具有被配置为改善热辅助磁记录的所选隔离物的介质结构的制作方法

在一些方面，本公开涉及用于热辅助磁记录的磁记录介质，并且更具体地，涉及具有被配置为改善热辅助磁记录(hamr)的所选隔离物的介质结构。

背景技术：

1、诸如硬盘驱动器(hdd)之类的磁存储系统用于静止和移动计算环境两者中的各种设备中。包含磁存储系统的设备的示例包括台式计算机、便携式笔记本计算机、便携式硬盘驱动器、数字多功能光盘(dvd)播放器、高清电视(hdtv)接收器、车辆控制系统、蜂窝电话或移动电话、电视机顶盒、数字照相机、数字视频照相机、视频游戏控制台、网络存储系统和便携式媒体播放器。

2、典型的磁盘驱动器包括呈一个或多个平盘形式的磁存储介质。磁盘通常由两个主要物质形成，即形成其结构和刚性的基板材料，以及保持在涂层内记录层中表示数据的磁脉冲或磁矩的磁介质涂层。典型的磁盘驱动器还包括通常呈磁换能器形式的读取头和写入头，该磁换能器可以感测和/或改变存储在介质的记录层上的磁场。

3、能量辅助磁记录(eamr)系统可以增加在各种磁介质上磁性记录的信息的面密度。为了实现更高的磁存储面密度，可以使用更小的磁晶粒尺寸(例如，小于6nm)介质。热辅助磁记录(hamr)是eamr的一个例子。在hamr中，在写入过程中对记录介质施加高温以便于记录到小磁晶粒。在一些示例中，hamr介质的一个或多个磁层可以包含隔离材料(例如，碳)和底层。底层(例如，mgo层)的厚度可能影响介质热梯度和磁膜生长。

技术实现思路

1、下文呈现了对本公开的一些方面的简要概述，以提供对这些方面的基本理解。该概述并不是对本公开的所有设想特征的广泛概述，并且既不旨在标识本公开的所有方面的关键或重要元素，也不旨在描绘本公开的任何或所有方面的范围。其唯一目的是以简化形式呈现本公开的一些方面的各种概念，以作为稍后呈现的更详细描述的序言。

2、在一个实施方案中，一种磁记录介质包括基板、该基板上的散热层以及该散热层上的多个磁记录层。该多个磁记录层包括第一磁层和设置在该第一磁层上的第二磁层。该第二磁层包含fept-ag-cu-x，其中x是包含bn的隔离物。

3、在一个实施方案中，一种数据存储设备包括该磁记录介质和被配置为向该磁记录介质写入数据的写入头，并且该写入头包括近场换能器(nft)。

4、在一个实施方案中，提供了一种用于制造磁记录介质的方法。该方法包括提供基板并在该基板上提供散热层。该方法还包括在该散热层上提供多个磁记录层。该多个磁记录层包括第一磁层和设置在该第一磁层上的第二磁层。该第二磁层包含fept-ag-cu-x，其中x是包含bn的隔离物。

5、在一个实施方案中，一种磁记录介质包括基板、该基板上的散热层以及该散热层上的多个磁记录层。该多个磁记录层包括第一磁层和设置在该第一磁层上的第二磁层。该第二磁层包含fept-ag-cu-x，其中x是包含b4c的隔离物。

6、通过阅读随后的详细描述，将更全面地理解本公开的这些和其他方面。通过阅读以下结合附图对本公开的具体实施方式的描述，本公开的其他方面、特征和具体实施对于本领域普通技术人员而言将变得显而易见。尽管可以相对于下文的某些具体实施和附图来讨论本公开的特征，但本公开的所有具体实施可以包括本文所讨论的有利特征中的一者或多者。换句话讲，尽管可以将一个或多个具体实施讨论为具有某些有利特征，但也可以根据本文所讨论的本公开的各种具体实施使用这些特征中的一者或多者。类似地，尽管某些具体实施在下文可以作为设备具体实施、系统具体实施或方法具体实施来讨论，但应当理解，这些具体实施可以在各种设备、系统和方法中实现。

技术特征：

1.一种磁记录介质，所述磁记录介质包括：

2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述隔离物中bn的量介于34摩尔％(mol％)与42mol％之间，包括端值。

3.根据权利要求2所述的磁记录介质，其中所述隔离物中碳(c)的量介于0摩尔％(mol％)与10mol％之间，包括端值。

4.根据权利要求1所述的磁记录介质，所述磁记录介质还包括：

5.根据权利要求4所述的磁记录介质，其中所述底层结构还包括包含mgo的第二底层，并且所述第二底层在所述第一底层上；并且

6.根据权利要求5所述的磁记录介质，其中所述第二磁层直接在所述第一磁层上，所述第一磁层直接在所述第二底层上，并且所述第二底层直接在所述第一底层上。

7.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第二磁层的组成是feptagcu-10c-34bn、feptagcu-5c-37.4bn或feptagcu-41bn中的一种。

8.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第一磁层和所述第二磁层各自的组成不同。

9.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第二磁层具有比所述第一磁层的厚度大的厚度。

10.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述多个磁记录层还包括：

11.根据权利要求10所述的磁记录介质，其中：

12.一种数据存储设备，所述数据存储设备包括：

13.一种用于制造磁记录介质的方法，所述方法包括：

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述隔离物中bn的量介于34摩尔％(mol％)与42mol％之间，包括端值。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述隔离物中碳(c)的量介于0mol％与10mol％之间，包括端值。

16.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括：

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述底层结构还包括在所述第一底层上的第二底层，所述第二底层包含mgo；并且

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述第二磁层直接在所述第一磁层上，所述第一磁层直接在所述第二底层上，并且所述第二底层直接在所述第一底层上。

19.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二磁层的组成是feptagcu-10c-34bn、feptagcu-5c-37.4bn或feptagcu-41bn中的一种。

20.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一磁层和所述第二磁层各自的组成不同。

21.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二磁层具有比所述第一磁层的厚度大的厚度。

22.根据权利要求13所述的方法，其中所述提供所述多个磁记录层还包括：

23.一种磁记录介质，所述磁记录介质包括：

技术总结公开了各种装置、系统、方法和介质以提供热辅助磁记录(HAMR)介质。该HAMR介质包括基板、该基板上的散热层以及该散热层上的多个磁记录层。该多个磁记录层包括第一磁层和设置在该第一磁层上的第二磁层。该第二磁层包含FePt‑Ag‑Cu‑X，其中X是包含BN的隔离物。该HAMR介质可以使用基于BN的隔离物来改善该HAMR介质的热梯度以获得更好的面密度能力(ADC)并且使得能够使用具有减小的厚度的MgO底层。技术研发人员：H·C·何,关智孔,P·C·多尔西受保护的技术使用者：西部数据技术公司技术研发日：技术公布日：2024/3/4