存储装置和操作其的方法与流程

在此描述的本公开的实施例涉及存储装置，并且更具体地，涉及计算字线间隙值的存储装置和操作其的方法。

背景技术：

1、存储器装置可响应于写入请求而存储数据，并且可响应于读取请求而输出存储在其中的数据。例如，当电源被中断时丢失存储在其中的数据的存储器装置(诸如，动态随机存取存储器(dram)装置或静态ram(sram)装置)被分类为易失性存储器装置。即使在电源被中断时也保持存储在其中的数据的存储器装置(诸如，闪存装置、相变ram(pram)、磁性ram(mram)或电阻式ram(rram))被分类为非易失性存储器装置。

2、由于非易失性存储器装置的存储器单元基于数据位值被编程，因此存储器单元可形成与数据位值对应的阈值电压分布。阈值电压分布可由于诸如保持、读取干扰和热载流子注入(hci)的各种因素而改变。现在，由于半导体芯片的高集成度和高容量，或者由于存储管理策略的改变，一个存储器块中的存储器单元的数量可增加，并且对一个存储器块进行编程所花费的时间可增加。这样，包括在同一存储器块中的字线的分布特性可彼此不同，这可使非易失性存储器装置的可靠性降低。

技术实现思路

1、本公开的方面提供计算字线间隙值的存储装置和操作其的方法。

2、根据一些实施例，一种操作包括存储控制器和非易失性存储器装置的存储装置的方法包括：由存储控制器提供第一请求，第一请求指示非易失性存储器装置的目标存储器块的字线顺序读取操作；基于第一请求，从非易失性存储器装置将第一字线读取数据提供给存储控制器，第一字线读取数据与目标存储器块的第一字线的存储器单元对应；基于第一请求，从非易失性存储器装置将第二字线读取数据提供给存储控制器，第二字线读取数据与目标存储器块的第二字线的存储器单元对应，第二字线与第一字线邻近；由存储控制器基于第一字线读取数据和第二字线读取数据来计算第一字线间隙值；以及由存储控制器基于第一字线间隙值执行目标存储器块的第一可靠性操作。

3、根据一些实施例，一种操作包括存储控制器和非易失性存储器装置的存储装置的方法包括：由存储控制器提供第一请求，第一请求指示非易失性存储器装置的目标存储器块的字线顺序读取操作；由非易失性存储器装置基于第一请求生成第一字线读取数据，第一字线读取数据与目标存储器块的第一字线的存储器单元对应；由非易失性存储器装置基于第一请求生成第二字线读取数据，第二字线读取数据与目标存储器块的第二字线的存储器单元对应，第二字线与第一字线邻近；由非易失性存储器装置基于第一字线读取数据和第二字线读取数据来计算字线间隙值；以及由非易失性存储器装置基于字线间隙值执行目标存储器块的可靠性操作。

4、根据一些实施例，一种存储装置包括：非易失性存储器装置，包括具有多条字线的目标存储器块；以及存储控制器，被配置为生成第一请求，第一请求指示目标存储器块的字线顺序读取操作。基于第一请求，非易失性存储器装置被配置为生成第一字线读取数据和第二字线读取数据，第一字线读取数据与来自所述多条字线的第一字线的存储器单元对应，并且第二字线读取数据与来自所述多条字线的第二字线的存储器单元对应，第二字线与第一字线邻近。非易失性存储器装置或存储控制器中的一个被配置为：基于第一字线读取数据和第二字线读取数据来计算字线间隙值；并且基于字线间隙值执行目标存储器块的可靠性操作。

技术特征：

1.一种操作存储装置的方法，所述存储装置包括存储控制器和非易失性存储器装置，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，第一请求包括关于目标读取电压电平的信息，

3.根据权利要求2所述的方法，其中，第一字线间隙值对应于存储器单元的第一数量与存储器单元的第二数量之间的差的绝对值。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，目标读取电压电平用于区分擦除状态和第一编程状态。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，字线顺序读取操作包括：顺序地执行第一字线的第一读取操作和第二字线的第二读取操作，并且

6.根据权利要求1所述的方法，其中，执行目标存储器块的第一可靠性操作的步骤包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其中，对所述一个或多个读取电压电平进行调整的步骤包括：

8.根据权利要求6所述的方法，其中，执行目标存储器块的第一可靠性操作的步骤还包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其中，第二阈值大于第一阈值。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，执行目标存储器块的第一可靠性操作的步骤包括：

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，还包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其中，字线顺序读取操作包括：顺序地执行第一字线的第一读取操作、第二字线的第二读取操作和第三字线的第三读取操作，

13.根据权利要求11所述的方法，其中，计算第一字线间隙值的步骤包括：由存储控制器存储第二字线读取数据，使得第二字线读取数据包括备份的字线读取数据，并且

14.根据权利要求11所述的方法，其中，执行目标存储器块的第二可靠性操作的步骤包括：

15.一种操作存储装置的方法，所述存储装置包括存储控制器和非易失性存储器装置，所述方法包括：

16.根据权利要求15所述的方法，其中，执行目标存储器块的可靠性操作的步骤包括：

17.根据权利要求15所述的方法，其中，执行目标存储器块的可靠性操作的步骤包括：

18.一种存储装置，包括：

19.根据权利要求18所述的存储装置，其中，非易失性存储器装置还被配置为：将第一字线读取数据和第二字线读取数据提供给存储控制器，

20.根据权利要求18所述的存储装置，其中，非易失性存储器装置还包括控制逻辑，控制逻辑包括：

技术总结公开存储装置和操作其的方法，所述存储装置包括存储控制器和非易失性存储器装置。所述方法包括：提供第一请求，第一请求指示非易失性存储器装置的目标存储器块的字线顺序读取操作；基于第一请求，提供第一字线读取数据，第一字线读取数据与目标存储器块的第一字线的存储器单元对应；基于第一请求，提供第二字线读取数据，第二字线读取数据与目标存储器块的第二字线的存储器单元对应，第二字线与第一字线邻近；基于第一字线读取数据和第二字线读取数据计算第一字线间隙值；以及基于第一字线间隙值执行目标存储器块的第一可靠性操作。技术研发人员：李晋永,姜宇现,徐永周,吴玄教,李熙元,林东厚,郑珍久受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/3/11