存储装置及其操作方法与流程

本公开关于一种存储装置及其操作方法。

背景技术：

1、各种操作在存储装置中执行。举例来说，在nand闪存中，可以自动执行垃圾回收处理(garbage collection process)，以释放存储器空间。数据以称为页(page)的单位写入nand闪存。然而，nand闪存通常是以较大的称为区块(block)的单元来擦除。如果不再需要区块某些页中的数据，那么为了释放存储器空间，区块中具有有效数据的页会被读取并重写至闲置区块，然后就能够擦除整个区块。如此一来，便能够释放所述区块的空间供新的数据使用，以保持nand闪存的写入效率。

2、随着三维的nand闪存的密度增加，每个区块的页数也增加。由于在垃圾回收处理过程需要将要擦除的块中所有具有有效数据的页复制到闲置区块，因此写入放大随着每个区块的页数增加而增大。增大的写入放大可能会缩短存储单元的寿命。此外，垃圾回收的耗时增加，进而增大读取和写入的输入/输出请求的访问延迟，从而大幅降低整体性能。

技术实现思路

1、在本公开中，改善了存储装置的各种操作。

2、根据一些实施例提供了一种存储装置，所述存储装置包括多个平面(plane)，分别包括多个区块。每个区块包括多个子区块。每个子区块包括一串行选择线、一接地选择线、多个字线、多个串行、多个位线和一共用源极线。字线位于串行选择线与接地选择线之间。串行跨越串行选择线、字线和接地选择线。位线在一串行选择线侧连接串行。共用源极线在一接地选择线侧连接串行。一个区块的子区块共用位线、字线和共用源极线。在一擦除操作中，一开关电压施加至一选定区块的一选定子区块的串行选择线和接地选择线中的至少一个，一栅极控制电压施加至选定子区块的多个选定字线，一擦除电压施加至选定子区块的位线和共用源极线，其中，开关电压小于擦除电压。栅极控制电压小于开关电压和擦除电压。

3、根据一些实施例提供了一种存储装置的操作方法，所述操作方法包括一擦除操作，所述擦除操作包括：施加一开关电压至一区块的一选定子区块的一串行选择线和一接地选择线中的至少一个；施加一栅极控制电压至选定子区块的多个选定字线；以及施加一擦除电压至选定子区块的多个位线和一共用源极线。开关电压小于擦除电压。栅极控制电压小于开关电压和擦除电压。

4、为了对本公开的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附附图详细说明如下。

技术特征：

1.一种存储装置，其特征在于，包括：

2.一种存储装置的操作方法，其特征在于，包括：

3.根据权利要求2所述的存储装置的操作方法，其中，在所述区块中，要擦除的是整个所述选定子区块，所述擦除操作包括：

4.根据权利要求2所述的存储装置的操作方法，其中，所述选定子区块包括一第一组字线、一组虚拟字线和一第二组字线，所述第一组字线位于所述串行选择线与与该组虚拟字线之间，所述第二组字线位于所述接地选择线与该组虚拟字线之间，且其中，在所述区块中，要擦除的只是与所述第一组字线对应的多个页，所述擦除操作包括：

5.根据权利要求2所述的存储装置的操作方法，其中，所述选定子区块包括一第一组字线、一组虚拟字线和一第二组字线，所述第一组字线位于所述串行选择线与该组虚拟字线之间，所述第二组字线位于所述接地选择线与该组虚拟字线之间，且其中，在所述区块中，要擦除的只是与所述第二组字线对应的多个页，所述擦除操作包括：

6.根据权利要求2所述的存储装置的操作方法，其中，所述开关电压比所述擦除电压小5v至15v，所述栅极控制电压为零电压或正偏压。

7.根据权利要求2所述的存储装置的操作方法，还包括：

8.根据权利要求7所述的存储装置的操作方法，包括一写入操作，所述写入操作包括所述平面间映像程序，所述逻辑区块被写入。

9.根据权利要求7所述的存储装置的操作方法，包括一读取操作，所述读取操作包括所述平面间映像程序，所述逻辑区块被读取。

10.根据权利要求7所述的存储装置的操作方法，包括一垃圾回收处理，所述垃圾回收处理包括所述平面间映像程序和所述擦除操作。

技术总结本公开提供一种存储装置及其操作方法，该操作方法包括：在一擦除操作中，一开关电压施加至一选定区块的一选定子区块的一串行选择线和一接地选择线中的至少一个，一栅极控制电压施加至选定子区块的多个选定字线，一擦除电压施加至选定子区块的多个位线和一共用源极线。开关电压小于擦除电压。栅极控制电压小于开关电压和擦除电压。技术研发人员：吕君章,蔡文哲,林威良受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/3/4