存储器结构、刷新方法及存储器与流程

本公开涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种存储器结构、刷新方法及存储器。

背景技术：

1、存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。其中，存储器可被分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置，对于易失性存储器装置中的动态随机存取存储器（dynamic random access memory，dram），dram通过为存储单元中的电容器进行充电或放电来实现存储数据，且当断电时丢失存储的数据。而对于非易失性存储器装置，当断电时也可以保持存储的数据。

2、dram在制造过程中不可避免的会出现存储单元失效的问题，且随着工艺微缩，存储单元失效的问题更加严重。例如，dram中虚弱单元（weak cell）的数量增加，虚弱单元即由于存储单元的漏电问题而导致保留数据时间（retention time）下降的存储单元。

3、对于虚弱单元的修复，于dram的性能提升而言至关重要。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种存储器结构、刷新方法及存储器，以避免修复虚弱单元带来的负面影响。

2、本公开一实施例提供了一种存储器结构，存储器结构包括存储控制器和多个存储块，存储器结构包括：刷新存储电路，设置于存储控制器中，用于存储补充刷新地址，补充刷新地址用于指示保存电荷能力存在缺陷的存储单元；刷新寄存器，设置于多个存储块的每一存储块中；其中，存储器结构在上电过程中，刷新存储电路将补充刷新地址传输至对应的刷新寄存器中；每一存储块被配置为，于行锤刷新期间，基于第一刷新窗口和行锤刷新标识对行锤地址执行刷新，或基于第二刷新窗口和补充刷新标识对补充刷新地址执行刷新；其中，第一刷新窗口和第二刷新窗口基于行锤刷新窗口分配，且第一刷新窗口和第二刷新窗口的比例为第一预设值。

3、本实施例提供的存储器结构，将存储器的行锤防护加以拓展，以在原本的行锤防护期间执行行锤防护和补充刷新地址的刷新。具体地，原本的行锤防护基于行锤刷新窗口对行锤刷新地址执行刷新，将行锤防护拓展后，将行锤刷新窗口细分为第一刷新窗口和第二刷新窗口，第一刷新窗口继续用于行锤防护，即对行锤刷新地址执行刷新，第二刷新窗口用于对补充刷新地址的刷新，使得存储器能较好的保存虚弱单元所存储的数据，且避免了修复虚弱单元带来的负面影响。

4、在一些实施例中，存储控制器包括：第一刷新控制电路，被配置为，生成标识信号；第二刷新控制电路，被配置为，生成行锤刷新窗口和行锤刷新信号；刷新处理电路，连接第一刷新控制电路和第二刷新控制电路；若标识信号无效，刷新处理电路被配置为，基于行锤刷新窗口生成第一刷新窗口，并基于行锤刷新信号生成行锤刷新标识；若标识信号有效，刷新处理电路被配置为，基于行锤刷新信号循环计数以生成判断值，其中，当判断值有效，刷新处理电路还被配置为，基于行锤刷新窗口生成第二刷新窗口，并基于行锤刷新信号生成补充刷新标识；当判断值无效，刷新处理电路还被配置为，基于行锤刷新窗口生成第一刷新窗口，并基于行锤刷新信号生成行锤刷新标识；判断值用于配置第一预设值。

5、在一些实施例中，第一刷新控制电路包括：计数处理电路，被配置为，基于每一刷新命令进行计数以生成刷新计数值；计数处理电路还被配置为，当刷新计数值符合第二预设值时生成并输出标识信号；第二预设值设置为小于等于k，其中，k为对应刷新寄存器存储补充刷新地址的容量与第一预设值的乘积。

6、在一些实施例中，刷新处理电路包括：计数器，用于生成判断值；第一与逻辑电路，第一输入端连接计数器的输出端，第二输入端用于接收行锤刷新信号，输出端用于输出补充刷新标识；反相器，输入端连接第一与逻辑电路的输出端，输出端用于输出行锤刷新标识；第二与逻辑电路，第一输入端连接第一与逻辑电路的输出端，第二输入端用于接收行锤刷新窗口，输出端用于输出第二刷新窗口；第三与逻辑电路，第一输入端连接反相器的输出端，第二输入端用于接收行锤刷新窗口，输出端用于输出第一刷新窗口。

7、在一些实施例中，每一存储块包括：行锤刷新电路，被配置为，基于第一刷新窗口和行锤刷新标识对行锤地址执行刷新；补充刷新电路，被配置为，基于第二刷新窗口和补充刷新标识对补充刷新地址执行刷新。

