用于存取存储器装置中的存储器胞元的流模式的制作方法

本文中公开的至少一些实施例大体上涉及存储器装置，且更特定来说(但不限于)，涉及包含用于存取存储器阵列中的存储器胞元的流模式的存储器装置。

背景技术：

1、存储器装置广泛用于存储例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物的各种电子装置中的信息。信息通过对存储器装置的不同状态进行编程来存储。举例来说，二进制装置具有两种状态，通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其它系统中，可存储多于两种状态。为了存取存储信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的存储状态。为了存储信息，电子装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。

2、存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)等等。存储器装置可为易失性或非易失性的。非易失性存储器胞元可长时间维持其存储的逻辑状态，即使缺少外部电源。易失性存储器胞元会随时间而失去其存储状态，除非其由外部电源周期性刷新。

3、存储装置是存储器装置的实例。典型计算机存储装置具有控制器，其从主机计算机接收数据存取请求及执行编程计算任务以依可特定于配置于存储装置中的媒体及结构的方式实施请求。在一个实例中，存储器控制器管理存储于存储器中的数据且与计算机装置通信。在一些实例中，存储器控制器在固态硬盘中用于移动装置或笔记本或数码相机中使用的媒体中。

4、固件可用于操作特定存储装置的存储器控制器。在一个实例中，当计算机系统或装置从存储器装置读取数据或将数据写入到存储器装置时，其与存储器控制器通信。

5、存储器装置通常将数据存储于存储器胞元中。在一些情况中，存储器胞元展现非均匀可变电特性，其可源自包含统计过程变化、循环事件(例如对存储器胞元的读取或写入操作)或漂移(例如硫属化物合金的电阻变化)等等的各种因素。

6、在一个实例中，读取数据集(例如码字、页面)通过确定存储数据集的存储器胞元的读取电压(例如阈值电压的估计中值)来实施。在一些情况中，存储器装置可包含布置成3d架构的pcm胞元阵列，例如用于存储数据集的交叉点架构。交叉点架构中的pcm胞元可表示与第一组阈值电压相关联的第一逻辑状态(例如逻辑1、设置状态)或与第二组阈值电压相关联的第二逻辑状态(例如逻辑0、复位状态)。在一些情况中，数据可使用编码(例如错误校正编码(ecc))来存储以从存储于存储器胞元中的数据中的错误恢复数据。

7、针对电阻可变存储器胞元(例如pcm胞元)，可设置数种状态(例如电阻状态)中的一者。举例来说，单电平胞元(slc)可经编程到两种状态(例如逻辑1或0)中的一者，这可取决于胞元是编程到高于还是低于特定电平的电阻。作为额外实例，各种电阻可变存储器胞元可经编程到对应于多种数据状态的多种不同状态中的一者，例如10、01、00、11、111、101、100、1010、1111、0101、0001等。此类胞元可称为多状态胞元、多数字胞元及/或多电平胞元(mlc)。

8、电阻可变存储器胞元的状态可通过感测响应于外加询问电压而通过胞元的电流来确定(例如读取)。基于胞元的电阻而改变的感测电流可指示胞元的状态(例如由胞元存储的二进制数据)。经编程电阻可变存储器胞元的电阻可随时间漂移(例如移位)。电阻漂移可导致错误地感测电阻可变存储器胞元(例如，确定胞元处于除其被编程到的状态之外的状态中以及其它问题)。

9、举例来说，pcm胞元可经编程到复位状态(非晶态)或设置状态(晶态)。复位脉冲(例如用于将胞元编程到复位状态的脉冲)可包含相对高电流脉冲，其在相对短时段内施加于胞元，使得胞元的相变材料熔化且快速冷却，从而导致相对少量结晶。相反地，设置脉冲(例如用于将胞元编程到设置状态的脉冲)可包含相对较低电流脉冲，其在相对较长时间间隔内且以较慢淬火速度施加于胞元，这导致相变材料结晶增加。

10、编程信号可经施加于选定存储器胞元以将胞元编程到目标状态。读取信号可经施加于选定存储器胞元以读取胞元(例如，确定胞元的状态)。举例来说，编程信号及读取信号可为电流及/或电压脉冲。

技术实现思路

技术特征：

1.一种设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中：

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以：

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述确定在读取所述第一存储器胞元之后执行。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以：

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述下一读取操作在读取所述第二存储器胞元之后执行，且所述下一读取操作包括读取使用所述字线存取的第三存储器胞元。

7.根据权利要求5所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以：

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使用所述偏压电路系统使用于存取所述第一存储器胞元的第一数字线偏压。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述第一数字线经偏压以准备读取所述第一存储器胞元。

10.根据权利要求8所述的设备，其中所述第一数字线在所述字线的所述电压处于所述初始电压之后偏压。

技术总结本发明涉及用于存储器装置的系统、方法及设备。在一种方法中，存储器装置在存取存储器阵列中的存储器胞元时选择性地进入流模式。控制器针对新读取操作确定将在流模式还是随机模式中存取存储器胞元。使用字线寻址的第一存储器胞元由所述控制器读取。所述字线被充电到初始电压用于读取所述第一存储器胞元。当在所述流模式中时，不是在读取所述第一存储器胞元之后使所述字线放电，如针对随机模式所做，而是所述控制器保持所述字线上的最小偏压且使所述字线再次返回到所述初始电压用于执行下一读取操作以读取第二存储器胞元。此节省存储器装置功率。技术研发人员：A·马丁内利,C·V·A·劳伦特,F·贝代斯基,E·博兰里那受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/3/4