或非非挥发性记忆体装置、非挥发性记忆体装置及其制造方法与流程

本揭露的一些实施例大体上是关于记忆体装置，且更特别地是关于嵌入式应用中所采用的用于非挥发性记忆体(non-volatile memory，nvm)的新式储存栅极鳍式场效晶体管(fin-field effect transistor，finfet)。

背景技术：

1、由于多种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续改良，半导体产业已经历快速增长。一般来说，集成密度的改良由最小特征大小的重复减少引起，这允许将更多组件整合至给定区域中。

技术实现思路

1、根据本揭露的一些实施例，一种非挥发性记忆体装置包括半导体基板、选择晶体管及储存装置。半导体基板包括多个鳍型结构。选择晶体管形成于半导体基板上，选择晶体管包括设置在定位于鳍型结构的第一部分上方的第一介电隔离层上方的栅极层，其中选择晶体管为p通道金属氧化物半导体晶体管。储存装置形成于半导体基板上，储存装置包括设置在定位于鳍型结构上的第二部分上方的第二介电隔离层上方的储存栅极层，其中储存栅极层配置以捕捉多个电荷并且储存装置为p通道储存装置。选择晶体管耦接至储存装置，且其中鳍型结构的第一部分邻近鳍型结构的第二部分。

2、根据本揭露的一些实施例，一种制造非挥发性记忆体装置的方法包括以下步骤。提供半导体基板，半导体基板具有设置在多个鳍型结构上方的牺牲栅极层，其中第一介电隔离层定位于牺牲栅极层与鳍型结构之间。移除在第一区域及第二区域中的牺牲栅极层。用储存栅极层填充第一区域及第二区域。平坦化储存栅极层及第一区域及第二区域。在第二区域外的多个区域中用第二介电隔离层取代第一介电隔离层。用金属层取代牺牲栅极层。

3、根据本揭露的一些实施例，一种或非非挥发性记忆体装置包括半导体基板、或非记忆体阵列、多条字线、多条源极线及多条位元线。半导体基板包括多个鳍型结构。或非记忆体阵列形成于半导体基板中且包括配置成多列及多行的多个记忆体单元，其中记忆体单元中的每一者由选择晶体管及储存装置组成。字线分别电连接至列。源极线分别电连接至行。位元线分别电连接至行。选择晶体管形成于半导体基板上，选择晶体管包括设置在定位于鳍型结构的第一部分上方的第一介电隔离层上方的栅极层，其中选择晶体管为p通道金属氧化物半导体晶体管。储存装置形成于半导体基板上，储存装置包含设置在定位于鳍型结构上的第二部分上方的第二介电隔离层上方的储存栅极层，其中储存栅极层配置以捕捉多个电荷，且其中储存装置为p通道储存装置。选择晶体管耦接至储存装置。鳍型结构的第一部分邻近鳍型结构的第二部分。储存装置配置以由储存装置中的截止状态电流来程序化。

技术特征：

1.一种非挥发性记忆体装置，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的非挥发性记忆体装置，其特征在于，其中该第一介电隔离层包含一高κ介电材料。

3.如权利要求2所述的非挥发性记忆体装置，其特征在于，其中该第一介电隔离层包含氧化铪、氧化硅铪、氮氧化硅铪、氧化锆或二氧化铪-氧化铝合金。

4.如权利要求1所述的非挥发性记忆体装置，其特征在于，其中该储存装置配置以由该储存装置中的一截止状态电流来程序化。

5.如权利要求1所述的非挥发性记忆体装置，其特征在于，其中该栅极层包含钨、铝、氮化钛或氮化钽。

6.如权利要求1所述的非挥发性记忆体装置，其特征在于，其中捕获的所述多个电荷为电子。

7.如权利要求1所述的非挥发性记忆体装置，其特征在于，其中该第二介电隔离层包含氧化铪、氧化硅铪、氮氧化硅铪、氧化锆或二氧化铪-氧化铝合金。

8.如权利要求1所述的非挥发性记忆体装置，其特征在于，其中该储存装置配置以储存信息的一位元。

9.一种制造非挥发性记忆体装置的方法，其特征在于，包含：

10.一种或非非挥发性记忆体装置，其特征在于，包含：

技术总结一种或非非挥发性记忆体装置、非挥发性记忆体装置及其制造方法。非挥发性记忆体装置包括半导体基板、选择晶体管及储存装置。半导体基板具有多个鳍型结构。选择晶体管形成于半导体基板上，选择晶体管包括设置在定位于鳍型结构的第一部分上方的第一介电隔离层上方的栅极层，其中选择晶体管为P通道金属氧化物半导体晶体管。储存装置形成于半导体基板上，储存装置包括设置在定位于鳍型结构上的第二部分上方的第二介电隔离层上方的储存栅极层，其中储存栅极层配置以捕获多个电荷，且其中储存装置为P通道储存装置，其中选择晶体管耦接至储存装置。鳍型结构的第一部分邻近鳍型结构的第二部分。技术研发人员：沈文超受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/11/4