闪存读干扰测试方法和系统、电子设备、存储介质与流程

本发明涉及存储产品，尤其是涉及一种闪存读干扰测试方法和系统、电子设备和存储介质。

背景技术：

1、在现代电子信息产业中，存储器作为电子设备中存储数据的载体一直有着非常重要的地位。目前，市场上的存储器主要分为：易失性存储器和非易失性存储器。闪存是一种非易失性存储器，它能够在掉电后长时间保存数据，并且有着数据传输速度快、生产成本低、存储容量大等优点，所以被广泛应用于电子设备之中。

2、闪存的基本操作主要有read(读)、program(写)和erase(擦除)，read和program操作均以闪存内部的page(存储页)为单位，而erase操作则以闪存内部的block(存储块)为单位，一般一个闪存具有多个block，而一个block里包含多个page。对于闪存而言，其通常会存在读干扰(read disturb)现象，即在读取闪存的某个page的数据时，会对同一个block内部的其它page产生干扰，当对某个page读取的次数过多时，会使得其周围的page失效，在读取失效的page时，其ecc个数(即数据翻转比特数)会超过数据纠错单元的纠错能力，从而导致数据丢失。

3、在闪存产品的生产和开发过程中，需要对产品的抗读干扰能力进行测试，从而评估其数据保持能力以及使用寿命。现有的读干扰测试方法，通常是对闪存的所有存储页进行连续读干扰测试，直至测得某个page失效，从而得到闪存的抗读干扰能力。然而，由于闪存的存储页的数量较多，且要导致某个page失效所需的读操作的次数也要很多，这就导致需要对每个存储页分别进行大量的读操作，所需的测试时间较长，测试效率较低。

技术实现思路

1、本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出了一种闪存读干扰测试方法和系统、电子设备和存储介质，能够快速有效地对闪存进行读干扰测试，测试结果可靠。

