一次性可编程记忆体及半导体装置的制作方法

本揭示案是关于一种一次性可编程记忆体及半导体装置，特别是关于一种包含多个记忆体单元的一次性可编程记忆体及半导体装置。

背景技术：

1、可对一次性可编程(one-time-programmable,otp)记忆体进行一次编程，以将数据永久储存于半导体装置中。举例而言，otp记忆体可包括电熔丝(efuse)。电熔丝在编程时可提供较低的电阻。

技术实现思路

1、本揭示案的一实施例提供一种一次性可编程记忆体，其包含多个位元线、多个字线及多个记忆体单元。记忆体单元中的每一记忆体单元包含第一端子、第二端子及选择器。第一端子耦接至位元线中的一位元线。第二端子耦接至字线中的一字线。选择器耦接于第一端子与第二端子之间，且具有由电流改变的阈值电压。

2、本揭示案的另一实施例提供一种一次性可编程记忆体，包括多个记忆体单元，记忆体单元中的每一记忆体单元包含第一端子、第二端子及连接于第一端子与第二端子之间的选择器。回应于记忆体单元中的所选择记忆体单元的第一端子接收第一写入电压，且所选择记忆体单元的第二端子接收第二写入电压，所选择记忆体单元的选择器的阈值电压自第一阈值降低至第二阈值，其中第一写入电压与第二写入电压的差大于第一阈值。回应于所选择记忆体单元的第一端子接收第一读取电压，且第二端子接收第二读取电压，所选择记忆体单元用以被感测逻辑状态，其中第一读取电压与第二读取电压的差小于第一阈值且大于第二阈值。

3、本揭示案的另一实施例提供一种半导体装置，其包含记忆体装置及一次性可编程记忆体。记忆体装置包含多个记忆体装置记忆体单元，记忆体装置记忆体单元中的每一记忆体装置记忆体单元包含记忆体装置选择器。一次性可编程记忆体包含多个记忆体单元，记忆体单元中的每一记忆体单元包含与记忆体装置选择器基本上相同的选择器。

技术特征：

1.一种一次性可编程记忆体，其特征在于，其包含：

2.如权利要求1所述的一次性可编程记忆体，其特征在于，其中该一次性可编程记忆体包括一半导体装置的一电熔丝记忆体，该半导体装置包括与该电熔丝记忆体相关的相关记忆体。

3.如权利要求1所述的一次性可编程记忆体，其特征在于，其中该选择器包含一二极管或一双向阈值开关中的一者，该双向阈值开关包括一相变材料层。

4.如权利要求1所述的一次性可编程记忆体，其特征在于，其中该记忆体单元进一步包括一电阻元件，该电阻元件与该第一端子与该第二端子之间的该选择器串联耦接，且具有能够通过一电流改变的一电阻。

5.如权利要求1所述的一次性可编程记忆体，其特征在于，其进一步包含：

6.一种一次性可编程记忆体，其特征在于，包括：

7.如权利要求6所述的一次性可编程记忆体，其特征在于，还包含：

8.如权利要求6所述的一次性可编程记忆体，其特征在于，其中所述多个记忆体单元中的每一记忆体单元进一步包含与该第一端子与该第二端子之间的该选择器串联耦接的一电阻元件；

9.一种半导体装置，其特征在于，其包含：

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，其中所述多个记忆体装置记忆体单元中的每一记忆体装置记忆体单元进一步包括与该记忆体装置选择器串联连接的一记忆体装置电阻元件，该一次性可编程记忆体中的所述多个记忆体单元中的每一记忆体单元进一步包含与该选择器串联连接且与该记忆体装置电阻元件基本上相同的一电阻元件。

技术总结一种一次性可编程(one‑time programmable,OTP)记忆体及半导体装置，一次性可编程记忆体包括多个位元线、多个字线及多个记忆体单元，多个记忆体单元中的每一记忆体单元包含耦接至多个位元线中的一位元线的第一端子、耦接至多个字线中的一字线的第二端子以及耦接于第一端子与第二端子之间且具有可通过电流改变的阈值电压的选择器。技术研发人员：张国彬,黄国钦受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：20230427技术公布日：2024/1/15