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或非非挥发性记忆体装置、非挥发性记忆体装置及其制造方法与流程
本揭露的一些实施例大体上是关于记忆体装置，且更特别地是关于嵌入式应用中所采用的用于非挥发性记忆体(non-volatile memory，nvm)的新式储存栅极鳍式场效晶体管(fin-field ef......
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单次编程记忆体电路、单次编程记忆体及其操作方法与流程
本发明是有关于一种储存电路及其操作方法，且特别是有关于一种单次编程记忆体电路、单次编程记忆体及其操作方法。背景技术：1、传统一晶体管一电阻器(1t1r)的单次编程记忆体，需要较细长的弯曲金属丝及较大的......
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记忆体阵列的制作方法
本揭露是关于一种记忆体阵列，特别是关于一种包含多个记忆体单元的记忆体阵列。背景技术：1、归因于各种电子部件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的整合密度的连续改善，半导体工业已经历快速增长。在很......
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记忆体装置的制作方法
本揭示的一实施例是关于一种记忆体装置，特别是关于一种具有驱动电路的记忆体装置。背景技术：1、电子装置(如计算机、可携式设备、智能手机、物联网(internet of thing,iot)装置等)的发展......
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操作记忆体单元的方法与流程
本揭露是有关于一种操作记忆体单元的方法。背景技术：1、半导体集成电路(semiconductor integrated circuit，ic)行业已经历指数生长。ic材料及设计的技术进步已产生数代ic......
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记忆体装置的制作方法
本揭示案是关于一种记忆体装置，特别是关于一种具可变电容值的负电压线的一种记忆体装置。背景技术：1、在静态随机存取记忆体(static random access memory，sram)设计中，高密度......
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记忆体装置、感测放大器系统以及记忆体阵列操作方法与流程
本揭露的实施例是关于一种记忆体装置、感测放大器系统以及记忆体阵列操作方法，特别是关于一种包含感测放大器的记忆体装置、感测放大器系统以及记忆体阵列操作方法。背景技术：1、一种通用类型的集成电路记忆体是静......
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记忆体装置的制作方法
由于各种电子元件(如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的整合密度不断提高，半导体行业经历了快速增长。在很大程度上，整合密度的提高来自于最小特征尺寸的反复减少，这允许将更多元件整合到给定区域中。背景技术......
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一次性可编程记忆体及半导体装置的制作方法
本揭示案是关于一种一次性可编程记忆体及半导体装置，特别是关于一种包含多个记忆体单元的一次性可编程记忆体及半导体装置。背景技术：1、可对一次性可编程(one-time-programmable,otp)......
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