存储单元结构及动态随机存取存储单元结构的制作方法

本技术实施例是有关于一种存储单元结构及动态随机存取存储单元结构。

背景技术：

1、存储器装置被广泛用于各种应用中。存储器装置由多个存储单元构成，所述多个存储单元通常被布置成多个列及多个行的阵列。一种类型的存储单元包括动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)单元。在一些应用中，由于相对于例如静态随机存取存储器(static random access memory，sram)单元或另一种类型的存储单元而言，dram单元的成本更低、面积更小且能够保存更大量的数据，因此可选择基于dram单元的存储器装置，而非基于其它类型的存储单元的存储器装置。

技术实现思路

1、本实用新型实施例提供一种存储单元结构，包括：第一晶体管，与字线导电结构及位线导电结构耦合；第二晶体管，位于所述第一晶体管上方且与所述第一晶体管耦合并且耦合至接地导电结构；以及第三晶体管，位于所述第二晶体管上方且与所述第二晶体管、写入字线导电结构及写入位线导电结构耦合，其中所述第二晶体管或所述第三晶体管中的至少一者包括沟道层，所述沟道层包括：经倒置近似u形部分；以及多个延伸部分，各自与所述经倒置近似u形部分的相应端部耦合。

2、本实用新型实施例提供一种动态随机存取存储单元结构，包括：第一晶体管，与字线导电结构及位线导电结构耦合；第二晶体管，位于所述第一晶体管上方且与所述第一晶体管耦合并且耦合至接地导电结构，其中所述第二晶体管包括：第一多个源极/漏极区；第一沟道层，位于所述第一多个源极/漏极区上方；以及第一栅极结构，位于所述第一多个源极/漏极区上方且至少局部地包绕于所述第一沟道层周围；以及第三晶体管，位于所述第二晶体管上方且与所述第二晶体管、写入字线导电结构及写入位线导电结构耦合，其中所述第三晶体管包括：第二多个源极/漏极区；第二沟道层，位于所述第二多个源极/漏极区上方；以及第二栅极结构，位于所述第二多个源极/漏极区上方且至少局部地包绕于所述第二沟道层周围。

技术特征：

1.一种存储单元结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，其中所述经倒置近似u形部分包括：

3.根据权利要求2所述的存储单元结构，其特征在于，其中所述多个延伸部分包括：

4.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，其中所述第一晶体管包括：

5.根据权利要求4所述的存储单元结构，其特征在于，其中所述第一晶体管包括：

6.一种动态随机存取存储单元结构，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的动态随机存取存储单元结构，其特征在于，其中所述字线导电结构是位于所述第一晶体管下方的读取字线导电结构；

8.根据权利要求6所述的动态随机存取存储单元结构，其特征在于，其中所述接地导电结构位于所述第二晶体管下方及所述第一晶体管上方；

9.根据权利要求6所述的动态随机存取存储单元结构，其特征在于，其中所述写入位线导电结构位于所述第二晶体管上方及所述第三晶体管下方；

10.根据权利要求6所述的动态随机存取存储单元结构，其特征在于，其中所述第一沟道层或所述第二沟道层中的至少一者对应于近似欧姆符号。

技术总结本技术实施例提供一种存储单元结构及动态随机存取存储单元结构。无电容器动态随机存取存储器(DRAM)单元可包括多个晶体管。晶体管中的至少一个子集可包括近似地类似于经倒置U形状、欧姆符号(ohm，Ω)形状或大写字母的/大写亚米茄(omega，Ω)形状的沟道层。沟道层的特定形状为晶体管的子集提供增大的沟道长度，此可减小关断电流且可减小晶体管的子集中的电流泄漏。减小的关断电流及减小的电流泄漏可增加晶体管的子集中的数据保持力及/或可增加晶体管的子集的可靠性，而不增大晶体管的子集的覆盖区。此外，沟道层的特定形状使得能够利用顶部栅极结构形成晶体管的子集，此会提供与无电容器DRAM单元中的其他晶体管的低集成复杂度。技术研发人员：高韵峯,凌嘉佑,姜慧如受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：20230802技术公布日：2024/3/4