电子装置及其操作方法以及存储器装置与流程

本文所描述的本公开的实施例涉及存储器装置和存储器控制器以及包括该存储器装置和存储器控制器的电子装置，更具体地，涉及一种用于参考存储器装置的温度信息执行再训练的技术。

背景技术：

1、随着最近诸如动态随机存取存储器(dram)的高性能以及大容量存储器装置的趋势，存储器装置的操作频率在快速增加。另外，随着移动装置需要低功率特性，已采用了区分写操作所需的写时钟wck和读操作所需的读数据选通信号rdqs的频率的标准。

2、随着存储器装置的操作速度增加，校正存储器装置的数据完整性变得越来越困难。因此，不仅在存储器装置的初始化期间，而且在存储器装置的操作期间也可能需要存储器装置的训练。

3、此外，在存储器装置的初始化中通常执行使用fifo(先入先出)的精细训练，在存储器装置的操作期间可使用粗略且快速的间隔振荡器训练。然而，在fifo训练期间测量的延迟时间(例如，twck2dqi和twck2dqo)与在间隔振荡器训练期间测量的延迟时间之间不可避免地存在误差(即，偏移)，并且误差可根据温度变化而变化。然而，当在不应用由于温度变化而引起的偏移变化的情况下执行间隔振荡器训练时，存储器装置的可靠性会降低。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供了一种参考存储器装置的温度信息校正在间隔振荡器训练中测量的延迟时间，使得在fifo训练中测量的延迟时间与在间隔振荡器训练中测量的延迟时间之间的偏移不超过参考值的方法。

2、根据实施例，一种电子装置包括：片上系统，其输出写时钟和写数据信号；以及存储器装置，其基于写时钟接收写数据信号并输出频率不同于写时钟的频率的读数据信号和数据选通信号。该存储器装置包括：第一间隔振荡器，其复制写时钟的路径与读数据信号的路径之间的差异；以及第二间隔振荡器，其复制写时钟的路径与写数据信号的路径之间的差异。片上系统根据写时钟的路径与读数据信号的路径之间的差异来获得第一延迟时间，并且根据写时钟的路径与写数据信号的路径之间的差异来获得第二延迟时间。在第一间隔振荡器操作的同时，存储器装置获得指示第一延迟时间的第一计数值。在第二间隔振荡器操作的同时，存储器装置获得指示第二延迟时间的第二计数值。该存储器装置根据存储器装置的温度所属的范围来校正第一计数值以获得校正的第一计数值，并且根据温度所属的范围来校正第二计数值以获得校正的第二计数值。

3、根据实施例，一种与存储器控制器通信的存储器装置包括：命令和地址接收器，其基于从存储器控制器接收的时钟以及命令和地址信号来获得fifo(先入先出)读命令、fifo写命令、间隔振荡器开始命令和间隔振荡器停止命令；缓冲器，其存储基于fifo读命令的读数据或基于fifo写命令的写数据；间隔振荡器，其在输入间隔振荡器开始命令与输入间隔振荡器停止命令之间的时间间隔期间操作；计数器，其在振荡器操作的时间间隔期间执行计数；控制逻辑电路，其在间隔振荡器停止操作时从计数器获得计数值，并且校正作为存储器的温度的函数的计数值以获得校正的计数值；以及模式寄存器，其存储校正的计数值。

4、根据实施例，一种包括存储器控制器和存储器装置的电子装置的操作方法包括：通过基于向存储器装置的数据输入和/或从存储器装置的数据输出使数据选通信号和/或数据信号对准来执行第一训练；在存储器装置处接收振荡器开始命令；响应于振荡器开始命令驱动存储器装置的间隔振荡器；在间隔振荡器被驱动的同时，在存储器装置的计数器处执行计数；在存储器装置处接收振荡器停止命令；当间隔振荡器的驱动根据振荡器停止命令停止时，从计数器获得计数值；以及根据存储器装置的温度所属的范围校正计数值，以获得校正的计数值。

技术特征：

1.一种电子装置，包括：

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，在所述存储器装置的初始化中，所述片上系统执行第一训练，使得所述写时钟的延迟基于所述第一延迟时间被调节，或者使得所述写数据信号的延迟基于所述第二延迟时间被调节，并且

3.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述存储器装置被配置为：

4.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述存储器装置被配置为在从所述片上系统接收的间隔振荡器开始命令和间隔振荡器停止命令之间的时间段中获得所述第一计数值和所述第二计数值中的至少一个。

5.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述存储器装置包括：

6.根据权利要求5所述的电子装置，其中，所述存储器装置被配置为响应于从所述片上系统接收的模式寄存器读命令输出所述校正的第一计数值和所述校正的第二计数值。

7.根据权利要求5所述的电子装置，其中，所述片上系统包括：

8.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一间隔振荡器包括第一多个反相器，并且所述第二间隔振荡器包括第二多个反相器，

9.根据权利要求2所述的电子装置，其中，当所述第二训练被执行时，基于所述第三延迟时间调节所述写时钟的延迟和基于所述第四延迟时间调节所述写数据信号的延迟在不同的时间执行。

10.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述片上系统和所述存储器装置基于低功率双倍数据速率标准来操作。

11.一种存储器装置，所述存储器装置被配置为与存储器控制器通信，所述存储器装置包括：

12.根据权利要求11所述的存储器装置，还包括：

13.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑电路被配置为响应于所述间隔振荡器开始命令而启用所述间隔振荡器和所述计数器，并且

14.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，所述间隔振荡器包括串联连接的多个反相器，并且

15.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，所述存储器控制器和所述存储器装置基于低功率双倍数据速率标准或双倍数据速率标准来操作。

16.一种电子装置的操作方法，所述电子装置包括存储器控制器和存储器装置，所述方法包括：

17.根据权利要求16所述的方法，还包括：

18.根据权利要求16所述的方法，其中，执行所述第一训练包括：

19.根据权利要求18所述的方法，还包括：

20.根据权利要求16所述的方法，其中，所述存储器控制器和所述存储器装置基于低功率双倍数据速率标准或双倍数据速率标准来操作。

技术总结提供了一种电子装置及其操作方法以及存储器装置。电子装置包括：系统芯片，其输出写时钟和写数据信号；以及存储器装置，其基于写时钟接收写数据信号并且输出频率不同于写时钟的频率的读数据信号和数据选通信号。该存储器装置还包括第一间隔振荡器、第二间隔振荡器和温度传感器。电子装置在电子装置的初始化中执行第一训练并且在初始化之后的操作中执行第二训练。存储器装置在第二训练中在间隔振荡器的操作期间执行计数操作，并且参考存储器装置的温度信息校正最终计数值。技术研发人员：朴政民,高准英,朴彰辉受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/3/11