一种增加EEPROM使用寿命的方法与流程
- 国知局
- 2024-07-31 19:12:59
本发明涉及存储设备,尤其涉及一种增加eeprom使用寿命的方法。
背景技术:
1、在嵌入式软件设计中,常常会遇见断电后需要保存部分数据的使用场景,一般会使用eeprom(electrcally erasable programmable read oly memory,带电可擦可编程只读存储器)来实现断电存储功能。但是eeprom的写入和擦除有寿命限制,一般为10万次。如果需要保存的数据较少,只有一个字节,并且如果每次都写入一个的固定地址,那么其他位置的存储空间没有被合理利用,整个eeprom的使用寿命便只有10万次左右。因此需要发明一种用于增加eeprom使用寿命的方法。
技术实现思路
1、本发明的目的是提供一种增加eeprom使用寿命的方法,增加eeprom的写入和擦除寿命限制。
2、本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
3、一种增加eeprom使用寿命的方法,包括以下步骤:
4、在第一次保存新数据前,先将eeprom所有存储单元赋值为初始值,并定义变量addr用于保存地址;
5、在第一次保存数据时,遍历eeprom的所有存储单元,此时所有存储单元中的数据均为初始值,并将addr赋值为变量数值,再将需要保存的数据保存到该addr处;
6、在后续的每一次保存数据时,均先遍历eeprom的存储单元,找出数据不为初始值的地址值,将addr赋值为该地址值,将addr处的存储单元重置为初始值,并将该addr重新赋值为(addr+1)%256,再将需要保存的数据保存到该addr处。
7、进一步地,已保存数据的存储单元不为初始值,用于被读写数据。
8、进一步地,在遍历eeprom中的所有存储单元时,找到的不等于初始值的存储单元,即为上一次保存数据的存储单元。
9、本发明的有益效果:本发明增加eeprom使用寿命的方法,通过合理利用eeprom的所有存储空间,通过循环写入eeprom的每一个存储单元,从而能将eepro的使用寿命提高128倍。
技术特征:1.一种增加eeprom使用寿命的方法,其特征是,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的增加eeprom使用寿命的方法,其特征是,已保存数据的存储单元不为初始值,用于被读写数据。
3.根据权利要求1所述的增加eeprom使用寿命的方法,其特征是,在遍历eeprom中的所有存储单元时,找到的不等于初始值的存储单元,即为上一次保存数据的存储单元。
技术总结本发明提供在第一次保存新数据前,先将EEPROM所有存储单元赋值为初始值,并定义变量addr用于保存地址值;在第一次保存数据时,遍历EEPROM的所有存储单元,此时所有存储单元中的数据均为初始值,并将addr赋值为变量数值,再将需要保存的数据保存到该addr处;在后续的每一次保存数据时,均先遍历EEPROM的存储单元,找出数据不为初始值的地址值,将addr赋值为该地址值,将addr处的存储单元重置为初始值,并将该addr重新赋值为(addr+1)%256,再将需要保存的数据保存到该addr处。本发明增加了EEPROM的写入和擦除的寿命限制。技术研发人员:王进丁,王正中,胡勇杰,朱云飞受保护的技术使用者:昌辉汽车电气系统(安徽)有限公司技术研发日:技术公布日:2024/1/15本文地址:https://www.jishuxx.com/zhuanli/20240731/181888.html
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