存储器控制装置及其刷新控制方法与流程

公开涉及存储器系统，并且更具体地，涉及具有存储器控制装置和存储器控制装置中的刷新控制逻辑的存储器系统以及操作所述存储器系统的方法。

背景技术：

1、易失性存储器装置(诸如，动态随机存取存储器(dram))可通过将电荷存储在存储器单元的电容器内来存储数据，并且可通过确定存储在电容器中的电荷来读取数据。因为存储在电容器中的电荷可随时间泄漏，所以存储器装置可周期性地对存储器单元执行刷新操作。

2、存储器装置的存储器控制器可随机地访问存储器装置的地址，并且可频繁地或集中地访问特定地址。随着存储器装置中的存储器单元的密度增大，由于行的电压分布，邻近的行的存储器单元中的电荷的影响可增大。特别地，当通过重复地访问特定行而引起的“攻击”被执行时，由于特定行的激活状态的电压，存储在邻近的(一个或多个)行的存储器单元中的数据可被改变并且生成数据错误。dram装置内的这种现象被称为“行锤击(rowhammering)”。未应用攻击防御功能(诸如，行锤击防御功能)或未应用最新的攻击防御功能的存储器装置可易受这样的攻击。

技术实现思路

1、一些实施例包括将攻击防御功能提供给存储器装置的存储器控制装置及其刷新控制方法。

2、根据一些实施例，可提供一种存储器控制装置，包括第一存储器模块的一个或多个存储器模块连接到所述存储器控制装置。所述存储器控制装置可包括阈值生成电路和攻击防御电路。阈值生成电路可基于与第一存储器模块相关联的信息来设置用于第一存储器模块的第一阈值。攻击防御电路可对输入行地址进行计数，并且将第一存储器模块的行地址之中的其计数值超过第一阈值的行地址判定为第一存储器模块的攻击者行地址。

3、根据附加的实施例，可提供一种存储器控制装置，多个存储器模块连接到所述存储器控制装置。所述存储器控制装置可包括阈值生成电路、计数器电路、比较器电路和地址寄存器。阈值生成电路可基于与所述多个存储器模块中的每个相关联的信息，来设置用于所述多个存储器模块中的每个的阈值。计数器电路可对输入行地址进行计数。比较器电路可将输入行地址的计数值与所述多个存储器模块之中的输入行地址所属的目标存储器模块的所述阈值进行比较。地址寄存器存储输入行地址，并且当输入行地址的计数值超过目标存储器模块的所述阈值时，输入行地址可被确定为目标存储器模块的攻击者行地址。

4、根据一些实施例，可提供一种存储器控制器的刷新控制方法，存储器控制器结合到一个或多个存储器模块。所述刷新控制方法可包括：(i)接收输入行地址，(ii)基于所述一个或多个存储器模块之中的输入行地址所属的目标存储器模块的信息，来设置用于目标存储器模块的阈值，(iii)将输入行地址的计数值与所述阈值进行比较，(iv)当所述计数值超过所述阈值时，将输入行地址确定为攻击者行地址，以及(v)指示目标存储器模块刷新基于攻击者行地址确定的行。

技术特征：

1.一种存储器控制装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器控制装置，其中，阈值生成电路还被配置为：通过将初始阈值与基于与第一存储器模块相关联的信息确定的附加值相加，来设置第一阈值。

3.根据权利要求2所述的存储器控制装置，其中，与第一存储器模块相关联的信息包括以下中的至少一个：第一存储器模块的识别信息、第一存储器模块的性能、和第一存储器模块的可靠性。

4.根据权利要求3所述的存储器控制装置，其中，附加值包括基于第一存储器模块的识别信息确定的值。

5.根据权利要求3所述的存储器控制装置，其中，附加值包括基于第一存储器模块的性能确定的值；并且其中，阈值生成电路还被配置为：随着第一存储器模块的性能增大而增大所述值。

6.根据权利要求3所述的存储器控制装置，其中，附加值包括基于第一存储器模块的可靠性确定的值；并且其中，阈值生成电路还被配置为：随着第一存储器模块的可靠性增大而增大所述值。

7.根据权利要求1所述的存储器控制装置，

8.根据权利要求7所述的存储器控制装置，其中，阈值生成电路包括：

9.根据权利要求7所述的存储器控制装置，其中，阈值生成电路还被配置为：

10.根据权利要求1所述的存储器控制装置，

11.根据权利要求10所述的存储器控制装置，

12.根据权利要求10所述的存储器控制装置，其中，阈值生成电路还被配置为：基于与目标存储器模块相关联的信息，从所述多个阈值之中选择用于目标存储器模块的阈值。

13.根据权利要求1所述的存储器控制装置，其中，攻击防御电路还被配置为：响应于确定所述计数值超过第一阈值，将指示刷新基于攻击者行地址确定的行的信号传送到第一存储器模块。

14.一种存储器控制装置，多个存储器模块连接到所述存储器控制装置，所述存储器控制装置包括：

15.根据权利要求14所述的存储器控制装置，其中，比较器电路还被配置为：当输入行地址的计数值超过用于目标存储器模块的阈值时，输出指示目标存储器模块刷新基于攻击者行地址确定的行的信号。

16.根据权利要求14所述的存储器控制装置，还包括：

17.根据权利要求14所述的存储器控制装置，

18.根据权利要求14至17中的任意一项所述的存储器控制装置，其中，阈值生成电路还被配置为：通过将初始阈值与基于与所述多个存储器模块中的每个相关联的信息而确定的相加值相加，来设置用于所述多个存储器模块中的每个的阈值。

19.根据权利要求18所述的存储器控制装置，其中，与所述多个存储器模块中的每个相关联的信息包括以下中的至少一个：所述多个存储器模块中的每个的识别信息、所述多个存储器模块中的每个的性能、和所述多个存储器模块中的每个的可靠性。

20.一种存储器控制器的刷新控制方法，一个或多个存储器模块连接到存储器控制器，所述刷新控制方法包括：

技术总结提供了存储器控制装置及其刷新控制方法。所述存储器控制装置包括阈值生成电路，阈值生成电路被配置为：设置用于电结合到所述存储器控制装置的第一存储器模块的第一阈值。第一阈值基于与第一存储器模块相关联的信息。攻击防御电路还被设置，攻击防御电路被配置为：对输入行地址进行计数，并将第一存储器模块的行地址之中的其计数值超过第一阈值的行地址判定为攻击者行地址。技术研发人员：高准英,朴政民,朴彰辉受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/3/4