操作记忆体单元的方法与流程

本揭露是有关于一种操作记忆体单元的方法。

背景技术：

1、半导体集成电路(semiconductor integrated circuit，ic)行业已经历指数生长。ic材料及设计的技术进步已产生数代ic，其中每一代相较于先前一代具有更小且更复杂的电路。在ic演进过程中，功能密度(亦即，每晶片区域的互连装置的数目)通常已增大，同时几何大小(亦即，可使用制造工艺产生的最小元件(或线路))已被减低。此按比例缩小工艺通过增大生产效率并减低关联成本来提供益处。此按比例缩小亦已增大了处理及制造ic的复杂性，且对于待实现的这些进步，需要ic处理及制造上的类似发展。

技术实现思路

1、一种操作记忆体单元的方法包括以下步骤。使用第一电压对记忆体单元执行第一多个偏压操作，其中记忆体单元包含可变电阻图案，且第一多个偏压操作的每一循环的第一电压具有相同的第一极性。判定记忆体单元是否到达疲劳临限值。在判定步骤判定记忆体单元达到疲劳临限值之后，使用第二电压对记忆体单元执行第二多个偏压操作，其中第二多个偏压操作的每一循环的第二电压具有相同的第二极性，且第二极性与第一极性相反。

2、一种操作记忆体单元的方法包括以下步骤。使记忆体单元循环，直至记忆体单元使用第一正偏压操作而疲劳。记忆体单元包含：底部电极、底部电极上方的可变电阻图案及可变电阻图案上方的顶部电极。使用第一负偏压操作使记忆体单元恢复。

3、一种方法包括以下步骤。使用第一单极偏压操作来操作记忆体单元，其中记忆体单元包含反铁电材料，反铁电材料具有多个反铁电正单极域及多个反铁电负单极域，且其中氧空位在执行第一单极偏压操作之后积聚于多个反铁电负单极域中。将多个反铁电负单极域中的氧空位重新分布至多个反铁电正单极域。

技术特征：

1.一种操作一记忆体单元的方法，其特征在于，包含以下步骤：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第一极性为正，且该第二极性为负。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第一极性为负，且该第二极性为正。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第二电压具有不大于该第一电压的一幅值的一幅值。

5.一种操作一记忆体单元的方法，其特征在于，包含以下步骤：

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，其中该记忆体单元的该可变电阻图案包含一反铁电材料。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，其中该记忆体单元的该反铁电材料包含hf1-xzrxo2，且x是在大于0.5与小于1的一范围内。

8.一种操作一记忆体单元的方法，其特征在于，包含以下步骤：

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，其中操作该记忆体单元及重新分布所述多个氧空位的步骤使用多个相反电压执行。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，其中重新分布所述多个氧空位的步骤使用一正电压执行。

技术总结一种操作一记忆体单元的方法包括以下步骤。使用一第一电压对该记忆体单元执行第一多个偏压操作，其中该记忆体单元包含一可变电阻图案，且所述第一多个偏压操作的每一循环的该第一电压具有一相同的第一极性。判定该记忆体单元是否到达一疲劳临限值。在该判定步骤判定该记忆体单元达到该疲劳临限值之后，使用一第二电压对该记忆体单元执行第二多个偏压操作，其中所述第二多个偏压操作的每一循环的该第二电压具有一相同的第二极性，且该第二极性与该第一极性相反。技术研发人员：向国瑜,李敏鸿受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/3/17