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用于多裸片存储器装置的字线驱动器的制作方法

  • 国知局
  • 2024-07-31 19:42:34

涉及用于多裸片存储器装置的字线驱动器。

背景技术:

1、存储器装置广泛地用于将信息存储在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。例如,二进制存储器单元可编程为两个支持状态中的一个,经常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中,单个存储器单元可支持多于两个状态,其中的任一状态可存储。为存取所存储信息,组件可读取(例如,感测、检测、检索、识别、确定、评估)存储器装置中的所存储状态。为存储信息,组件可在存储器装置中写入(例如,编程、设置、指派)状态。

2、存在各种类型的存储器装置,包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选存储器、硫族化物存储器技术、“或非”(nor)和“与非”(nand)存储器装置等。可根据易失性配置或非易失性配置描述存储器单元。以非易失性配置而配置的存储器单元即使在没有外部电源的情况下也可在很长一段时间内维持所存储的逻辑状态。以易失性配置而配置的存储器单元可能会在与外部电源断开连接时失去所存储状态。

技术实现思路

1、描述了一种设备。所述设备可包含包括多个字线导体的第一半导体裸片,所述多个字线导体中的每一字线导体可操作以存取所述第一半导体裸片的一或多个存储器单元的相应集合;包括多个字线驱动器电路的第二半导体裸片,所述多个字线驱动器电路中的每一字线驱动器电路可操作以至少部分地基于多个第一字线解码器信号中的相应第一字线解码器信号和与所述相应第一字线解码器信号的逻辑反相关联的相应第二字线解码器信号来偏置所述多个字线导体中的相应字线导体;以及多个电触点,所述多个电触点中的每一电触点延伸穿过所述第二半导体裸片的至少一部分且使所述多个字线导体中的相应字线导体与所述多个字线驱动器电路中的相应字线驱动器电路耦合。

2、描述了一种方法。所述方法可包含形成包括多个字线导体的第一半导体裸片,所述多个字线导体中的每一字线导体可操作以存取所述第一半导体裸片的一或多个存储器单元的相应集合;形成包括多个字线驱动器电路的第二半导体裸片,所述多个字线驱动器电路中的每一字线驱动器电路可操作以至少部分地基于多个第一字线解码器信号中的相应第一字线解码器信号和与所述相应第一字线解码器信号的逻辑反相关联的相应第二字线解码器信号来偏置所述多个字线导体中的相应字线导体;以及形成多个电触点,所述多个电触点中的每一电触点延伸穿过所述第二半导体裸片的至少一部分且使所述多个字线导体中的相应字线导体与所述多个字线驱动器电路中的相应字线驱动器电路耦合。

3、描述了另一种方法。所述方法可包含至少部分地基于偏置所述第一半导体裸片的字线导体来存取第一半导体裸片的一或多个存储器单元的集合,其中偏置所述字线导体包括:激活第二半导体裸片的第一晶体管的第一沟道,所述第一沟道电耦合于所述字线导体与所述第二半导体裸片的字线选择电压源之间;以及撤销激活所述第二半导体裸片的第二晶体管的第二沟道,所述第二沟道电耦合于所述字线导体与所述第二半导体裸片的字线取消选择电压源之间。

技术特征:

1.一种设备,其包括:

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个电触点中的每一电触点延伸穿过所述第二半导体裸片的结晶衬底。

3.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个字线驱动器电路中的每一字线驱动器电路包括:

4.根据权利要求3所述的设备,其中所述字线选择电压源输出针对所述多个字线导体的相应子集进行解码的字线选择电压。

5.根据权利要求4所述的设备,其中所述第二半导体裸片包括能够操作以输出所述多个第一字线解码器信号和经解码字线选择电压的字线解码器。

6.根据权利要求3所述的设备,其中:

7.根据权利要求3所述的设备,其中:

8.根据权利要求3所述的设备,其中所述第一沟道部分和所述第二沟道部分各自包括所述第二半导体裸片的结晶衬底的相应掺杂部分。

9.根据权利要求3所述的设备,其中所述多个字线驱动器电路的所述第一沟道部分和所述第二沟道部分与同一晶体管沟道类型相关联。

10.根据权利要求3所述的设备,其中对于所述多个字线驱动器电路中的每一字线驱动器电路,所述第一栅极部分和所述第二栅极部分具有沿着远离所述第二半导体裸片的衬底的方向的至少部分地重叠的相应延伸部。

11.根据权利要求3所述的设备,其中对于所述多个字线驱动器电路中的多个字线驱动器电路的集合,相应第一栅极部分由栅极材料的连续第一部分形成,且相应第二栅极部分由所述栅极材料的连续第二部分形成。

12.根据权利要求11所述的设备,其中对应于多个字线驱动器电路的所述集合的所述字线导体中的两个或更多个具有沿着远离所述第一半导体裸片的衬底的方向的不同位置。

13.根据权利要求11所述的设备,其中对应于多个字线驱动器电路的所述集合的所述字线导体中的两个或更多个具有沿着在所述第一半导体裸片的衬底上方的方向的不同位置。

14.一种方法,其包括:

15.根据权利要求14所述的方法,其进一步包括:

16.根据权利要求14所述的方法,其中形成所述多个字线驱动器电路中的每一字线驱动器电路包括:

17.根据权利要求16所述的方法,其中形成所述多个字线驱动器电路的所述第一沟道部分和所述第二沟道部分包括掺杂所述第二半导体裸片的衬底的结晶半导体的相应部分。

18.根据权利要求16所述的方法,其中对于所述多个字线驱动器电路中的多个字线驱动器电路的集合,相应第一栅极部分由栅极材料的连续第一部分形成,且相应第二栅极部分由所述栅极材料的连续第二部分形成。

19.一种方法,其包括:

20.根据权利要求19所述的方法,其中偏置所述字线导体包括:

21.根据权利要求19所述的方法,其中:

22.根据权利要求21所述的方法,其进一步包括:

23.根据权利要求22所述的方法,其进一步包括:

24.根据权利要求22所述的方法,其进一步包括:

25.根据权利要求24所述的方法,其进一步包括:

技术总结本申请涉及用于多裸片存储器装置的字线驱动器。存储器装置可包含至少与所述存储器装置的存储器单元和对应存取线相关联的第一半导体裸片,和至少与所述存储器装置的存取线驱动器电路系统相关联的第二半导体裸片。所述第二半导体裸片可定位成与所述第一半导体裸片接触或以其它方式邻近于所述第一半导体裸片,且电触点可形成为使所述第二半导体裸片的所述存取线驱动器电路系统与所述第一半导体裸片的所述存取线导体耦合。举例来说,空腔可穿过所述第二半导体裸片和所述第一半导体裸片的至少一部分形成,且所述电触点可至少部分地由在所述空腔中形成导电材料而形成于所述半导体裸片之间。技术研发人员:F·A·席赛克·艾吉,崔铭栋受保护的技术使用者:美光科技公司技术研发日:技术公布日:2024/3/4

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