一组读取操作，使得每一读取操作使用来自电压分档中的一者的分档确定阈值电压偏移。处理逻辑接着确定导致具有最小位错误率的读取操作的电压分档，且将第二组块指派到所确定电压分档，如上文更详细解释。78.图7说明根据本公开的一或多个方面的基于电压分档的分档确定阈值电压偏移的位错误率测量将存储器装置的块指派到电压分档的实例方法。方法700可通过包含硬件(例如，电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码等)、软件(例如，在处理器上运行以执行硬件模拟的指令)或其组合的处理逻辑来执行。在一些实施例中，方法700由图1的电压分档校准组件113执行。在一个实施方案中，可将与读取电平1相关联的存储器装置的块指派到电压分档710中的一者。可基于对应于电压分档的读取电平1处的分档确定阈值电压偏移的原始位错误率(rber)测量来选择用于指派块的电压分档，使得选择导致最小rber的电压分档。rber可定义为测量错误位的数目与存储在存储器子系统的数据单位中的所有数据位的数目的比率的可靠性度量。79.在操作715处，处理逻辑执行方法700使用对应于分档0的读取电平1的分档确定阈值电压偏移来执行读取电平1处的块的读取操作。分档0可包含对应于存储器装置的对应存储器单元的数据状态之间的谷值的一组读取电平。处理逻辑接着选择分档0的读取电平1的分档确定阈值电压偏移以执行存储在与读取电平1相关联的块处的数据的读取操作。处理逻辑接着使用分档0的阈值电压偏移基于读取操作的结果来确定rber 0。80.在操作720处，处理逻辑使用对应于分档1的读取电平1的分档确定阈值电压偏移来执行读取电平1处的块的读取操作。分档1可包含对应于存储器装置的对应存储器单元的数据状态之间的谷值的一组读取电平。处理逻辑接着选择分档1的读取电平1的分档确定阈值电压偏移以执行存储在与读取电平1相关联的块处的数据的读取操作。处理逻辑接着可使用分档1的阈值电压偏移基于读取操作的结果来确定rber 1。81.类似地，在操作725处，处理逻辑使用对应于分档2的读取电平1的分档确定阈值电压偏移来执行读取电平1处的块的读取操作，且使用分档2的阈值电压偏移基于读取操作的结果来确定rber 2。在操作730处，处理逻辑使用对应于分档3的读取电平1的分档确定阈值电压偏移来执行读取电平1处的块的读取操作，且使用分档3的阈值电压偏移基于读取操作的结果来确定rber 3。82.在操作740处，处理逻辑比较分档0的rber 0、分档1的rber 1、分档2的rber2及分档3的rber 3以识别最小rber。对应于最小rber的电压分档可被指派到给定块。在实施方案中，块可被指派到读取电平1处的电压分档，且读取电平、块及电压分档之间的关联可存储在元数据表处，如本文关于图2更详细解释。83.图8说明根据本公开的一或多个方面的支持存储器装置的每一电压分档的读取操作阈值电压偏移及分档确定阈值电压偏移的实例方法。方法800可通过包含硬件(例如，电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码等)、软件(例如，在处理器上运行以执行硬件模拟的指令)或其组合的处理逻辑来执行。在一些实施例中，方法800由图1的电压分档校准组件113执行。在一个实施方案中，图表810根据本公开的实施例针对所选择读取电平示意性地说明一组电压分档(分档0到分档3)。读取操作阈值电压偏移曲线820及分档确定阈值电压偏移曲线830说明针对所选择读取电平，y轴上的阈值电压偏移对x轴上的编程后时间(自块被编程以来经过的时间段)的依赖性。在一个实施方案中，可基于将每一块的阈值电压偏移与电压分档的对应分档确定阈值电压偏移匹配而将存储器装置的块指派到电压分档。块的阈值电压偏移可为对应于块的读取操作的最小位错误率的阈值电压偏移。当块被指派到电压分档时，可使用指派到块的电压分档的读取操作阈值电压偏移来执行存储在块处的数据的后续读取操作。