8、在一些实施例中，执行行锤地址的刷新和执行补充刷新地址的刷新的操作，按照预设次序依次循环执行。

9、在一些实施例中，刷新存储电路基于反熔丝存储阵列设置。

10、在一些实施例中，刷新存储电路通过广播的方式，将补充刷新地址传输至对应的刷新寄存器中。

11、本公开另一实施例还提供了一种刷新方法，应用于上述实施例提供的存储器结构，包括：存储控制器将设置的补充刷新地址传输至对应的存储块中；获取第一刷新窗口和行锤刷新标识，或获取第二刷新窗口和补充刷新标识；于行锤刷新期间，基于第一刷新窗口和行锤刷新标识对行锤地址执行刷新，或基于第二刷新窗口和补充刷新标识对补充刷新地址执行刷新；其中，第一刷新窗口和第二刷新窗口基于行锤刷新窗口分配，且第一刷新窗口和第二刷新窗口的比例为第一预设值。

12、在一些实施例中，获取第一刷新窗口和行锤刷新标识，或获取第二刷新窗口和补充刷新标识，包括：获取标识信号；若标识信号无效，基于行锤刷新窗口生成第一刷新窗口，并基于行锤刷新信号生成行锤刷新标识；若标识信号无效，基于行锤刷新信号循环计数以生成判断值，其中，当判断值有效，基于行锤刷新窗口生成第二刷新窗口，并基于行锤刷新信号生成补充刷新标识；当判断值无效，基于行锤刷新窗口生成第一刷新窗口，并基于行锤刷新信号生成行锤刷新标识。

13、在一些实施例中，获取标识信号的方法，包括：基于每一刷新命令进行计数以生成刷新计数值；当刷新计数值符合第二预设值时生成并输出标识信号；第二预设值设置为小于等于k，其中，k为对应刷新寄存器存储补充刷新地址的容量与第一预设值的乘积。

14、本公开又一实施例还提供了一种存储器，存储器基于上述实施例提供的存储器结构设置，以避免修复虚弱单元带来的负面影响。

技术特征：

1.一种存储器结构，其特征在于，所述存储器结构包括存储控制器和多个存储块，所述存储器结构包括：

2.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述存储控制器包括：

3.根据权利要求2所述的存储器结构，其特征在于，所述第一刷新控制电路包括：

4.根据权利要求2所述的存储器结构，其特征在于，刷新处理电路包括：

5.根据权利要求2所述的存储器结构，其特征在于，所述每一存储块包括：

6.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，执行所述行锤地址的刷新和执行所述补充刷新地址的刷新的操作，按照预设次序依次循环执行。

7.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述刷新存储电路基于反熔丝存储阵列设置。

8.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述刷新存储电路通过广播的方式，将所述补充刷新地址传输至对应的所述刷新寄存器中。

9.一种刷新方法，应用于权利要求1~8任一项所述的存储器结构，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的刷新方法，其特征在于，所述存储控制器还包括第一刷新控制电路和第二刷新控制电路，所述第一刷新控制电路被配置为生成所述标识信号，所述第二刷新控制电路被配置为生成行锤刷新窗口和行锤刷新信号，所述获取所述第一刷新窗口和行锤刷新标识，或获取所述第二刷新窗口和所述补充刷新标识，包括：

11.根据权利要求10所述的刷新方法，其特征在于，所述获取标识信号的方法，包括：

12.一种存储器，其特征在于，所述存储器基于权利要求1~8任一项所述的存储器结构设置。

技术总结本公开涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种存储器结构、刷新方法及存储器，其中，存储器结构：刷新存储电路，设置于存储控制器中，用于存储补充刷新地址，补充刷新地址用于指示保存电荷能力存在缺陷的存储单元；刷新寄存器，设置于多个存储块的每一存储块中；其中，存储器结构在上电过程中，刷新存储电路将补充刷新地址传输至对应的刷新寄存器中；每一存储块被配置为，于行锤刷新期间，基于第一刷新窗口和行锤刷新标识对行锤地址执行刷新，或基于第二刷新窗口和补充刷新标识对补充刷新地址执行刷新；其中，第一刷新窗口和第二刷新窗口基于行锤刷新窗口分配，且第一刷新窗口和第二刷新窗口的比例为第一预设值。技术研发人员：周润发受保护的技术使用者：长鑫存储技术（西安）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/3/11