驱动电路、存储器装置及其操作方法

本公开的实施例涉及一种驱动电路、存储器装置及其操作方法。

背景技术：

1、阻变存储器(resistive random access memory,rram)是一种可以通过施加外部激励，调节其电导状态的非易失型存储器件，可以基于阻值变化来记录并存储数据信息，具有高速度、低功耗、尺寸小等特点。阻变存储器在人工智能、神经网络以及存储器等领域具有较好的应用前景，已经越来越多地受到学术界和产业界的关注。

技术实现思路

1、本公开至少一实施例提供一种驱动电路，该驱动电路包括：耦接的第一控制电路、限流电路和第二控制电路，在所述驱动电路的工作模式为自停止模式下，所述第一控制电路配置为根据第一控制信号开启，以将限流操作信号线上的限流电压传输到所述限流电路；所述限流电路配置为根据所述限流电压开启，以将第一操作信号施加到与所述驱动电路的输出端连接的负载信号线上；所述第二控制电路配置为根据第二控制信号开启，以将第二操作信号传输到所述限流电路，根据所述第二操作信号和来自所述负载信号线的反馈信号控制所述限流电路停止施加所述第一操作信号到所述负载信号线上。

2、例如，在本公开至少一实施例提供的驱动电路中，所述驱动电路的所述工作模式还包括关断模式和限流模式，在所述关断模式下，所述第一控制电路配置为根据所述第一控制信号开启，将所述限流操作信号线上的关断电压传输到所述限流电路以关闭所述限流电路；在所述限流模式下，所述第一控制电路配置为根据所述第一控制信号开启，以将所述限流操作信号线上的所述限流电压传输到所述限流电路，所述限流电路配置为根据所述限流电压将所述负载信号线上的电流限制为不高于预设电流，所述第二控制电路配置为根据所述第二控制信号关断。

3、例如，在本公开至少一实施例提供的驱动电路中，所述限流电路通过第一操作信号线接收所述第一操作信号，所述第二控制电路通过第二操作信号线接收所述第二操作信号，或者，所述限流电路和所述第二控制电路通过同一条操作信号线接收所述第一操作信号和所述第二操作信号，其中，所述第一操作信号和所述第二操作信号的电压相同。

4、例如，在本公开至少一实施例提供的驱动电路中，所述第二控制电路包括反馈开关电路和采样电路，所述反馈开关电路配置为根据所述第二控制信号导通或截止以开启或关闭所述第二控制电路，所述采样电路配置为导通时根据所述反馈信号和所述第二操作信号控制所述限流电路停止施加所述第一操作信号到所述负载信号线上。

5、例如，在本公开至少一实施例提供的驱动电路中，所述第一控制电路包括第一开关组件，所述限流电路包括第二晶体管，所述反馈开关电路包括第三晶体管，所述采样电路包括第四晶体管，所述第一开关组件的第一端通过限流操作信号线与第一电压源连接；所述第二晶体管的控制极与所述第一开关组件的第二端连接，所述第二晶体管的第一极与第二电压源连接以接收所述第一操作信号，所述第二晶体管的第二极与所述负载信号线连接；所述第三晶体管的控制极与第三电压源连接以接收所述第二控制信号，所述第三晶体管的第一极与第四电压源连接以接收所述第二操作信号，所述第三晶体管的第二极与所述第四晶体管的第一极连接；所述第四晶体管的控制极与所述负载信号线连接，所述第四晶体管的第一极与所述第三晶体管的第二极连接以接收所述第二操作信号，所述第四晶体管的第二极与所述第二晶体管的控制极连接。

