用于存储器中的码字的漂移补偿的制作方法

本公开大体上涉及半导体存储器及方法，且更特定来说，涉及用于存储器中的码字的漂移补偿。

背景技术：

1、存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路及/或外部可卸除装置。存在许多不同类型的存储器，其包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维持其数据且可尤其包含随机存取存储器(ram)、动态随机存取存储器(dram)及同步动态随机存取存储器(sdram)。非易失性存储器可通过在未供电时保存所存储数据来提供持久数据且可尤其包含nand快闪存储器、nor快闪存储器、只读存储器(rom)及电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(pcram)、电阻式随机存取存储器(rram)、磁性随机存取存储器(mram)及可编程导电存储器。

2、存储器装置可用作需要高存储器密度、高可靠性及低功耗的各种电子应用的易失性及非易失性存储器。非易失性存储器可用于例如个人计算机、便携式记忆棒、固态硬盘(ssd)、数码相机、蜂窝电话、例如mp3播放器的便携式音乐播放器及电影播放器及其它电子装置中。

3、存储器装置可包含可基于存储元件(例如电容器)的电荷电平来存储数据或可基于存储元件的导电状态来存储数据的存储器单元。此类存储器单元可经编程以通过改变存储元件的电荷电平(例如，电容器的电荷的不同电平可表示不同数据状态)或通过改变存储元件的导电水平来存储对应于目标数据状态的数据。举例来说，可将电场或能量源(例如正或负电脉冲(例如正或负电压或电流脉冲))施加于存储器单元(例如，施加于单元的存储元件)达特定持续时间以将单元编程到目标数据状态。

4、存储器单元可经编程到数种数据状态中的一者。举例来说，单电平存储器单元(slc)可经编程到两种不同数据状态中的目标者，其可由二进制单位1或0表示且可取决于单元的电容器是带电还是不带电。作为额外实例，一些存储器单元可经编程到多于两种数据状态(例如1111、0111、0011、1011、1001、0001、0101、1101、1100、0100、0000、1000、1010、0010、0110及1110)中的目标者。此类单元可称为多状态存储器单元、多单位单元或多电平单元(mlc)。mlc可提供更高密度存储器而无需增加存储器单元的数目，因为每一单元可表示多于一个数字(例如多于一个位)。

技术实现思路

1、在一方面中，本申请案涉及一种设备，其包括：存储器装置，其中所述存储器装置包含：存储器单元阵列；及电路系统，其经配置以：感测存储于所述存储器单元阵列中的码字；确定所述感测到的码字的每一存储器单元的阈值电压值；对所述感测到的码字的所述存储器单元的所述阈值电压值进行排序；确定用于所述感测到的码字的数个所述存储器单元的单元度量的二阶导数值，其中用于所述数个存储器单元中的每一相应者的所述单元度量的所述二阶导数值是基于以下项来确定：所述相应存储器单元的所述阈值电压值；在所述经排序阈值电压值中紧接在所述相应存储器单元的所述阈值电压值之前的所述阈值电压值；及与所述码字的所述存储器单元的总数量成比例的值；确定所述经确定二阶导数值具有最大值所针对的所述单元度量；将所述经确定单元度量输入到皮尔逊(pearson)检测器；及使用所述皮尔逊检测器确定所述码字的最初经编程的数据。

2、在另一方面中，本申请案涉及一种方法，其包括：感测存储于存储器装置的存储器单元阵列中的码字；确定所述感测到的码字的每一存储器单元的阈值电压值；对所述感测到的码字的所述存储器单元的所述阈值电压值进行排序；针对所述感测到的码字的数个所述存储器单元，确定单元度量的二阶导数值，其中用于所述数个存储器单元中的每一相应者的所述单元度量的所述二阶导数值是基于以下项来确定：所述相应存储器单元的所述阈值电压值；在所述经排序阈值电压值中紧接在所述相应存储器单元的所述阈值电压值之前的所述阈值电压值；及与所述码字的所述存储器单元的总数量成比例的值；确定所述经确定二阶导数值具有最大值所针对的所述单元度量；将所述经确定单元度量输入到皮尔逊检测器；及使用所述皮尔逊检测器确定所述码字的最初经编程的数据。

3、在另一方面中，本申请案涉及一种设备，其包括：存储器装置，其具有存储器单元阵列；及控制器，其耦合到所述存储器装置且经配置以：确定所述存储器装置中的感测到的码字的每一存储器单元的阈值电压值；对所述感测到的码字的所述存储器单元的所述阈值电压值进行排序；确定用于所述感测到的码字的数个所述存储器单元的单元度量的二阶导数值，其中用于所述数个存储器单元中的每一相应者的所述单元度量的所述二阶导数值是基于以下项来确定：所述相应存储器单元的所述阈值电压值；在所述经排序阈值电压值中紧接在所述相应存储器单元的所述阈值电压值之前的所述阈值电压值；及与所述码字的所述存储器单元的总数量成比例的值；确定所述经确定二阶导数值具有最大值所针对的所述单元度量；及使用所述经确定单元度量作为皮尔逊检测器的输入来确定所述感测到的码字的原始码字。

