用于存储器中码字的漂移补偿的系统、方法及设备与流程

本公开大体上涉及半导体存储器及方法，且更特定来说，涉及用于存储器中码字的漂移补偿。

背景技术：

1、存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路及/或外部可卸除装置。存在许多不同类型的存储器，其包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维持其数据且可尤其包含随机存取存储器(ram)、动态随机存取存储器(dram)及同步动态随机存取存储器(sdram)。非易失性存储器可通过在未供电时保存所存储数据来提供持久数据且可尤其包含nand快闪存储器、nor快闪存储器、只读存储器(rom)及电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(pcram)、电阻性随机存取存储器(rram)、磁性随机存取存储器(mram)及可编程导电存储器。

2、存储器装置可用作需要高存储器密度、高可靠性及低功耗的各种电子应用的易失性及非易失性存储器。非易失性存储器可用于例如个人计算机、便携式记忆棒、固态硬盘(ssd)、数码相机、蜂窝电话、例如mp3播放器的便携式音乐播放器及电影播放器及其它电子装置中。

3、存储器装置可包含可基于存储元件(例如电容器)的电荷电平来存储数据或可基于存储元件的导电状态来存储数据的存储器单元。此类存储器单元可经编程以通过改变存储元件的电荷电平(例如，电容器的电荷的不同电平可表示不同数据状态)或通过改变存储元件的导电水平来存储对应于目标数据状态的数据。举例来说，可将电场或能量源(例如正或负电脉冲(例如正或负电压或电流脉冲))施加于存储器单元(例如，施加于单元的存储元件)达特定持续时间以将单元编程到目标数据状态。

4、存储器单元可经编程到数种数据状态中的一者。举例来说，单电平存储器单元(slc)可经编程到两种不同数据状态中的目标者，其可由二进制单位1或0表示且可取决于单元的电容器是带电还是不带电。作为额外实例，一些存储器单元可经编程到多于两种数据状态(例如1111、0111、0011、1011、1001、0001、0101、1101、1100、0100、0000、1000、1010、0010、0110及1110)中的目标者。此类单元可称为多状态存储器单元、多单位单元或多电平单元(mlc)。mlc可提供更高密度存储器且无需增加存储器单元的数目，因为每一单元可表示多于一个数字(例如多于一个位)。

技术实现思路

1、根据本公开的一方面，提供一种设备。所述设备包括：存储器装置，其包括：存储器单元阵列；及电路系统，其经配置以：感测存储于所述存储器单元阵列中的码字；确定所述感测到的码字的每一存储器单元的单元度量的值，其中所述存储器单元中的每一者的所述单元度量的所述值基于以下项来确定：所述存储器单元中的每一者的阈值电压值的总和；所述存储器单元的所述阈值电压值的平均值；及与所述存储器单元的所述阈值电压值的所述平均值成比例的值；确定所述存储器单元中的每一者的哪一单元度量具有最低值；将被确定为具有所述最低值的所述单元度量输入到皮尔逊检测器；及使用所述皮尔逊检测器确定所述码字的最初经编程的数据。

2、根据本公开的另一方面，提供一种方法。所述方法包括：感测存储于存储器装置的存储器单元阵列中的码字；由所述存储器装置针对所述感测到的码字的每一存储器单元确定所述感测到的码字的所述存储器单元中的每一者的单元度量的值，其中所述感测到的码字的所述存储器单元中的每一者的所述单元度量的所述值基于以下项来确定：所述存储器单元中的每一者的阈值电压值的总和；所述存储器单元的所述阈值电压值的平均值；及与所述存储器单元的所述阈值电压值的所述平均值成比例的值；由所述存储器装置确定所述存储器单元中的每一者的哪一单元度量具有最低值；将被确定为具有所述最低值的所述单元度量输入到皮尔逊检测器；及使用所述皮尔逊检测器确定所述码字的最初经编程的数据。

3、根据本公开的又一方面，提供一种设备。所述设备包括：存储器装置，其包括存储器单元阵列；及控制器，其耦合到所述存储器装置且经配置以：感测存储于所述存储器单元阵列中的码字；针对所述存储器装置中的所述感测到的码字的每一存储器单元确定所述感测到的码字的所述存储器单元中的每一者的单元度量的值，其中所述码字的所述存储器单元中的每一者的所述单元度量的所述值基于以下项来确定：所述存储器单元中的每一者的阈值电压值的总和；所述存储器单元的所述阈值电压值的平均值；及与所述存储器单元的所述阈值电压值的所述平均值成比例的值；确定所述存储器单元中的每一者的哪一单元度量具有最低值；及将被确定为具有所述最低值的所述单元度量输入到皮尔逊检测器；及使用所述皮尔逊检测器确定所述码字的最初经编程的数据。

