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测试方法、灵敏放大电路及存储器与流程

  • 国知局
  • 2024-07-31 19:12:36

本公开涉及半导体,尤其涉及一种测试方法、灵敏放大电路及存储器。

背景技术:

1、目前,在对存储器进行测试的过程中,需要将测试数据写入各存储单元后,将各存储单元中存储的数据读取来测试位线和存储单元是否正常。但是,在对存储器进行测试时,需要多次读写操作才可完成一个数据阵列对存储单元的测试,导致存储器测试的效率低。

技术实现思路

1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

2、本公开提供一种测试方法、灵敏放大电路及存储器。

3、根据本公开实施例的第一方面,提供一种测试方法,所述测试方法包括:

4、响应于对存储器的读取操作,将存储单元与对应的位线导通;

5、调节所述位线的电压,以对所述位线电压的变化进行补偿;

6、将所述位线及对应的互补位线的电压差进行放大,以读取所述存储单元中的数据。

7、根据本公开的一些实施例,所述将存储单元与对应的位线导通,包括:

8、将所述位线、所述互补位线、所述位线对应的放大位线以及所述互补位线对应的互补放大位线之间断开;

9、打开与所述存储单元对应的字线,以将所述存储单元与所述位线导通。

10、根据本公开的一些实施例,所述调节所述位线的电压,包括:

11、将所述位线与放大位线导通;

12、将所述互补位线与互补放大位线导通;

13、对所述放大位线和所述互补放大位线所在的灵敏放大电路进行供电。

14、根据本公开的一些实施例,所述对所述放大位线和所述互补放大位线所在的灵敏放大电路进行供电,包括:

15、将第一电源与所述灵敏放大电路的供电端导通;

16、将第二电源与所述灵敏放大电路的公共端导通;

17、其中,所述第一电源的电压越高,调节所述位线的电压的时间越短。

18、根据本公开的一些实施例,在所述将存储单元与对应的位线导通之前,所述测试方法还包括:

19、对所述存储器执行第一预设数据阵列式写入操作;

20、其中,所述第一预设数据阵列式包括固定数据式,所述固定数据式包括全0式和全1式。

21、根据本公开的一些实施例,所述调节所述位线的电压,包括:

22、将所述位线的电压调整至第一预设电压,所述第一预设电压为在执行第二预设数据阵列式写入操作的情况下,将所述存储单元与所述位线导通后所述位线的电压,所述第二预设数据阵列式包括对角线式。

23、根据本公开的一些实施例,在所述调节所述位线的电压之后,所述测试方法还包括:

24、调节所述互补位线的电压,以将所述位线和所述互补位线的电压差调整为第二预设电压。

25、根据本公开的一些实施例,所述将所述位线及对应的互补位线的电压差进行放大,包括:

26、将所述位线与放大位线断开;

27、将所述互补位线与互补放大位线断开;

28、将所述位线与所述互补放大位线导通;

29、将所述互补位线与所述放大位线导通。

30、本公开的第二方面提供一种灵敏放大电路,所述灵敏放大电路被配置为执行:

31、响应于对存储器的读取操作,将存储单元与对应的位线导通;

32、调节所述位线的电压,以对所述位线电压的变化进行补偿;

33、将所述位线及对应的互补位线的电压差进行放大,以读取所述存储单元中的数据。

34、本公开的第三方面提供一种存储器,所述存储器被配置为执行:

35、响应于对存储器的读取操作,将存储单元与对应的位线导通;

36、调节所述位线的电压,以对所述位线电压的变化进行补偿;

37、将所述位线及对应的互补位线的电压差进行放大,以读取所述存储单元中的数据。

38、本公开实施例所提供的测试方法、灵敏放大电路及存储器中,响应于对存储器的读取操作,将存储单元与对应的位线导通,以将存储单元的电荷分享至位线。调节电荷分享后位线的电压,以对位线电压的变化进行补偿,降低相邻位线的耦合效应引起的位线电压的变化。在补偿位线的电压后,将位线及对应的互补位线的电压差进行放大,以读取存储单元中的数据。通过在电荷分享之后、电压差放大之前对位线电压的变化进行补偿,解决了位线电压因耦合效应发生变化导致数据误读取的问题,从而提高了存储器测试的可靠性。由于提高了存储器测试的可靠性,能够以较少次数的读写操作完成一个数据阵列对存储单元的测试来降低测试的时间,从而提高了存储器测试的效率。

39、在阅读并理解了附图和详细描述后,可以明白其他方面。

技术特征:

1.一种测试方法,其特征在于,所述测试方法包括:

2.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述将存储单元与对应的位线导通,包括:

3.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述调节所述位线的电压,包括:

4.根据权利要求3所述的测试方法,其特征在于,所述对所述放大位线和所述互补放大位线所在的灵敏放大电路进行供电,包括:

5.根据权利要求1至4任一项所述的测试方法,其特征在于,在所述将存储单元与对应的位线导通之前,所述测试方法还包括:

6.根据权利要求5所述的测试方法,其特征在于,所述调节所述位线的电压,包括:

7.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,在所述调节所述位线的电压之后,所述测试方法还包括:

8.根据权利要求1至4任一项所述的测试方法,其特征在于,所述将所述位线及对应的互补位线的电压差进行放大,包括:

9.一种灵敏放大电路,其特征在于,所述灵敏放大电路被配置为执行:

10.一种存储器,其特征在于,所述存储器被配置为执行:

技术总结本公开提供一种测试方法、灵敏放大电路及存储器。测试方法包括:响应于对存储器的读取操作,将存储单元与对应的位线导通;调节位线的电压,以对位线电压的变化进行补偿;将位线及对应的互补位线的电压差进行放大,以读取存储单元中的数据。在本公开中,通过在电荷分享之后、电压差放大之前对位线电压的变化进行补偿,解决了位线电压因耦合效应发生变化导致数据误读取的问题,从而提高了存储器测试的可靠性。由于提高了存储器测试的可靠性,能够以较少次数的读写操作完成一个数据阵列对存储单元的测试来降低测试的时间,从而提高了存储器测试的效率。技术研发人员:杨杰受保护的技术使用者:长鑫存储技术有限公司技术研发日:技术公布日:2024/1/15

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