6、例如，在本公开至少一实施例提供的驱动电路中，所述第一控制电路包括第一开关组件，所述限流电路包括第二晶体管，所述反馈开关电路包括第三晶体管，所述采样电路包括第四晶体管，所述第一开关组件的第一端通过限流操作信号线与第一电压源连接；所述第二晶体管的控制极与所述第一开关组件的第二端连接，所述第二晶体管的第一极与第二电压源连接以接收所述第一操作信号，所述第二晶体管的第二极与所述负载信号线连接；所述第三晶体管的控制极与第三电压源连接以接收所述第二控制信号，所述第三晶体管的第一极与所述第四晶体管的第二极连接，所述第三晶体管的第二极与所述第二晶体管的控制极连接；所述第四晶体管的控制极与所述负载信号线连接，所述第四晶体管的第一极与第四电压源连接以接收所述第二操作信号。

7、例如，在本公开至少一实施例提供的驱动电路中，所述第一开关组件包括第一n型晶体管和第一p型晶体管，所述第一n型晶体管和/或所述第一p型晶体管以及所述第四晶体管的驱动强度共同决定关闭所述驱动电路的阈值电压；或者，所述第一开关组件仅包括第一n型晶体管，所述第一n型晶体管和所述第四晶体管的驱动强度共同决定关闭所述驱动电路的阈值电压；或者，所述第一开关组件仅包括第一p型晶体管，所述第一p型晶体管和所述第四晶体管的驱动强度共同决定关闭所述驱动电路的阈值电压。

8、本公开至少一实施例还提供一种存储器装置，所述存储器装置包括：一个或多个存储器阵列，每个所述存储器阵列包括一列或多列存储单元和分别与所述一列或多列存储单元连接的一条或多条位线；驱动模块，包括一个或多个驱动电路，每个所述驱动电路包括耦接的第一控制电路、限流电路和第二控制电路，在所述驱动电路的工作模式为自停止模式下，所述第一控制电路配置为根据第一控制信号开启，以将限流操作信号线上的限流电压传输到所述限流电路；所述限流电路配置为根据所述限流电压开启，以将第一操作信号施加到与所述驱动电路的输出端连接的位线上；所述第二控制电路配置根据第二控制信号开启，以将第二操作信号传输到所述限流电路，根据所述第二操作信号和来自所述位线的反馈信号控制所述限流电路停止施加所述第一操作信号到所述位线上。

9、例如，在本公开至少一实施例提供的存储器装置中，所述驱动电路的所述工作模式还包括关断模式和限流模式，在所述关断模式下，所述第一控制电路配置为根据所述第一控制信号开启，将所述限流操作信号线上的关断电压传输到所述限流电路以关闭所述限流电路；在所述限流模式下，所述第一控制电路配置为根据所述第一控制信号开启，以将所述限流操作信号线上的所述限流电压传输到所述限流电路，所述限流电路配置为根据所述限流电压将所述位线上的电流限制为不高于预设电流，所述第二控制电路配置为根据所述第二控制信号关断。

10、例如，在本公开至少一实施例提供的存储器装置中，所述限流电路通过第一操作信号线接收所述第一操作信号，所述第二控制电路通过第二操作信号线接收所述第二操作信号，或者，所述限流电路和所述第二控制电路通过同一条操作信号线接收所述第一操作信号和所述第二操作信号，其中，所述第一操作信号和所述第二操作信号的电压相同。

11、例如，在本公开至少一实施例提供的存储器装置中，所述第二控制电路包括反馈开关电路和采样电路，所述反馈开关电路配置为根据所述第二控制信号导通或截止以开启或关闭所述第二控制电路，所述采样电路配置为导通时根据所述反馈信号和所述第二操作信号控制所述限流电路停止施加所述第一操作信号到所述位线上。

