微电子装置及电子系统的制作方法

在各种实施例中，本公开大体上涉及微电子装置设计的领域。更具体地，本公开涉及包含上覆于存储器阵列的控制逻辑电路系统的微电子装置，且涉及相关的存储器装置及电子系统。

背景技术：

1、微电子装置通常具有可能影响性能的复杂信号布线。微电子装置的一个实例是存储器装置。存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部集成电路。存在许多类型的存储器装置，包含但不限于易失性存储器装置。一种类型的易失性存储器装置是动态随机存取存储器(dram)装置。dram装置可包含存储器阵列，所述存储器阵列包含布置成在第一水平方向上延伸的行及在第二水平方向上延伸的列的dram单元。在一种设计配置中，个别dram单元包含存取装置(例如，晶体管)及电连接到存取装置的存储节点装置(例如，电容器)。dram装置的dram单元可通过沿着存储器阵列的行及列布置的数字线及字线电存取，且与dram装置的基本控制逻辑结构内的控制逻辑装置电连通。

2、下伏于dram装置的存储器阵列的基本控制逻辑结构内的控制逻辑装置已被用来控制对dram装置的dram单元的操作。基本控制逻辑结构的控制逻辑装置可被设置成凭借结构(例如，竖直布线结构，例如导电触点；水平布线结构，例如迹线)与耦合到dram单元的数字线及字线电连通。不幸的是，三维(3d)存储器装置(例如，3d dram装置)架构可能需要复杂且拥挤的布线设计来将dram单元电连接到控制逻辑电路系统，例如子字线驱动器(swd)电路系统及感测放大器(sa)电路系统。

技术实现思路

1、在一些实施例中，一种微电子装置包含控制逻辑结构、上存储器阵列结构及下存储器阵列结构。所述控制逻辑结构包含聚集在感测放大器出口区周围的感测放大器。所述上存储器阵列结构下伏于所述控制逻辑结构且包含存储器单元，所述存储器单元凭借延伸穿过所述感测放大器出口区的布线耦合到所述控制逻辑结构的所述感测放大器中的一些。所述下存储器阵列结构下伏于所述上存储器阵列结构且包含额外存储器单元，所述额外存储器单元凭借延伸穿过所述感测放大器出口区的额外布线耦合到所述控制逻辑结构的所述感测放大器中的一些其它者。

2、在额外实施例中，一种微电子装置包含：第一存储器阵列结构；第二存储器阵列结构，其竖直上覆于所述第一存储器阵列结构；及控制逻辑结构，其竖直上覆于所述第二存储器阵列结构。所述第一存储器阵列结构包含：第一阵列区，其个别地包含第一存储器单元；第一数字线，其耦合到所述第一阵列区的所述第一存储器单元且在第一方向上延伸，所述第一数字线中的至少一些终止于在所述第一方向上与所述第一阵列区交替的数字线出口区内；及第一字线，其耦合到所述第一阵列区的所述第一存储器单元且在正交于所述第一方向的第二方向上延伸，所述第一字线中的至少一些终止于在所述第二方向上与所述第一阵列区交替的字线出口区内。所述第二存储器阵列结构包含：第二阵列区，其个别地包含第二存储器单元；第二数字线，其耦合到所述第二阵列区的所述第二存储器单元且在所述第一方向上延伸，所述第二数字线中的至少一些终止于所述数字线出口区内；及第二字线，其耦合到所述第二阵列区的所述第二存储器单元且在所述第二方向上延伸，所述第二字线中的至少一些终止于所述字线出口区内。所述控制逻辑结构包含：第一感测放大器，其耦合到所述第一数字线；第二感测放大器，其耦合到所述第二数字线；第一子字线驱动器，其耦合到所述第一字线；及第二子字线驱动器，其耦合到所述第二字线。

3、在进一步实施例中，一种电子系统包含：输入装置；输出装置；处理器装置，其可操作地耦合到所述输入装置及所述输出装置；及存储器装置，其可操作地耦合到所述处理器装置。所述存储器装置包含：控制逻辑装置结构；第一微电子装置结构，其竖直下伏于所述控制逻辑装置结构；及第二微电子装置结构，其竖直插入在所述第一微电子装置结构与所述控制逻辑装置结构之间。所述控制逻辑装置结构包含：感测放大器，其与测放大器出口区水平相邻；及子字线驱动器，其从所述感测放大器水平偏移。所述第一微电子装置结构包含存储器单元，所述存储器单元凭借从所述存储器单元中的一些延伸且穿过所述感测放大器出口区的导电结构耦合到所述感测放大器中的一些。所述第二微电子装置结构包含额外存储器单元，所述额外存储器单元凭借从所述额外存储器单元延伸且穿过感测放大器出口区的额外导电结构耦合到所述感测放大器中的一些其它者。

技术特征：

1.一种微电子装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中：

3.根据权利要求2所述的微电子装置，其中：

4.根据权利要求2所述的微电子装置，其中：

5.根据权利要求4所述的微电子装置，其中：

6.根据权利要求5所述的微电子装置，其中：

7.根据权利要求6所述的微电子装置，其中：

8.根据权利要求2所述的微电子装置，其中：

9.根据权利要求8所述的微电子装置，其进一步包括：

10.根据权利要求8所述的微电子装置，其进一步包括：

11.根据权利要求2所述的微电子装置，其中：

12.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述布线将耦合到所述上存储器阵列结构的所述存储器单元的数字线耦合到所述控制逻辑结构的所述感测放大器中的所述一些。

13.根据权利要求12所述的微电子装置，其中：

14.根据权利要求13所述的微电子装置，其中所述布线及所述额外布线个别地在所述感测放大器出口区与数字线出口区之间延伸，所述数字线出口区与在其水平区域内包含所述存储器单元及所述额外存储器单元的阵列区水平交替。

15.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括经填充插槽开口，所述经填充插槽开口包括由半导电材料侧向定界且邻近半导电材料的介电材料，所述经填充插槽开口包括：

16.根据权利要求15所述的微电子装置，其中：

17.根据权利要求16所述的微电子装置，其中：

18.根据权利要求1至17中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述控制逻辑结构进一步包括位于所述感测放大器的水平区域之外且包括互补金属氧化物半导体cmos电路系统的额外控制逻辑装置。

19.一种微电子装置，其包括：

20.根据权利要求19所述的微电子装置，其中：

21.根据权利要求20所述的微电子装置，其进一步包括：

22.根据权利要求21所述的微电子装置，其中：

23.一种电子系统，其包括：

24.根据权利要求23所述的电子系统，其进一步包括：

25.根据权利要求23及24中任一权利要求所述的电子系统，其中所述存储器装置包括dram装置。

技术总结本申请涉及微电子装置及电子系统。公开一种微电子装置，其包含：控制逻辑结构，其包含聚集在感测放大器出口区周围的感测放大器；上存储器阵列结构，其下伏于所述控制逻辑结构且包含存储器单元，所述存储器单元凭借延伸穿过所述感测放大器出口区的布线耦合到所述控制逻辑结构的所述感测放大器中的一些；及下存储器阵列结构，其下伏于所述上存储器阵列结构且包含额外存储器单元，所述额外存储器单元凭借延伸穿过所述感测放大器出口区的额外布线耦合到所述控制逻辑结构的所述感测放大器中的一些其它者。技术研发人员：F·A·席赛克·艾吉受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/3/11