84.在一个实施方案中，新编程的块可与分档0相关联。然后，存储器子系统控制器可周期性地执行前台或后台校准过程，以便将每一个裸片的每一块与预定义阈值电压分档(图8的说明性实例中的分档0到3)中的一者相关联，其又与要应用于读取操作的电压偏移相关联。块与电压分档及裸片的关联可存储在由存储器子系统控制器维持的相应元数据表中，如本文关于图2更详细解释。85.如由图8示意性地说明，图表810可细分为多个电压分档，使得每一电压分档对应于基于电压分档的tap的对应范围的读取操作阈值电压偏移的预定范围及分档确定阈值电压偏移的预定值。虽然图8的说明性实例定义四个电压分档，但在其它实施方案中，可采用各种其它数目个电压分档(例如，10个分档)。基于周期性执行的校准过程，存储器子系统控制器将每一个裸片的每一块与电压分档相关联，其定义待应用于基本电压读取电平的一组读取操作阈值电压偏移及分档确定阈值电压偏移，以便执行块的读取操作及/或分档确定操作，如上文更详细描述。86.在实施方案中，例如在确定导致块的数据的有效读取操作的阈值电压偏移与分档确定阈值电压偏移826匹配之后，可基于分档确定阈值电压偏移826将存储器装置的块指派到分档1。当块被指派到分档1时，处理逻辑执行方法800可使用读取操作阈值电压偏移825a来执行块的读取操作。87.在一个实施方案中，在被指派到分档1的块积累tap时，分档1的读取操作阈值电压偏移可继续从读取操作阈值电压偏移825a逐渐更新为读取操作阈值电压偏移825b，以便维持块的有效读取操作。因此，当块接近分档1与分档2之间的边界时，可使用读取操作阈值电压偏移825b来执行块的读取操作，而新指派到分档1的块可基于分档确定阈值电压偏移826而继续被指派，而不管新块的对应tap。88.类似地，对于指派到分档2及分档3的块，处理逻辑可为了分档确定目的而利用来自分档确定阈值电压偏移图表830的对应分档确定阀值电压偏移。针对指派到分档2及分档3的块的读取操作目的，处理逻辑可利用来自读取操作阈值电压偏移图表820的对应读取操作阈值电压偏移。89.图9说明计算机系统900的实例机器，在计算机系统900内可执行用于致使所述机器执行本文所论述的方法论中的任一或多者的一组指令。在一些实施例中，计算机系统900可对应于主机系统(例如，图1的主机系统120)，其包含、耦合到或利用存储器子系统(例如，图1的存储器子系统110)，或者可用以执行控制器的操作(例如，执行操作系统以执行对应于图1的电压分档校准组件113的操作)。在替代实施例中，所述机器可连接(例如，联网)到lan、内联网、外联网及/或因特网中的其它机器。所述机器可在客户端-服务器网络环境中以服务器或客户端机器的身份操作，在对等(或分布式)网络环境中作为对等机器操作，或在云计算基础设施或环境中作为服务器或客户端机器操作。90.机器可为个人计算机(pc)、平板pc、机顶盒(stb)、个人数字助理(pda)、蜂窝电话、网络器械、服务器、网络路由器、交换机或网桥或能够执行指定待由所述机器采取的动作的一组指令(循序或以其它方式)的任何机器。此外，虽然说明单个机器，但是术语“机器”也应被认为包含个别地或联合地执行一组(或多组)指令以执行本文所论述的方法论中的任一或多者的任何机器集合。91.实例计算机系统900包含处理装置902、主存储器904(例如，只读存储器(rom)、快闪存储器、动态随机存取存储器(dram)，例如同步dram(sdram)或rambus dram(rdram)等)、静态存储器906(例如，快闪存储器、静态随机存取存储器(sram)等)及数据存储器装置918，其经由总线930彼此通信。92.处理装置902表示一或多个通用处理装置，例如微处理器、中央处理单元或类似者。更特定来说，处理装置可为复杂指令集计算(cisc)微处理器、精简指令集计算(risc)微处理器、超长指令字(vliw)微处理器，或实施其它指令集的处理器，或实施指令集的组合的处理器。