一种存储系统及电子设备的制作方法
- 国知局
- 2024-07-31 19:43:21
本公开涉及半导体,特别涉及一种存储系统及电子设备。
背景技术:
1、在半导体技术中,可以通过包括内存模组和内存控制器在内的存储系统,来实现数据的有序处理。
2、然而,在现有的存储系统中,内存控制器与内存模组之间往往数据传输质量较差。
3、因此,如何提高内存控制器与内存模组之间的数据传输质量成为了需要解决的问题。
技术实现思路
1、本公开公开了一种存储系统及电子设备,能够提高内存控制器与内存模组之间的数据传输带宽和传输速率,从而提高了内存控制器与内存模组之间的数据传输质量。
2、为达到上述目的,本公开提供以下技术方案:
3、根据本公开的一方面,提供了一种存储系统,其特征在于,包括:
4、基板;
5、内存控制器,设置于基板上;
6、内存模组,设置于基板上,内存模组与内存控制器之间至少部分通过基板外侧的线缆进行连接。
7、在一个实施例中,存储系统还包括第一转接结构;
8、其中,内存控制器通过第一转接结构与内存模组进行连接,
9、第一转接结构与内存控制器之间通过线缆进行连接,或,第一转接结构与各内存模组之间通过线缆进行连接。
10、在一个实施例中,内存模组的数量为n个,存储系统还包括:
11、n组对应的第一数据通道和第一线缆,第i组对应的第一数据通道和第一线缆用于传输内存控制器与第i个内存模组之间的数据,其中,n为正整数,i为小于或等于n的任意正整数;
12、其中,第i组中的第一数据通道设置于基板内部,包括第一过孔、第二过孔和第一走线,第一过孔的上表面与内存控制器连接,第二过孔的上表面与第一转接结构连接,第一走线的一端与第一过孔的下表面连接,第一走线的另一端与第二过孔的下表面连接;
13、第i组中的第一线缆的一端与第一转接结构连接,各第一线缆的另一端与第i个内存模组连接。
14、在一个实施例中,内存模组的数量为n个,
15、存储系统还包括:
16、n组对应的第二数据通道和第二线缆,第i组对应的第二数据通道和第二线缆用于传输内存控制器与第i个内存模组之间的数据,其中,n为正整数,i为小于或等于n的任意正整数;
17、其中,第i组中的第二线缆的一端与内存控制器连接,第i组中的第二线缆的另一端与第一转接结构连接;
18、第i组中的第二数据通道设置于基板内部,包括第三过孔、第四过孔和第二走线,第三过孔的上表面与第一转接结构连接,第四过孔的上表面与第i个内存模组连接,第二走线的一端与第三过孔的下表面连接,第二走线的另一端与第四过孔的下表面连接。
19、在一个实施例中,第一转接结构设置于内存控制器的封装基板的上方。
20、在一个实施例中,存储系统还包括:
21、设置于基板上的内存连接结构,内存连接结构用于连接内存模组,以将内存模组固定设置于基板之上。
22、在一个实施例中,内存模组的数量为多个,
23、内存连接结构包括多个内存连接子结构;
24、其中,各内存连接子结构上设置有至少一个凹槽,其中,各凹槽用于连接一个内存模组。
25、在一个实施例中,内存模组的数量为n个,其中,n为正整数,
26、内存连接结构包括一个内存连接子结构,
27、其中,内存连接子结构上设置有n个凹槽;
28、其中,第i个凹槽用于固定第i个内存模组,i为小于或等于n的任意正整数。
29、在一个实施例中,每一内存连接子结构包括:
30、第一连接部,用于与目标数据传输模块连接,目标数据传输模块为内存控制器、第一转接结构或者第二转接结构;
31、第二连接部,第二连接部上设置有凹槽。
32、在一个实施例中,第二连接部至少部分环绕第一连接部。
33、在一个实施例中,第一连接部与各凹槽内的内存模组通过第三线缆连接。
34、在一个实施例中,第三线缆至少部分埋设于第二连接部内部。
35、在一个实施例中,内存模组为内存模块或者内存芯片。
36、在一个实施例中,内存控制器为中央控制器cpu或者片上系统soc。
37、在一个实施例中,内存模组的数量为n个,n为正整数;
38、n个内存模组中的至少一个内存模组与内存控制器之间至少部分通过线缆进行连接。
39、根据本公开的另一方面,提供了一种电子系统,包括本公开实施例提供的存储系统。
40、根据本公开实施例提供的存储系统及电子设备,由于内存模组与内存控制器之间可以至少部分通过基板外侧的线缆进行连接,由于线缆可以提高数据传输速率且能降低外部物理因素对传输信号的干扰,进而能够提高内存控制器与内存模组之间的数据传输带宽和传输速率,从而提高了内存控制器与内存模组之间的数据传输质量。
技术特征:1.一种存储系统,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的存储系统,其特征在于,所述存储系统还包括第一转接结构;
3.根据权利要求2所述的存储系统,其特征在于,所述内存模组的数量为n个,所述存储系统还包括:
4.根据权利要求2所述的存储系统,其特征在于,所述内存模组的数量为n个,
5.根据权利要求2-4任一项所述的存储系统,其特征在于,所述第一转接结构设置于所述内存控制器的封装基板的上方。
6.根据权利要求1所述的存储系统,其特征在于,所述存储系统还包括:
7.根据权利要求6所述的存储系统,其特征在于,所述内存模组的数量为多个,
8.根据权利要求6所述的存储系统,其特征在于,所述内存模组的数量为n个,其中,n为正整数,
9.根据权利要求7或8所述的存储系统,其特征在于,每一内存连接子结构包括:
10.根据权利要求9所述的存储系统,其特征在于,
11.根据权利要求9所述的存储系统,其特征在于,所述第一连接部与各凹槽内的内存模组通过第三线缆连接。
12.根据权利要求11所述的存储系统,其特征在于,
13.根据权利要求1所述的存储系统,其特征在于,
14.根据权利要求1所述的存储系统,其特征在于,
15.根据权利要求1所述的存储系统,其特征在于,所述内存模组的数量为n个,n为正整数;
16.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1-15任一项所述的存储系统。
技术总结本公开涉及半导体技术领域,公开了一种存储系统及电子设备。该系统包括:基板;内存控制器,设置于所述基板上;内存模组,设置于所述基板上,所述内存模组与所述内存控制器之间至少部分通过基板外侧的线缆进行连接。根据本公开实施例,能够提高内存控制器与内存模组之间的数据传输质量。技术研发人员:文继伟受保护的技术使用者:长鑫存储技术有限公司技术研发日:技术公布日:2024/3/5本文地址:https://www.jishuxx.com/zhuanli/20240731/183676.html
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