产生表征相对于电压分布施加的读取电压电平的元数据的存储器装置的制作方法

本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更确切地说，涉及产生表征相对于电压分布施加的读取电压电平的元数据的存储器装置。

背景技术：

1、存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置及易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

1、在一些实施例中，一种存储器子系统包括：存储器装置，其包括多个存储器单元；及控制器，其耦合到所述存储器装置。所述控制器用于执行操作，包括：使用读取电压电平相对于所述多个存储器单元的子集执行读取选通；从所述存储器装置接收一或多个元数据值，所述元数据值表征相对于所述多个存储器单元的所述子集的阈值电压分布的所述读取电压电平，其中所述一或多个元数据值反映连接到所述多个存储器单元的所述子集的一或多个位线的导电状态。

2、在一些实施例中，描述一种计算机可读非暂时性存储媒体。所述计算机可读非暂时性存储媒体包括可执行指令，所述可执行指令在由管理包括多个存储器单元的存储器装置的控制器执行时使所述控制器：使用读取电压电平相对于所述多个存储器单元的子集执行读取选通；及从所述存储器装置接收一或多个元数据值，所述元数据值表征相对于所述多个存储器单元的所述子集的阈值电压分布的所述读取电压电平，其中所述一或多个元数据值反映连接到所述多个存储器单元的所述子集的一或多个位线的导电状态。

3、在一些实施例中，一种方法包括：由管理包括多个存储器单元的存储器装置的控制器使用读取电压电平相对于所述多个存储器单元的子集执行读取选通；及从所述存储器装置接收一或多个元数据值，所述元数据值表征相对于所述多个存储器单元的所述子集的阈值电压分布的所述读取电压电平，其中所述一或多个元数据值反映连接到所述多个存储器单元的所述子集的一或多个位线的导电状态。

技术特征：

1.一种存储器子系统，其包括：

2.根据权利要求1所述的存储器子系统，其中所述操作进一步包括：

3.根据权利要求1所述的存储器子系统，其中所述操作进一步包括：

4.根据权利要求3所述的存储器子系统，其中确定所述读取电压调整值进一步包括：

5.根据权利要求1所述的存储器子系统，其中所述一或多个元数据值包括用于指定逻辑编程电平的失败字节计数。

6.根据权利要求1所述的存储器子系统，其中所述一或多个元数据值包括用于一或多个指定逻辑编程电平的失败位计数。

7.根据权利要求1所述的存储器子系统，其中所述多个存储器单元的所述子集是存储器页的至少一部分。

8.一种计算机可读非暂时性存储媒体，其包括可执行指令，所述可执行指令在由管理包括多个存储器单元的存储器装置的控制器执行时使所述控制器：

9.根据权利要求8所述的计算机可读非暂时性存储媒体，其进一步包括可执行指令，所述可执行指令在由所述控制器执行时使所述控制器：

10.根据权利要求8所述的计算机可读非暂时性存储媒体，其进一步包括可执行指令，所述可执行指令在由所述控制器执行时使所述控制器：

11.根据权利要求8所述的计算机可读非暂时性存储媒体，其中所述一或多个元数据值包括用于指定逻辑编程电平的失败字节计数。

12.根据权利要求8所述的计算机可读非暂时性存储媒体，其中所述一或多个元数据值包括用于一或多个指定逻辑编程电平的失败位计数。

13.根据权利要求8所述的计算机可读非暂时性存储媒体，其中所述多个存储器单元的所述子集是存储器页的至少一部分。

14.一种方法，其包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述操作进一步包括：

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述操作进一步包括：

17.根据权利要求16所述的方法，其中确定所述读取电压调整值进一步包括：

18.根据权利要求15所述的方法，其中所述一或多个元数据值包括用于指定逻辑编程电平的失败字节计数。

19.根据权利要求15所述的方法，其中所述一或多个元数据值包括用于一或多个指定逻辑编程电平的失败位计数。

20.根据权利要求15所述的方法，其中所述多个存储器单元的所述子集是存储器页的至少一部分。

技术总结描述存储器装置，所述存储器装置产生表征相对于电压分布施加的读取电压电平的元数据。实例存储器子系统包括：存储器装置，其包括多个存储器单元；及控制器，其耦合到所述存储器装置，所述控制器用于执行操作，包括：使用读取电压电平相对于所述多个存储器单元的子集执行读取选通；及从所述存储器装置接收一或多个元数据值，所述元数据值表征相对于所述多个存储器单元的所述子集的阈值电压分布的所述读取电压电平，其中所述一或多个元数据值反映连接到所述多个存储器单元的所述子集的一或多个位线的导电状态。技术研发人员：D·V·阮,P·R·哈亚特,S·帕塔萨拉蒂,陈振刚,D·斯里尼瓦桑受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/3/4