存储器装置的操作方法与流程

在此描述的本公开的示例实施例涉及半导体存储器，更具体地，涉及存储器装置的操作方法。

背景技术：

1、半导体存储器被分类为易失性存储器(诸如，静态随机存取存储器(sram)或动态随机存取存储器(dram))或者非易失性存储器(诸如，闪存、相变ram(pram)、磁性ram(mram)、电阻ram(rram)或铁电ram(fram))，在易失性存储器中，当电源关闭时存储的数据消失，在非易失性存储器中，即使当电源关闭时存储的数据也被保持。

2、闪存装置被广泛用作高容量存储介质。如今，存储器单元沿与基底垂直的方向堆叠的三维结构的闪存装置正在被使用。另外，为了提高闪存装置的集成度，存储器单元或字线之间的间隔可变窄，这导致包括编程干扰的各种问题。

技术实现思路

1、本公开的示例实施例提供具有提高的可靠性和提高的性能的存储器装置以及存储器装置的操作方法。

2、根据一些示例实施例，一种包括沿与基底垂直的方向堆叠的多个存储器单元和分别与所述多个存储器单元连接的多条字线的存储器装置的操作方法包括：在第一字线设置时段期间，将第0通过电压施加到所述多条字线之中的第一选择字线，并且将第一通过电压施加到所述多条字线之中的第一上邻近字线；以及在第一字线设置时段之后的第一编程执行时段期间，将第一编程电压施加到第一选择字线，并且将比第一通过电压小的第二通过电压施加到第一上邻近字线。第一上邻近字线是与第一选择字线物理上邻近的字线。

3、根据一些示例实施例，一种包括沿与基底垂直的方向堆叠的多个存储器单元和分别与所述多个存储器单元连接的多条字线的存储器装置的操作方法包括：在第一编程循环的第一字线设置时段中，将第0通过电压施加到所述多条字线之中的第一选择字线，并且将第一通过电压施加到所述多条字线之中的与第一选择字线邻近的第一上邻近字线；在第一字线设置时段之后的第一编程循环的第一编程执行时段中，将第一编程电压施加到第一选择字线，并且将比第一通过电压小的第二通过电压施加到第一上邻近字线；在第二编程循环的第二字线设置时段中，将第0通过电压施加到第一选择字线，并且将第三通过电压施加到第一上邻近字线；以及在第二字线设置时段之后的第二编程循环的第二编程执行时段中，将比第一编程电压大的第二编程电压施加到第一选择字线，并且将第四通过电压施加到第一上邻近字线。

4、根据一些示例实施例，一种包括沿与基底垂直的方向堆叠的多个存储器单元和分别与所述多个存储器单元连接的多条字线的存储器装置的操作方法包括：对所述多条字线之中的第一选择字线执行第一编程操作；以及对所述多条字线之中的不同于第一选择字线的第二选择字线执行第二编程操作。第一编程操作包括：在第一字线设置时段中，将第0通过电压施加到第一选择字线，并且将第一通过电压施加到第一上邻近字线；以及在第一字线设置时段之后的第一编程执行时段中，将第一编程电压施加到第一选择字线，并且将比第一通过电压小的第二通过电压施加到第一上邻近字线。第二编程操作包括：在第二字线设置时段中，将第0通过电压施加到第二选择字线，并且将比第一通过电压大的第三通过电压施加到第二上邻近字线；以及在第二字线设置时段之后的第二编程执行时段中，将第一编程电压施加到第二选择字线，并且将比第二通过电压大的第四通过电压施加到第二上邻近字线。从第一选择字线到第一上邻近字线的第一距离小于从第二选择字线到第二上邻近字线的第二距离。

技术特征：

1.一种存储器装置的操作方法，存储器装置包括沿与基底垂直的方向堆叠的多个存储器单元和分别与所述多个存储器单元连接的多条字线，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其中，第一通过电压大于第0通过电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，第一上邻近字线是与第一选择字线邻近的字线之中的与被完全编程的存储器单元连接的字线。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，第一上邻近字线是与第一选择字线邻近的字线之中的距基底最高的字线。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的方法，还包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其中，第三通过电压大于第四通过电压。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，第三通过电压与第四通过电压相同。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，第三通过电压小于第四通过电压。

11.根据权利要求1至6中的任一项所述的方法，还包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其中，第一下邻近字线是与第一选择字线物理上邻近的字线之中的与未被完全编程的存储器单元连接的字线。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，第一下邻近字线是与第一选择字线物理上邻近的字线之中的与基底最近的字线。

14.一种存储器装置的操作方法，存储器装置包括沿与基底垂直的方向堆叠的多个存储器单元和分别与所述多个存储器单元连接的多条字线，所述方法包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其中，第三通过电压大于第一通过电压，或者第四通过电压大于第二通过电压。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，第一上邻近字线是与第一选择字线邻近的字线之中的与被完全编程的存储器单元连接的字线。

17.根据权利要求14所述的方法，其中，第一上邻近字线与第一选择字线之间的第一间隔窄于第一参考间隔。

18.根据权利要求14至17中的任一项所述的方法，还包括：

19.一种存储器装置的操作方法，存储器装置包括沿与基底垂直的方向堆叠的多个存储器单元和分别与所述多个存储器单元连接的多条字线，所述方法包括：

20.根据权利要求19所述的方法，其中，第一上邻近字线是与第一选择字线邻近的字线之中的与在第一编程操作期间被完全编程的存储器单元连接的字线，并且

技术总结公开了存储器装置的操作方法，存储器装置包括沿垂直于基底的方向堆叠的多个存储器单元和分别与所述多个存储器单元连接的多条字线。所述方法包括：在第一字线设置时段期间，将第0通过电压施加到所述多条字线之中的第一选择字线，并且将第一通过电压施加到所述多条字线之中的第一上邻近字线；以及在第一字线设置时段之后的第一编程执行时段期间，将第一编程电压施加到第一选择字线，并且将小于第一通过电压的第二通过电压施加到第一上邻近字线。第一上邻近字线是与第一选择字线物理上邻近的字线。技术研发人员：梁美珠,徐准浩,金盛勇,洪惠英受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/3/4