2、一方面，根据本发明实施例的闪存读干扰测试方法，包括以下步骤：

3、对待测闪存的每个存储页，分别进行第一预设次数的连续读操作；

4、获取每个所述存储页经过第一预设次数的连续读操作后的数据翻转比特数；

5、根据每个所述存储页的数据翻转比特数，选取符合预设条件的第一预设数量的所述存储页，作为待测存储页；

6、对每个所述待测存储页，分别进行连续读操作，直至所述待测闪存存在失效的存储页；

7、根据失效的所述存储页所经历的读干扰的次数，评估所述待测闪存的抗读干扰能力。

8、根据本发明的一些实施例，所述根据每个所述存储页的数据翻转比特数，选取符合预设条件的第一预设数量的所述存储页，作为待测存储页，包括：

9、根据每个所述存储页的数据翻转比特数，选取数据翻转比特数最高的第一预设数量的所述存储页，作为参考存储页；

10、选取每个所述参考存储页相邻的存储页或者是间隔一至两个存储页的存储页，作为所述待测存储页。

11、根据本发明的一些实施例，所述对每个所述待测存储页，分别进行连续读操作，直至所述待测闪存存在失效的存储页，包括：

12、对每个所述待测存储页，分别进行连续读操作；每经历第二预设次数的连续读操作为一个循环；

13、对每个所述待测存储页进行一个循环的读操作后，获取所述待测闪存的所有存储页的数据翻转比特数；

14、根据每个所述存储页的数据翻转比特数与预设值的比较结果，判断是否存在失效的存储页；

15、若不存在失效的存储页，则对每个所述待测存储页进行下一个循环的连续读操作，直至所述待测闪存存在失效的存储页。

16、根据本发明的一些实施例，所述第二预设次数为5000-10000次。

17、根据本发明的一些实施例，所述获取每个所述存储页经过第一预设次数的连续读操作后的数据翻转比特数的步骤之后，还包括：

18、生成第一表格；所述第一表格用于显示每个所述存储页经过第一预设次数的连续读操作后对应的数据翻转比特数。

19、根据本发明的一些实施例，所述生成第一表格的步骤之后，还包括：

20、比较每个所述存储页的数据翻转比特数，并根据比较结果，对数据翻转比特数最高的第一预设数量的存储页进行标记。

21、另一方面，根据本发明实施例的闪存读干扰测试系统，包括：

22、第一读操作模块，用于对待测闪存的每个存储页，分别进行第一预设次数的连续读操作；

23、获取模块，用于获取每个所述存储页经过第一预设次数的连续读操作后的数据翻转比特数；

24、选取模块，用于根据每个所述存储页的数据翻转比特数，选取符合预设条件的第一预设数量的所述存储页，作为待测存储页；

25、第二读操作模块，用于对每个所述待测存储页，分别进行连续读操作，直至所述待测闪存存在失效的存储页；

26、分析模块，用于根据失效的所述存储页所经历的读干扰的次数，评估所述待测闪存的抗读干扰能力。

27、根据本发明的一些实施例，所述闪存读干扰测试系统还包括：

28、表格生成模块，用于生成第一表格；所述第一表格用于显示每个所述存储页经过第一预设次数的连续读操作后对应的数据翻转比特数。

29、另一方面，根据本发明实施例的电子设备，包括：

30、存储器，用于存储程序指令；

31、处理器，用于调用所述存储器中存储的程序指令，按照获得的程序指令执行上述实施例的闪存读干扰测试方法。

32、另一方面，根据本发明实施例的存储介质，所述存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行上述实施例所述的闪存读干扰测试方法。

33、根据本发明实施例的闪存读干扰测试方法、系统、电子设备和存储介质，至少具有如下有益效果：先是对待测闪存的所有存储页进行第一预设次数的连续读操作(第一预设次数的数量可以相对较少，例如几百次左右)，然后查看每个存储页的数据翻转比特数，数据翻转比特数越高的存储页，说明其数据保持能力越弱，在读取其周围的存储页时其容易因受到读干扰而失效；为此，选取距离数据翻转比特数较高的存储页较近的存储页，将其作为待测存储页，对待测存储页进行连续读操作，直至待测闪存的某个存储页失效，通过获取该失效的存储页所经历的读干扰的次数，即可知道待测闪存的抗读干扰能力，从而能够有针对性地对待测闪存采取避免读干扰的措施。

34、本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

技术特征：

1.一种闪存读干扰测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的闪存读干扰测试方法，其特征在于，所述根据每个所述存储页的数据翻转比特数，选取符合预设条件的第一预设数量的所述存储页，作为待测存储页，包括：

3.根据权利要求1所述的闪存读干扰测试方法，其特征在于，所述对每个所述待测存储页，分别进行连续读操作，直至所述待测闪存存在失效的存储页，包括：

4.根据权利要求3所述的闪存读干扰测试方法，其特征在于，所述第二预设次数为5000-10000次。

5.根据权利要求1所述的闪存读干扰测试方法，其特征在于，所述获取每个所述存储页经过第一预设次数的连续读操作后的数据翻转比特数的步骤之后，还包括：

6.根据权利要求5所述的闪存读干扰测试方法，其特征在于，所述生成第一表格的步骤之后，还包括：

7.一种闪存读干扰测试系统，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的闪存读干扰测试系统，其特征在于，所述闪存读干扰测试系统还包括：

9.一种电子设备，其特征在于，包括：

10.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行权利要求1-6中任一项所述的闪存读干扰测试方法。

技术总结本发明公开了一种闪存读干扰测试方法、系统、电子设备和存储介质，涉及存储产品技术领域。闪存读干扰测试方法包括以下步骤：对待测闪存的每个存储页，分别进行第一预设次数的连续读操作；获取每个存储页经过第一预设次数的连续读操作后的数据翻转比特数；根据每个存储页的数据翻转比特数，选取符合预设条件的第一预设数量的存储页，作为待测存储页；对每个待测存储页，分别进行连续读操作，直至待测闪存存在失效的存储页；根据失效的存储页所经历的读干扰的次数，评估待测闪存的抗读干扰能力。根据本发明实施例的方法，所需的测试时间较少，测试效率较高，且能够准确评估待测闪存的抗读干扰能力。技术研发人员：贺乐,赖鼐,龚晖受保护的技术使用者：珠海妙存科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15