一种NANDFLASH的ECC功能测试方法、系统、设备及存储介质与流程

本说明书涉及数据处理领域，特别涉及一种nand flash的ecc功能测试方法、系统、设备及存储介质。

背景技术：

1、nand-flash存储器因其基本组成电路的连接方式的特点，在生产、使用过程中较nor flash存储器更为容易发生比特翻转，用户层面看到的是数据发生错误，导致文件或者信息丢失，情况严重还会带来巨大的经济损失，为提高nand-flash存储器的数据稳定性和产品整体的可靠性，会增加ecc功能配合使用，对存储在flash内部的数据通过一定的算法生生校验码，在数据读出和写入数据时配合生成的校验码来检验比特翻转是否超出了设计上的可纠正范围。

2、现有nand flash的ecc功能测试方法是采用高温烘烤的方式，使得flash内部发生bit翻转，通过比较同一温度下开启ecc和不开启ecc的情况下flash存储的数据发生错误的时间来衡量ecc的纠错能力，该方法缺点是无法得知具体的比特翻转情况和时间以及温度的关系，受样品自身的影响比较大，需要较多的样品数量来提高测试结果的可信度，需要高温设备来支持测试的进行，能耗较高，经济成本较高，不符合绿色环保的理念，而且整个测试所需的时间较长，时效性较差，精确度较低。

3、因此，需要提供一种nand flash的ecc功能测试方法、系统、设备及存储介质，用于高效快捷实现ecc功能的测试，缩短测试所需要的时间，减少测试所需要的设备，降低测试的能耗。

技术实现思路

1、本说明书实施例之一提供一种nand flash的ecc功能测试方法，所述方法包括：在ecc使能状态下，将第一数据写入nand-flash存储器；基于所述第一数据生成第二数据；在ecc禁用状态下，将所述第二数据写入所述nand-flash存储器；在ecc使能状态下，从所述nand-flash存储器中读取数据，获取第三数据；将所述第一数据与所述第三数据进行比较，基于比较结果，确定ecc性能。

2、在一些实施例中，所述基于所述第一数据生成第二数据，包括：改变所述第一数据中的n比特，得到所述第二数据，其中，n≥0。

3、在一些实施例中，所述将所述第一数据与所述第三数据进行比较，基于比较结果，确定ecc性能，包括：将所述第一数据与所述第三数据进行比较，得到翻转比特数量；基于所述翻转比特数量，确定所述ecc性能。

4、在一些实施例中，所述基于所述翻转比特数量，确定所述ecc性能，包括：当所述翻转比特数量不为0时，确定ecc纠错能力为n比特。

5、在一些实施例中，所述方法还包括：当所述翻转比特数量为0时，重复执行对所述nand-flash存储器的已存储数据进行擦除，根据当前测试次数基于所述第一数据生成第三数据，在ecc禁用状态下，将所述第二数据写入所述nand-flash存储器，在ecc使能状态下，从所述nand-flash存储器中读取数据，获取第三数据，将所述第一数据与所述第三数据进行比较，得到所述翻转比特数量，直至所述翻转比特数量为0。

6、在一些实施例中，所述方法还包括：在将所述第一数据写入所述nand-flash存储器前，对所述nand-flash存储器的已存储数据进行擦除。

7、本说明书实施例之一提供一种nand flash的ecc功能测试方法系统，所述系统包括：flash写入模块，用于在ecc使能状态下，将第一数据写入nand-flash存储器；数据生成模块，用于基于所述第一数据生成第二数据；所述flash写入模块还用于在ecc禁用状态下，将所述第二数据写入所述nand-flash存储器；flash读取模块，用于在ecc使能状态下，从所述nand-flash存储器中读取数据，获取第三数据；数据比较模块，用于将所述第一数据与所述第三数据进行比较，基于比较结果，确定ecc性能。

8、在一些实施例中，所述系统还包括：flash擦除模块，用于在所述flash写入模块将所述第一数据写入所述nand-flash存储器前，对所述nand-flash存储器的已存储数据进行擦除。

9、本说明书实施例之一提供一种电子设备，包括：处理器；以及存储程序的存储器，其中，所述程序包括指令，所述指令在由所述处理器执行时使所述处理器执行nand flash的ecc功能测试方法。

10、本说明书实施例之一提供一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质，其中，所述计算机指令用于使计算机执行nand flash的ecc功能测试方法。

技术特征：

1.一种nand flash的ecc功能测试方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种nand flash的ecc功能测试方法，其特征在于，所述基于所述第一数据生成第二数据，包括：

3.根据权利要求2所述的一种nand flash的ecc功能测试方法，其特征在于，所述将所述第一数据与所述第三数据进行比较，基于比较结果，确定ecc性能，包括：

4.根据权利要求3所述的一种nand flash的ecc功能测试方法，其特征在于，所述基于所述翻转比特数量，确定所述ecc性能，包括：

5.根据权利要求3所述的一种nand flash的ecc功能测试方法，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求1-5中任意一项所述的一种nand flash的ecc功能测试方法，其特征在于，还包括：

7.一种nand flash的ecc功能测试方法系统，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的一种nand flash的ecc功能测试系统，其特征在于，还包括：

9.一种电子设备，包括：

10.一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质，其中，所述计算机指令用于使计算机执行根据权利要求1-6中任一项所述的方法。

技术总结本说明书实施例提供一种NAND FLASH的ECC功能测试方法、系统、设备及存储介质，其中，所述方法包括：在ECC使能状态下，将第一数据写入Nand‑flash存储器；基于第一数据生成第二数据；在ECC禁用状态下，将第二数据写入Nand‑flash存储器；在ECC使能状态下，从Nand‑flash存储器中读取数据，获取第三数据；将第一数据与第三数据进行比较，基于比较结果，确定ECC性能，具有高效快捷实现ECC功能的测试，缩短测试所需要的时间，减少测试所需要的设备，降低测试的能耗的优点。技术研发人员：王海程,陈宗廷,朱放中受保护的技术使用者：深圳市大为创芯微电子科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15