存储器的测试方法与流程

本公开涉及半导体，尤其涉及一种存储器的测试方法。

背景技术：

1、目前，动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)在生产的过程中，需要经过晶圆测试(chip probing，cp)和最终测试(final test，ft)，以对存储器进行修补和分类。但是，当存储器中的字线驱动电路异常时，会影响存储单元中数据的写入和读取，使存储器无法可靠运行。由于难以识别存储器中存在异常的字线驱动电路，对存储器进行分类时存在一定的困难，导致存储器的可靠性低。

技术实现思路

1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

2、本公开提供一种存储器的测试方法，所述存储器的测试方法包括至少一个字线驱动电路测试过程，所述字线驱动电路测试过程包括：

3、将第一数据写入字线驱动电路对应的存储单元；

4、读取所述存储单元的第二数据；

5、当所述第一数据与所述第二数据不同时，确定所述字线驱动电路异常；

6、其中，所述字线驱动电路为信号走线层断裂后经修补的字线驱动电路。

7、根据本公开的一些实施例，所述将第一数据写入字线驱动电路对应的存储单元，包括：

8、对于同一条位线，依次对与所述位线对应的各字线执行以下第一写操作，所述第一写操作包括：

9、开启所述字线；

10、向所述字线耦接的第一预设数量的各存储单元均写入所述第一数据；

11、关闭所述字线；

12、其中，所述开启所述字线持续的时间为预设时间；和/或，

13、所述读取所述存储单元的第二数据，包括：

14、对于同一条位线，依次对与所述位线对应的各字线执行以下读操作，所述读操作包括：

15、开启所述字线；

16、读取所述字线耦接的第一预设数量的各存储单元的所述第二数据；

17、关闭所述字线；

18、其中，所述开启所述字线持续的时间为预设时间。

19、根据本公开的一些实施例，所述当所述第一数据与所述第二数据不同时，确定所述字线驱动电路异常，包括：

20、对于每一个所述读操作，当所述第二数据与对应的所述第一数据不同时，确定该读操作对应的所述字线驱动电路异常。

21、根据本公开的一些实施例，所述存储器的测试方法还包括：

22、当异常的所述字线驱动电路的数量小于第二预设数量时，再次执行所述字线驱动电路测试过程，直至确定至少所述第二预设数量的所述字线驱动电路异常或所述字线驱动电路测试过程执行的次数达到第一预设次数；

23、其中，各所述字线驱动电路测试过程中的所述位线不同。

24、根据本公开的一些实施例，对于同一个所述字线驱动电路，各所述字线驱动电路测试过程中的部分所述存储单元位于不同的存储阵列。

25、根据本公开的一些实施例，所述存储器的测试方法还包括：

26、当所述字线驱动电路测试过程执行的次数达到所述第一预设次数时，将所述第一数据调整为第三数据，并再次执行所述字线驱动电路测试过程，直至确定至少所述第二预设数量的所述字线驱动电路异常或所述字线驱动电路测试过程执行的次数达到第二预设次数；

27、其中，将所述第一数据调整为所述第三数据后，各所述字线驱动电路测试过程中的所述位线不同；所述第三数据与所述第一数据不同。

28、根据本公开的一些实施例，所述存储器的测试方法还包括：

29、当所述字线驱动电路测试过程执行的次数达到所述第二预设次数时，在各所述字线驱动电路测试过程中，将各所述读操作读取的所述第二数据与对应的所述第一数据均相同的所述字线驱动电路确定为正常。

30、根据本公开的一些实施例，所述第一数据均为低电平数据；或，所述第一数据均为高电平数据。

31、根据本公开的一些实施例，在执行所述字线驱动电路测试过程之前，所述存储器的测试方法还包括：

32、将第四数据写入所述字线驱动电路对应的各存储单元；

33、其中，所述第四数据与所述第一数据不同；所述第四数据均为低电平数据；或，所述第四数据均为高电平数据。

34、根据本公开的一些实施例，所述将第四数据写入所述字线驱动电路对应的存储单元，包括：

35、依次对各字线执行以下第二写操作，所述第二写操作包括：

36、开启所述字线；

37、向所述字线耦接的各存储单元写入所述第四数据；

38、关闭所述字线。

39、本公开实施例所提供的存储器的测试方法中，将第一数据写入字线驱动电路对应的存储单元，并读取存储单元存储的第二数据，确定第一数据是否能够正确写入并读取。当第一数据与第二数据不同时，字线驱动电路在读写过程中无法正常开启耦接的字线，导致第一数据无法正常写入和/或第二数据无法正常读取。由于字线驱动电路无法正常开启耦接的字线，字线驱动电路存在故障，确定字线驱动电路异常。通过以写入第一数据并读取第二数据的方式测试经修补的字线驱动电路是否异常，能够识别存在异常的字线驱动电路以对存储器进行分类，从而提高了存储器的可靠性。

40、在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

技术特征：

1.一种存储器的测试方法，其特征在于，所述存储器的测试方法包括至少一个字线驱动电路测试过程，所述字线驱动电路测试过程包括：

2.根据权利要求1所述的存储器的测试方法，其特征在于，所述将第一数据写入字线驱动电路对应的存储单元，包括：

3.根据权利要求2所述的存储器的测试方法，其特征在于，所述当所述第一数据与所述第二数据不同时，确定所述字线驱动电路异常，包括：

4.根据权利要求3所述的存储器的测试方法，其特征在于，所述存储器的测试方法还包括：

5.根据权利要求4所述的存储器的测试方法，其特征在于，对于同一个所述字线驱动电路，各所述字线驱动电路测试过程中的部分所述存储单元位于不同的存储阵列。

6.根据权利要求4所述的存储器的测试方法，其特征在于，所述存储器的测试方法还包括：

7.根据权利要求6所述的存储器的测试方法，其特征在于，所述存储器的测试方法还包括：

8.根据权利要求1至7任一项所述的存储器的测试方法，其特征在于，所述第一数据均为低电平数据；或，所述第一数据均为高电平数据。

9.根据权利要求1至7任一项所述的存储器的测试方法，其特征在于，在执行所述字线驱动电路测试过程之前，所述存储器的测试方法还包括：

10.根据权利要求9所述的存储器的测试方法，其特征在于，所述将第四数据写入所述字线驱动电路对应的存储单元，包括：

技术总结本公开提供一种存储器的测试方法。存储器的测试方法包括至少一个字线驱动电路测试过程，字线驱动电路测试过程包括：将第一数据写入字线驱动电路对应的存储单元；读取存储单元的第二数据；当第一数据与第二数据不同时，确定字线驱动电路异常；其中，字线驱动电路为信号走线层断裂后经修补的字线驱动电路。在本公开中，通过以写入第一数据并读取第二数据的方式测试经修补的字线驱动电路是否异常，能够识别存在异常的字线驱动电路以对存储器进行分类，从而提高了存储器的可靠性。技术研发人员：楚西坤受保护的技术使用者：长鑫科技集团股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15