4、在另一方面中，本申请案涉及一种方法，其包括：由耦合到存储器装置的控制器确定所述存储器装置中的感测到的码字的每一存储器单元的阈值电压值；由所述控制器对所述感测到的码字的所述存储器单元的所述阈值电压值进行排序；由所述控制器确定用于所述感测到的码字的数个所述存储器单元的单元度量的二阶导数值，其中用于所述数个存储器单元中的每一相应者的所述单元度量的所述二阶导数值是基于以下项来确定：所述相应存储器单元的所述阈值电压值；在所述经排序阈值电压值中紧接在所述相应存储器单元的所述阈值电压值之前的所述阈值电压值；及与所述码字的所述存储器单元的总数量成比例的值；由所述控制器确定所述经确定二阶导数值具有最大值所针对的所述单元度量；及由所述存储器装置上的皮尔逊检测器使用所述经确定单元度量确定所述感测到的码字的原始码字。

技术特征：

1.一种设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中用于所述数个存储器单元中的每一相应者的所述单元度量的所述二阶导数值对应于用于所述相应存储器单元的所述单元度量的一阶导数值与用于在所述经排序阈值电压值中具有紧接在所述相应存储器单元的所述阈值电压值之前的所述阈值电压值的所述存储器单元的所述单元度量的一阶导数值之间的差。

3.根据权利要求1所述的设备，其中输入到所述皮尔逊检测器的所述经确定单元度量包括所述经确定单元度量的所述二阶导数值和所述码字的所述最初经编程的数据与所述感测到的码字之间的相关性之间的皮尔逊距离。

4.根据权利要求1所述的设备，其中：

5.根据权利要求1所述的设备，其中与所述码字的所述存储器单元的所述总数量成比例的所述值与所述码字的所述存储器单元的所述总数量成反比。

6.一种方法，其包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述方法包含确定用于所述数个存储器单元中的每一相应者的所述单元度量的所述二阶导数值，而无需确定所述感测到的码字的所述存储器单元的所述阈值电压值的平均值。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述方法包含：

9.根据权利要求6所述的方法，其中所述方法包含将所述经排序阈值电压值划分成第一分布(436-1)及第二分布(436-2)。

10.根据权利要求6所述的方法，其中所述感测到的码字的所述存储器单元的所述阈值电压值按升序进行排序。

11.一种设备，其包括：

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述控制器经配置以通过从所述相应存储器单元的所述阈值电压值减去在所述经排序阈值电压值中紧接在所述相应存储器单元的所述阈值电压值之前的所述阈值电压值及与所述码字的所述存储器单元的所述总数量成比例的所述值来确定用于所述数个存储器单元中的每一相应者的所述单元度量的所述二阶导数值。

13.根据权利要求11所述的设备，其中确定所述单元度量的所述二阶导数值所针对的所述感测到的码字的所述数个存储器单元包括具有其位置在所述经排序阈值电压值中的特定位置范围(376)内的阈值电压值的所述感测到的码字的所述存储器单元。

14.根据权利要求13所述的设备，其中所述特定位置范围包括在所述经排序阈值电压值中的最小位置与最大位置之间的位置。

15.根据权利要求14所述的设备，其中：

16.一种方法，其包括：

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述方法包含通过对所述感测到的码字执行权重弯曲运算来确定将确定所述单元度量的所述二阶导数值所针对的所述感测到的码字的所述存储器单元的所述数目。

18.根据权利要求17所述的方法，其中对所述感测到的码字执行所述权重弯曲运算包含：

19.根据权利要求17所述的方法，其中所述方法包含在确定所述经确定二阶导数值具有所述最大值所针对的所述单元度量之后对所述感测到的码字执行权重去弯曲运算。

20.根据权利要求16所述的方法，其中所述皮尔逊检测器通过搜索相对于其它码字与所述原始码字具有最低皮尔逊距离的码字来确定所述原始码字。

技术总结本公开包含用于存储器中的码字的漂移补偿的设备、方法及系统。实施例包含存储器装置，其具有：存储器单元阵列；及电路系统，其用以感测存储于所述阵列中的码字，确定所述码字的每一单元的阈值电压值，对所述阈值电压值进行排序，基于所述相应单元的所述阈值电压值、在所述经排序值中紧接在所述相应单元的所述阈值电压值之前的所述阈值电压值及与所述码字的所述单元的总数量成比例的值确定用于所述码字的数个所述单元的单元度量的二阶导数值，确定所述经确定二阶导数值具有最大值所针对的所述单元度量，将所述经确定单元度量输入到皮尔逊检测器，及使用所述皮尔逊检测器确定所述码字的最初经编程的数据。技术研发人员：M·斯福尔津,P·阿马托,L·巴莱塔,M·P·费拉里,A·法瓦诺受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/3/4