存储器装置及其编程方法与流程

本发明是有关于一种存储器装置及其编程方法，且特别是有关于一种可动态调整编程电压脉冲的存储器装置及其编程方法。

背景技术：

1、在非易失性存储器装置中，特别是在三维堆叠的存储单元架构上，存储单元的阈值电压分布以及编程动作的表现度，会受到很多因素的影响，例如电气特性、编程/擦除循环、工艺参数的漂移以及温度等等。因此，在增量步阶脉冲程序方式，通过固定的步阶值的编程动作，难以兼顾存储单元的阈值电压分布的密集度以及编程动作的速度，无法提供高效率的编程操作。

技术实现思路

1、本发明提供一种存储器装置及其编程方法，可提升编程动作的效能。

2、本发明的编程方法适用于存储器装置。编程方法包括：根据步阶值，基于增量步阶脉冲程序方式，针对选中存储页执行多次编程动作；在设定模式下，对应编程动作以分别执行多个编程验证动作，并分别产生多个通过位数；在设定模式下，计算两个编程动作对应的两个通过位数的一通过位数差值；以及，在设定模式下，根据通过位数差值以调整步阶值的大小。

3、本发明的存储器装置包括存储单元阵列以及控制器。存储单元阵列包括多个存储器区块，各存储器区块具有多个存储页。控制器耦接存储单元阵列，用于：在设定模式下，对应编程动作以分别执行多个编程验证动作，并分别产生多个通过位数；在设定模式下，计算两个编程动作对应的两个通过位数的一通过位数差值；以及，在设定模式下，根据通过位数差值以调整步阶值的大小。

4、基于上述，本发明的控制器根据两个编程动作对应的两个通过位数的通过位数差值，来进行增量步阶脉冲程序方式中的步阶值的调整动作。如此一来，在不需要应用复杂的逻辑运算的前提下，编程电压脉冲可适应性的进行调整，有效提升存储器装置的编程动作的效益。

技术特征：

1.一种编程方法，适用于一存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的编程方法，其中根据该通过位数差值以调整该步阶值的大小的步骤包括：

3.根据权利要求2所述的编程方法，其中根据该通过位数差值以调整该步阶值的大小的步骤包括：

4.根据权利要求3所述的编程方法，其中根据该通过位数差值以调整该步阶值的大小的步骤包括：

5.根据权利要求1所述的编程方法，还包括：

6.根据权利要求5所述的编程方法，还包括：

7.根据权利要求1所述的编程方法，还包括：

8.根据权利要求1所述的编程方法，其中根据该通过位数差值以调整对应各该编程动作的该编程脉冲的宽度的步骤包括：

9.根据权利要求1所述的编程方法，还包括：

10.一种存储器装置，包括：

11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中该控制器还用于：

12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中该控制器还用于：

13.根据权利要求11所述的存储器装置，其中该控制器还用于：

14.根据权利要求10所述的存储器装置，其中该控制器还用于：

15.根据权利要求10所述的存储器装置，其中该控制器还用于：

16.根据权利要求10所述的存储器装置，其中该控制器还用于：

17.根据权利要求10所述的存储器装置，其中该控制器还用于：

18.根据权利要求17所述的存储器装置，其中该选中存储页与该另一选中存储页在共享相同的多条字线。

19.根据权利要求10所述的存储器装置，还包括：

20.根据权利要求19所述的存储器装置，其中该控制器包括：

技术总结本公开提供了一种存储器装置及其编程方法。编程方法包括：根据步阶值，基于增量步阶脉冲程序方式，针对选中存储页执行多次编程动作；在设定模式下，对应编程动作以分别执行多个编程验证动作，并分别产生多个通过位数；在设定模式下，计算两个编程动作对应的两个通过位数的一通过位数差值；以及，在设定模式下，根据通过位数差值以调整步阶值的大小。技术研发人员：李坤泽,陈汉松,黄世昌受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/3/11