12、例如，在本公开至少一实施例提供的存储器装置中，所述第一控制电路包括第一开关组件，所述限流电路包括第二晶体管，所述反馈开关电路包括第三晶体管，所述采样电路包括第四晶体管，所述第一开关组件的第一端通过限流操作信号线与第一电压源连接；所述第二晶体管的控制极与所述第一开关组件的第二端连接，所述第二晶体管的第一极与第二电压源连接以接收所述第一操作信号，所述第二晶体管的第二极与所述位线连接；所述第三晶体管的控制极与第三电压源连接以接收所述第二控制信号，所述第三晶体管的第一极与第四电压源连接以接收所述第二操作信号，所述第三晶体管的第二极与所述第四晶体管的第一极连接；所述第四晶体管的控制极与所述位线连接，所述第四晶体管的第一极与所述第三晶体管的第二极连接以接收所述第二操作信号，所述第四晶体管的第二极与所述第二晶体管的控制极连接。

13、例如，在本公开至少一实施例提供的存储器装置中，所述第一控制电路包括第一开关组件，所述限流电路包括第二晶体管，所述反馈开关电路包括第三晶体管，所述采样电路包括第四晶体管，所述第一开关组件的第一端通过限流操作信号线与第一电压源连接；所述第二晶体管的控制极与所述第一开关组件的第二端连接，所述第二晶体管的第一极与第二电压源连接以接收所述第一操作信号，所述第二晶体管的第二极与所述位线连接；所述第三晶体管的控制极与第三电压源连接以接收所述第二控制信号，所述第三晶体管的第一极与所述第四晶体管的第二极连接，所述第三晶体管的第二极与所述第二晶体管的控制极连接；所述第四晶体管的控制极与所述位线连接，所述第四晶体管的第一极与第四电压源连接以接收所述第二操作信号。

14、例如，在本公开至少一实施例提供的存储器装置中，所述第一开关组件包括第一n型晶体管和第一p型晶体管，所述第一n型晶体管和所述第四晶体管的驱动强度共同决定关闭所述驱动电路的阈值电压；或者，所述第一开关组件仅包括第一n型晶体管，所述第一n型晶体管和/或所述第一p型晶体管以及所述第四晶体管的驱动强度共同决定关闭所述驱动电路的阈值电压；或者，所述第一开关组件仅包括第一p型晶体管，所述第一p型晶体管和所述第四晶体管的驱动强度共同决定关闭所述驱动电路的阈值电压。

15、例如，在本公开至少一实施例提供的存储器装置中，所述一个或多个驱动电路的输出端分别与所述一条或多条位线连接；或者，所述一个或多个驱动电路的输出端通过列选择开关电路与选中的一条或多条位线连接；或者，所述一个或多个驱动电路的输出端通过阵列选择开关电路分别与所述一个或多个存储器阵列中选中的存储器阵列的一条或多条位线连接；或者，所述一个或多个驱动电路的输出端通过所述阵列选择开关电路和所述列选择开关电路分别与选中的存储器阵列中的选中的一条或多条位线连接。

16、本公开至少一实施例还提供一种存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：在自停止模式下，根据所述第一控制信号开启所述驱动模块中的所述一个或多个第一控制电路，以将所述限流操作信号线上的限流电压传输到每个所述驱动电路的所述限流电路；根据所述限流电压开启每个所述驱动电路的所述限流电路，从而将所述第一操作信号施加到与所述位线连接的所述存储单元上；根据所述第二控制信号开启每个所述驱动电路的所述第二控制电路，以将所述第二操作信号传输到每个所述驱动电路的所述限流电路；通过每个所述驱动电路的所述第二控制电路，根据所述第二操作信号和所述位线上的所述反馈信号控制所述限流电路停止施加所述第一操作信号到所述位线上。

17、例如，本公开至少一实施例提供的操作方法还包括：在关断模式下，根据所述第一控制信号开启所述第一控制电路，将所述限流操作信号线上的关断电压传输到所述限流电路以关闭所述限流电路；或者，在限流模式下，根据所述第一控制信号开启所述第一控制电路，以将所述限流操作信号线上的限流电压传输到所述限流电路，通过所述限流电路根据所述限流电压将所述位线上的电流限制为不高于预设电流，根据所述第二控制信号关断所述第二控制电路。