电压生成电路及存储器的制作方法

本公开实施例涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种电压生成电路及存储器。

背景技术：

1、动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)由于其存储密度高、传输速度快等特点，广泛应用于现代电子系统中。随着半导体技术的发展，dram技术越来越先进，存储单元的集成度越来越高；同时，各种不同的应用对dram的性能、功耗和可靠性等也都要求越来越高。

2、由于存储单元的集成度越来越高，存储单元对应的控制电路中需要连接更多的元器件以实现对存储单元的逐一控制，然而随着存储单元的导通，控制电路会产生电压波动，导致提供给存储单元的电压不够精确，因此有必要提供一种电压生成电路以提高电压生成电路的精确度。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种电压生成电路及存储器，至少可以提高电压生成电路的精确度。

2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种电压生成电路，包括：电压输出模块，被配置为，接收参考电压，生成第一输出电压并向供电节点提供所述第一输出电压，且所述供电节点用于与负载连接以向所述负载供电；稳压模块，被配置为，接收所述参考电压，生成并输出控制信号；补偿模块，被配置为，接收电源电压、标志信号和所述控制信号，并响应于所述标志信号导通，以及响应于基于所述控制信号的电压值向所述供电节点提供第二输出电压，以使所述供电节点的电压恢复至所述第一输出电压，所述标志信号表征所述负载处于工作期间。

3、在一些实施例中，所述补偿模块包括：开关单元，用于接收所述标志信号，并基于所述标志信号输出所述电源电压；调节单元，与所述开关单元连接，用于接收所述电源电压和所述控制信号，以基于所述控制信号的电压值调整所述补偿模块的输出幅值。

4、在一些实施例中，所述开关单元包括：第一pmos管，所述第一pmos管的栅极接收所述标志信号，源极连接工作电源；所述调节单元包括：第一nmos管，所述第一nmos管的栅极接收所述控制信号，所述第一nmos管的漏极连接所述第一pmos管的漏极，所述第一nmos管的源极连接所述供电节点以提供所述第二输出电压。

5、在一些实施例中，所述稳压模块包括：第一运算放大器，所述第一运算放大器的正相输入端接收所述参考电压，所述第一运算放大器的输出端输出所述控制信号；第一电阻，所述第一电阻的一端接地，另一端连接所述第一运算放大器的反相输入端；第二pmos管，所述第二pmos管的源极与电源电压连接；第二nmos管，所述第二nmos管的栅极与所述第一运算放大器的输出端连接，所述第二nmos管的漏极与所述第二pmos管的漏极连接；第二电阻，所述第二电阻的一端与所述第一运算放大器的反相输入端连接，另一端与所述第二nmos管的源极连接。

6、在一些实施例中，所述第一nmos管沟道的宽长比与所述第二nmos管沟道的宽长比相等。

7、在一些实施例中，所述电压生成电路还包括：第一电压生成模块，接收所述参考电压并生成用于驱动所述第一运算放大器工作的驱动电压。

8、在一些实施例中，所述驱动电压的电压值大于所述控制信号对应的电压值与所述第二nmos管的开启电压的电压值之和。

9、在一些实施例中，还包括：标志信号生成模块，被配置为，基于使能信号生成所述标志信号，所述使能信号用于控制所述负载工作。

10、在一些实施例中，所述电压输出模块包括：第二运算放大器，所述第二运算放大器的反相输入端接收所述参考电压；第三电阻，所述第三电阻的一端接地，另一端连接所述第二运算放大器的正相输入端；第三pmos管，所述第三pmos管的栅极与所述第二运算放大器的输出端连接，源极连接工作电源，所述第三pmos管的漏极输出所述第一输出电压；第四电阻，所述第四电阻的一端连接所述第二运算放大器的正相输入端，另一端与所述第三pmos管的漏极连接。

11、在一些实施例中，所述第三pmos管源极连接的工作电源的电压值与所述第二运算放大器的驱动电压的电压值相等。

12、在一些实施例中，还包括：第二电压生成模块，所述第二电压生成模块用于提供所述参考电压。

13、在一些实施例中，还包括：电容，所述电容一端与所述电压输出模块的输出端连接，另一端接地。

14、根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种存储器，包括：上述电压生成电路；负载，所述负载与所述供电节点连接，所述负载响应于使能信号工作。

15、在一些实施例中，所述负载的数量为多个，且不同的所述负载响应于不同的所述使能信号工作；所述电压生成电路具有多个所述供电节点，且每一所述供电节点与一所述负载连接；所述电压生成电路包括多个所述补偿模块，且每一所述补偿模块响应于相应的所述标志信号向相应的所述供电节点提供所述第二输出电压。

16、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：通过电压输出模块向供电节点提供第一输出电压，进而向负载供电，通过稳压模块可以输出控制信号，通过补偿模块接收电源电压、标志信号和控制信号，并相应于标志信号导通，以及响应于基于控制信号的电压值向供电节点提供第二输出电压，以使供电节点的电压恢复至第一输出电压，从而可以提高电压生成电路的精确度。

技术特征：

1.一种电压生成电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电压生成电路，其特征在于，所述补偿模块包括：

3.根据权利要求2所述的电压生成电路，其特征在于，所述开关单元包括：第一pmos管，所述第一pmos管的栅极接收所述标志信号，源极连接工作电源；

4.根据权利要求3所述的电压生成电路，其特征在于，所述稳压模块包括：

5.根据权利要求4所述的电压生成电路，其特征在于，所述第一nmos管沟道的宽长比与所述第二nmos管沟道的宽长比相等。

6.根据权利要求4所述的电压生成电路，其特征在于，所述电压生成电路还包括：第一电压生成模块，接收所述参考电压并生成用于驱动所述第一运算放大器工作的驱动电压。

7.根据权利要求6所述的电压生成电路，其特征在于，所述驱动电压的电压值大于所述控制信号对应的电压值与所述第二nmos管的开启电压的电压值之和。

8.根据权利要求1所述的电压生成电路，其特征在于，还包括：标志信号生成模块，被配置为，基于使能信号生成所述标志信号，所述使能信号用于控制所述负载工作。

9.根据权利要求1所述的电压生成电路，其特征在于，所述电压输出模块包括：

10.根据权利要求9所述的电压生成电路，其特征在于，所述第三pmos管源极连接的工作电源的电压值与所述第二运算放大器的驱动电压的电压值相等。

11.根据权利要求1所述的电压生成电路，其特征在于，还包括：第二电压生成模块，所述第二电压生成模块用于提供所述参考电压。

12.根据权利要求1所述的电压生成电路，其特征在于，还包括：电容，所述电容一端与所述电压输出模块的输出端连接，另一端接地。

13.一种存储器，其特征在于，

14.根据权利要求13所述的存储器，其特征在于，所述负载的数量为多个，且不同的所述负载响应于不同的所述使能信号工作；

技术总结本公开实施例涉及半导体电路设计领域，提供一种电压生成电路及存储器，其中，电压生成电路包括：电压输出模块，被配置为，接收参考电压，生成第一输出电压并向供电节点提供第一输出电压，且供电节点用于与负载连接以向负载供电；稳压模块，被配置为，接收参考电压，生成并输出控制信号；补偿模块，被配置为，接收电源电压、标志信号和控制信号，并响应于标志信号导通，以及响应于基于控制信号的电压值向供电节点提供第二输出电压，以使供电节点的电压恢复至第一输出电压，标志信号表征负载处于工作期间，可以提高电压生成电路的精确度。技术研发人员：秦建勇受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/3/11