用于QLC/TLC管芯的混合智能验证的制作方法

背景技术：

1、本公开涉及非易失性存储器。

2、半导体存储器广泛用于各种电子设备，诸如蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、医疗电子器件、移动计算设备、服务器、固态驱动器、非移动计算设备和其他设备。半导体存储器可以包括非易失性存储器或易失性存储器。即使当非易失性存储器未连接到电源(例如，电池)时，非易失性存储器也允许存储和保留信息。

3、存储器系统中的存储器结构通常含有许多存储器单元及各种控制线。存储器结构可以是三维的。一种类型的三维结构具有布置为垂直nand串的非易失性存储器单元。存储器结构可以布置成通常被称为物理块的单元。例如，nand存储器系统中的块含有许多nand串。nand串包含串联连接的存储器单元晶体管、在一端的漏极侧选择栅极和在另一端的源极侧选择栅极。每个nand串与位线相关联。块通常具有许多字线，该字线向存储器单元晶体管的控制栅极提供电压。在一些架构中，每一字线连接到块中的每一相应nand串上的一个存储器单元的控制栅极。

4、对于存储器(诸如nand)，首先擦除一大组存储器单元。本文中，作为单位被擦除的一组存储器单元称为“擦除块”。在一些情况下，擦除块与物理块一致。在一些情况下，擦除块是物理块的一部分。接着，一次以一个组对擦除块内的存储器单元进行编程。编程单位通常被称为存储器单元的物理页。非易失性存储器单元可以被编程以存储数据。通常，存储器单元被编程为多个数据状态。使用更多数量的数据状态允许每个存储器单元存储更多位。例如，四个数据状态可以用于每个存储器单元存储两位，八个数据状态可以用于每个存储器单元存储三位，16个数据状态可以用于每个存储器单元存储四位等。可以通过在存储器单元内存储电荷来将一些存储器单元编程为数据状态。例如，可以通过将电荷编程到电荷存储区(诸如电荷俘获层)中来将nand存储器单元的阈值电压(vt)设置为目标vt。存储在电荷俘获层中的电荷量建立存储器单元的vt。

5、在编程操作期间，将一系列编程电压脉冲施加到存储器单元的控制栅极。每个电压脉冲的幅值可以在处理中从先前编程脉冲逐步增加一个步长，该处理被称为增量步进脉冲编程。一个或多个验证操作可以跟随在编程电压之后，以确定存储器单元是否已被编程到对应的一个或多个目标数据状态。在一些技术中，在编程脉冲之后仅验证目标验证状态的子集。每个验证操作花费有限的时间量；因此，减少验证操作的总数减少了编程时间。减少验证操作的总数还节省了电流和/或功率。

6、然而，在确定应在给定编程脉冲之后验证哪些状态方面存在技术挑战。如果在编程脉冲之后跳过目标状态的验证，则可能发生目标状态的存储器单元的过度编程。另一方面，可能由于在编程过程中过早验证目标状态而浪费时间、电流和/或功率。

技术实现思路

技术特征：

1.一种装置，包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个控制电路被进一步配置为：

3.根据权利要求2所述的装置，其中：

4.根据权利要求3所述的装置，其中：

5.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一组包括：

6.根据权利要求5所述的装置，其中：

7.根据权利要求5所述的装置，其中所述第二组包括：

8.根据权利要求1所述的装置，其中基于所述四位代码的所述四页中的三页使用所述三位代码对所述存储器结构中的所述第二组所述存储器单元进行编程包括所述一或多个控制电路被进一步配置为：

9.根据权利要求8所述的装置，其中所述一个或多个控制电路被进一步配置为：

10.一种用于操作非易失性存储装置的方法，所述方法包括：

技术总结本申请题为“用于QLC/TLC管芯的混合智能验证”。本文公开了用于在具有每单元四位编程模式(或X4模式)并且还具有每单元三位编程模式(或X3模式)的存储器系统中的智能验证的技术。X3模式使用基于X4模式的四位格雷码的三位格雷码。存储器系统跳过对X3模式中的状态的验证，同时使用来自X4模式的编程逻辑的相当大部分。在一个X3模式中，存储器系统跳过B状态验证，而具有高于A状态验证电压的Vt的存储器单元的数量低于阈值。在一个X3模式中，存储器系统基于第一测试确定是否跳过对第一组数据状态的验证，并且基于第二测试确定是否跳过对第二组数据状态的验证。技术研发人员：杨翔,H·秦,E•佩佐,M•马苏杜扎曼受保护的技术使用者：闪迪技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/3/4