处理装置902也可为一或多个专用处理装置，例如专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)、数字信号处理器(dsp)、网络处理器或类似者。处理装置902经配置以执行用于执行本文所论述的操作及步骤的指令926。计算机系统900可进一步包含用于通过网络920进行通信的网络接口装置908。93.数据存储系统918可包含机器可读存储媒体924(也称为计算机可读媒体)，在其上存储体现本文所描述的方法论或功能中的任一者或多者的一或多组指令926或软件。指令926在由计算机系统900执行期间也可全部或至少部分地驻留在主存储器904内及/或处理装置902内，主存储器904及处理装置902也构成机器可读存储媒体。机器可读存储媒体924、数据存储系统918及/或主存储器904可对应于图1的存储器子系统110。94.在一个实施例中，指令926包含实施对应于图1的电压分档校准组件113的功能性的指令。尽管在实例实施例中将机器可读存储媒体924展示为单个媒体，但是术语“机器可读存储媒体”应被认为包含存储一或多组指令的单个媒体或多个媒体。术语“机器可读存储媒体”也应被认为包含能够存储或编码一组指令以供机器执行并且致使机器执行本公开的方法论中的任一者或多者的任何媒体。因此，术语“机器可读存储媒体”应被认为包含(但不限于)固态存储器、光学媒体及磁性媒体。95.已根据对计算机存储器内的数据位的操作的算法及符号表示来呈现前述详细描述的一些部分。这些算法描述及表示是数据处理领域的技术人员用来最有效地向所属领域的其它技术人员传达他们工作实质的方式。此处，算法通常被认为是导致所期望结果的自洽操作序列。所述操作是需要对物理量进行物理操纵的操作。通常但不是必须的，这些量采用能够被存储、组合、比较及以其它方式操纵的电或磁性信号的形式。主要出于通用的原因，将这些信号称为位、值、元素、符号、字符、项目、数字或类似者有时被证明是方便的。96.然而，应记住，所有这些及类似术语均与适当物理量相关联且仅仅是应用于这些量的方便标签。本公开可涉及计算机系统或类似电子计算装置的动作及过程，其将在计算机系统寄存器及存储器内表示为物理(电子)量的数据操纵及转换成在计算机系统存储器或寄存器或其它此类信息存储系统内类似地表示为物理量的其它数据。97.本公开还涉及一种用于执行本文的操作的设备。这个设备可出于预期目的而专门构建，或其可包含由存储在计算机中的计算机程序选择性地激活或重新配置的通用计算机。此计算机程序可存储在计算机可读存储媒体中(例如但不限于任何类型的磁盘，包含软盘、光盘、cd-rom及磁光盘、只读存储器(rom)、随机存取存储器(ram)、eprom、eeprom、磁卡或光卡，或者适于存储电子指令的任何类型的媒体，每一磁盘均耦合到计算机系统总线)。98.本文所呈现的算法及显示并非固有地与任何特定计算机或其它设备相关。各种通用系统可与根据本文的教示的程序一起使用，或可证明构建更专门的设备来执行所述方法是方便的。多种这些系统的结构将如下文描述中所阐述那样出现。另外，本公开未参考任何特定编程语言进行描述。将明白，可使用多种编程语言来实施如本文所描述的本公开的教示。99.本公开可作为计算机程序产品或软件提供，所述计算机程序产品或软件可包含其上存储有指令的机器可读媒体，可用来对计算机系统(或其它电子装置)进行编程以执行根据本公开的过程。机器可读媒体包含用于以机器(例如，计算机)可读的形式存储信息的任何机构。在一些实施例中，机器可读(例如，计算机可读)媒体包含机器(例如，计算机)可读存储媒体，例如只读存储器(“rom”)、随机存取存储器(“ram”)、磁盘存储媒体、光学存储媒体、快闪存储器组件等。100.在前述说明书中，本公开的实施例已参考其特定实例实施例进行描述。将显而易见的是，可在不脱离如所附权利要求书中所阐述的本公开的实施例的更广泛精神及范围的情况下对本公开进行各种修改。因此，说明书及附图应被视为具说明性意义而非限制性意义。