双模式铁电存储器单元的操作的制作方法

涉及双模式铁电存储器单元的操作。

背景技术：

1、下文大体上涉及操作存储器阵列，且更明确来说，涉及双模式铁电存储器单元的操作。

2、存储器装置广泛用于存储各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者)中的信息。信息是通过对存储器装置的不同状态进行编程而予以存储。例如，二进制装置具有通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示的两个状态。在其它系统中，可存储两个以上状态。为存取所述经存储信息，所述电子装置的组件可读取或感测所述存储器装置中的经存储状态。为存储信息，所述电子装置的组件可写入所述存储器装置中的状态或对所述存储器装置中的状态进行编程。

3、存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻性ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)及其它。存储器装置可为易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如，feram)即使在不存在外部电源的情况下仍可维持其存储的逻辑状态达延长时间段。易失性存储器装置(例如，dram)可随时间丢失其存储的状态，除非其通过外部电源周期性刷新。feram可使用类似于易失性存储器的装置架构但可因为使用铁电电容器作为存储装置而具有非易失性性质。feram装置可因此与其它非易失性及易失性存储器装置相比而具有改进的性能。

4、改进存储器装置通常可包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度、提高可靠性、增加数据保持、降低电力消耗或降低制造成本等等。在一些情况中，可存在用于易失性数据存储及非易失性数据存储的不同存储器技术。在一些实例中，铁电存储器装置可经配置而以非易失性模式或易失性模式操作，但无法在所述两者之间动态交替。例如，当铁电存储器装置以易失性模式操作时，非易失性数据存储不会发生。类似地，当铁电存储器装置以非易失性模式操作时，易失性数据存储不会发生。非易失性模式中所执行的操作可需要更多时间，且易失性模式中所执行的操作可在功率变化期间丢失内容。当非易失性模式优于易失性模式时，这些问题可减缓或破坏存储器单元的操作，或反之亦然。

技术实现思路

1、一种方法，其包含：以非易失性模式操作存储器阵列的铁电存储器单元；在以所述非易失性模式操作所述铁电存储器单元时起始第一命令；及至少部分基于所述第一命令以易失性模式操作所述铁电存储器单元。

2、一种方法，其包含：在以非易失性模式操作存储器阵列的铁电存储器单元时起始第一命令；至少部分基于所述第一命令感测所述铁电存储器单元的第一逻辑状态；将所述经感测的第一逻辑状态存储于与所述铁电存储器单元相关联的存储组件中；及在所述存储之后以易失性模式操作所述铁电存储器单元。

3、一种电子存储器设备，其包含：第一铁电存储器单元，其在存储器阵列的第一部分中；晶体管，其耦合到所述第一铁电存储器单元；及控制器，其与所述晶体管及感测组件电子通信。所述存储器控制器可经配置以：在所述第一铁电存储器单元处于非易失性模式中时起始对所述第一铁电存储器单元的命令；至少部分基于所述命令而感测存储于所述第一铁电存储器单元中的逻辑状态；至少部分基于所述感测而将所述逻辑状态存储于所述存储器阵列的感测组件中；及至少部分基于存储所述逻辑状态而以易失性模式操作所述第一铁电存储器单元。

4、一种电子存储器设备，其包含：第一铁电存储器单元，其在存储器阵列的第一部分中；晶体管，其耦合到所述第一铁电存储器单元；及控制器，其与所述晶体管及感测组件电子通信。所述控制器可经配置以：在所述第一铁电存储器单元处于易失性模式中时起始对所述第一铁电存储器单元的命令；至少部分基于所述命令而感测存储于所述第一铁电存储器单元中的逻辑状态；至少部分基于所述感测而将所述逻辑状态存储于所述存储器阵列的感测组件中；及至少部分基于存储所述逻辑状态而以非易失性模式操作所述第一铁电存储器单元。

5、一种电子存储器设备，其包含：第一铁电存储器单元，其经配置而以易失性操作模式及非易失性操作模式操作，所述第一铁电存储器单元在存储器阵列的第一部分中；晶体管，其耦合到所述第一铁电存储器单元；感测组件，其与所述第一铁电存储器单元电子通信；及开关，其与所述第一铁电存储器单元电子通信，所述开关经配置以选择与所述非易失性操作模式相关联的第一单元板或与所述易失性操作模式相关联的第二单元板。

技术特征：

1.一种存储器装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述处理电路进一步经配置以致使所述存储器装置：

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述处理电路进一步经配置以致使所述存储器装置：

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中：

5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中：

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述参考电压包括与以所述易失性模式操作所述存储单元相关联的第一参考电压，或与以所述非易失性模式操作所述存储器单元相关联的第二参考电压。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述处理电路进一步经配置以致使所述存储器装置：

8.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述处理电路进一步经配置以致使所述存储器装置：

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述处理电路进一步经配置以致使所述存储器装置：

10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述处理电路进一步经配置以致使所述存储器装置：

11.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述处理电路进一步经配置以致使所述存储器装置：

12.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述处理电路进一步经配置以致使所述存储器装置：

13.一种非易失性计算机可读媒体，其存储有代码，所述代码包括能够由一或多个处理器执行的指令以：

14.根据权利要求13所述的非易失性计算机可读媒体，其中所述指令能够由所述一或多个处理器进一步执行以：

15.根据权利要求13所述的非易失性计算机可读媒体，其中所述指令能够由所述一或多个处理器进一步执行以：

16.根据权利要求13所述的非易失性计算机可读媒体，其中所述参考电压包括与以所述易失性模式操作所述存储单元相关联的第一参考电压，或与以所述非易失性模式操作所述存储器单元相关联的第二参考电压。

17.根据权利要求16所述的非易失性计算机可读媒体，其中所述指令能够由所述一或多个处理器进一步执行以：

18.根据权利要求16所述的非易失性计算机可读媒体，其中所述指令能够由所述一或多个处理器进一步执行以：

19.根据权利要求13所述的非易失性计算机可读媒体，其中所述指令能够由所述一或多个处理器进一步执行以：

20.一种通过存储装置的方法，其包括：

技术总结本申请案涉及双模式铁电存储器单元的操作。本发明描述用于双模式铁电存储器单元的操作的方法、系统及装置。存储器阵列或所述阵列的部分可以易失性模式及非易失性模式不同地操作。例如，存储器单元可以非易失性模式操作且接着在所述单元以所述非易失性模式操作时通过控制器起始的命令之后以易失性模式操作。所述存储器单元可以所述易失性模式操作且接着在后续命令之后以所述非易失性模式操作。在一些实例中，所述存储器阵列的一个存储器单元可以所述非易失性模式操作而所述存储器阵列的另一个存储器单元以所述易失性模式操作。技术研发人员：D·维梅尔卡蒂受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/2/1