4、根据本公开的又另一方面，提供一种方法。所述方法包括：感测存储于存储器装置的存储器单元阵列中的码字；由耦合到所述存储器装置的控制器针对所述存储器装置中的感测到的码字的每一存储器单元确定所述码字的每一存储器单元的单元度量的值，其中所述码字的每一存储器单元的所述单元度量的所述值是基于以下项：所述存储器单元中的每一者的阈值电压值的总和；所述存储器单元的所述阈值电压值的平均值；及与所述存储器单元的所述阈值电压值的所述平均值成比例的值；由所述控制器确定所述存储器单元中的每一者的哪一单元度量具有最低值；将被确定为具有所述最低值的所述单元度量输入到皮尔逊检测器；及使用所述皮尔逊检测器确定所述码字的最初经编程的数据。

技术特征：

1.一种设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中被确定为具有所述最低值的所述单元度量的所述值及暂定码字(332)与所述感测到的码字(332)之间的相关性被输入到所述皮尔逊检测器中以确定所述码字的所述最初经编程的数据。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述感测到的码字(332)包括所述感测到的码字(332)的所述存储器单元中的每一者的感测到的数据值。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述码字的所述最初经编程的数据包括所述码字的所述存储器单元中的每一者的经编程数据值。

5.一种方法，其包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括：

7.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括按升序对所述存储器单元中的每一者的所述阈值电压值进行排序及将所述经排序阈值电压值划分成第一分布(336-1)及第二分布(336-2)。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述经排序阈值电压值经划分成所述第一分布(336-1)及所述第二分布(336-2)，使得所述第一分布(336-1)中所述阈值电压值的数量等于所述码字的经估计权重。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述经排序阈值电压值经划分成所述第一分布(336-1)及所述第二分布(336-2)，使得所述第二分布(336-2)中所述阈值电压值的数量等于所述码字中存储器单元的数量与所述第一分布(336-1)中所述阈值电压值的数量之间的差。

10.一种设备，其包括：

11.根据权利要求10所述的设备，其中：

12.根据权利要求10所述的设备，其中所述存储器装置包含多个开关(438)，其中所述多个开关(438)中的每一相应者经配置以将所述存储器单元中的不同者耦合到多个连接器(442)中的不同者，且其中所述存储器单元中的每一者在其相应开关(438)耦合到所述多个连接器(442)中的第一连接器(442-1-1、442-2-1、442-3-1、…、442-n-1)时耦合到斜升电压(328、428)。

13.根据权利要求12所述的设备，其中：

14.根据权利要求13所述的设备，其中所述多个存储器单元中的每一者在所述多个开关(438)中的每一者耦合到其相应第三连接器(442-1-3、442-2-3、442-3-3、…、442-n-3)时耦合到共同节点(546、658)。

15.根据权利要求13所述的设备，其中所述控制器经配置以在所述多个开关(438)中的每一者耦合到其相应第三连接器(442-1-3、442-2-3、442-3-3、…、442-n-3)时确定所述存储器单元的所述阈值电压值的所述平均值。

16.根据权利要求13所述的设备，其中所述多个开关(438)中的每一者经配置以同时耦合到其相应第三连接器(442-1-3、442-2-3、442-3-3、…、442-n-3)。

17.一种方法，其包括：

18.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括经由包括缓冲器(652)、多个电阻器(548、654)及多个电容器(656)的电路系统(513、615)确定与所述阈值电压值的所述平均值成比例的所述值。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述方法包含通过将所述阈值电压值的所述平均值输入到所述缓冲器(652)中来确定与所述阈值电压值的所述平均值成比例的所述值，其中：

20.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括在所述感测到的码字仅包括具有第二值的数据位(334)的情况下将具有第一值的数据位(334)添加到所述码字。

技术总结本公开涉及用于存储器中码字的漂移补偿的系统、方法及设备。存储器装置包括存储器单元及经配置以感测存储于所述存储器单元中的码字的电路系统。所述电路系统进一步经配置以确定所述感测到的码字的每一存储器单元的单元度量的值，其中所述存储器单元中的每一者的所述单元度量的所述值基于所述存储器单元中的每一者的阈值电压值的总和、所述存储器单元的所述阈值电压值的平均值及与所述存储器单元的所述阈值电压值的所述平均值成比例的值来确定。所述电路系统进一步经配置以确定所述存储器单元中的每一者的哪一单元度量具有最低值、将所述单元度量输入到皮尔逊(Pearson)检测器中及使用所述皮尔逊检测器确定所述码字的最初经编程的数据。技术研发人员：M·斯福尔津,P·阿马托,L·巴莱塔,M·P·费拉里,A·法瓦诺受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/3/4