存储单元的制作方法

本发明是有关于一种存储单元，且特别是有关于一种适用于互补式存储器内运算(computing-in-memory，cim)方法的存储单元。

背景技术：

1、传统上，cim方法使用两个8t静态随机存取存储(static random access memory，sram)单元(即16个晶体管)存储单一互补权重，此相对于一个8t sram单元(即8个晶体管)即可存储单一互补权重的架构，芯片面积较大，且漏电流亦较大。然而，其带来的高精度、高效率比等优点却是一个8tsram单元架构所缺欠的。因此，如何设计出能提高运算效能，又能减少晶体管数量的存储单元架构，是本领域的技术人员研究的课题之一。

技术实现思路

1、本发明实施例提供一种存储单元，利用新的晶体管架构，达到单一sram单元即可支持互补式cim运算，并结合次临界(subthreshold)操作的运算晶体管达成高平行运算，借此减少芯片面积成本并提高运算效能。

2、本发明一实施例提供一种存储单元，其包括第一晶体管、第二晶体管、权重存储电路以及驱动电路。所述第一晶体管的第一端耦接至位线，所述第二晶体管的第一端耦接至反相位线。所述权重存储电路耦接于所述第一晶体管的栅极端与所述第二晶体管的栅极端之间，并且存储权重值。所述驱动电路耦接至所述第一晶体管的第二端、所述第二晶体管的第二端及至少一字线，并且接收至少一阈值电压及自所述字线接收至少一输入数据。所述权重存储电路依据所述权重值决定开启所述第一晶体管或所述第二晶体管，所述驱动电路依据所述阈值电压及所述输入数据决定是否在所开启的所述第一晶体管或所述第二晶体管的路径上产生运算电流。

3、以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

技术特征：

1.一种存储单元，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，其中所述权重存储电路包括：

3.根据权利要求2所述的存储单元，其特征在于，其中所述驱动电路包括：

4.根据权利要求2所述的存储单元，其特征在于，其中所述驱动电路包括：

5.根据权利要求4所述的存储单元，其特征在于，其中所述阈值驱动器包括：

6.根据权利要求2所述的存储单元，其特征在于，其中所述驱动电路包括：

7.根据权利要求2所述的存储单元，其特征在于，其中所述驱动电路包括：

8.根据权利要求2所述的存储单元，其特征在于，其中所述驱动电路包括：

9.根据权利要求2所述的存储单元，其特征在于，其中所述驱动电路包括：

10.根据权利要求2所述的存储单元，其特征在于，其中所述静态随机存取存储单元为6t静态随机存取存储单元。

11.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，其中所述权重存储电路包括：

12.根据权利要求11所述的存储单元，其特征在于，其中所述驱动电路包括：

13.根据权利要求11所述的存储单元，其特征在于，其中所述驱动电路包括：

14.根据权利要求13所述的存储单元，其特征在于，其中所述阈值驱动器包括：

15.根据权利要求11所述的存储单元，其特征在于，其中所述驱动电路包括：

16.根据权利要求11所述的存储单元，其特征在于，其中所述第一静态随机存取存储单元及所述第二静态随机存取存储单元皆为6t静态随机存取存储单元。

17.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管皆为n型金氧半导体晶体管。

18.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，其中所述权重值为单一互补权重。

19.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，其中所述权重值为三元权重。

20.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，其中所述存储单元包括在存储器系统中。

技术总结一种存储单元，存储单元包括第一晶体管、第二晶体管、权重存储电路及驱动电路。第一晶体管的第一端耦接至位线，第二晶体管的第一端耦接至反相位线。权重存储电路耦接于第一晶体管的栅极端与第二晶体管的栅极端之间，并且存储权重值。驱动电路耦接至第一晶体管的第二端、第二晶体管的第二端及至少一字线，并且接收至少一阈值电压及自字线接收至少一输入数据。权重存储电路依据权重值决定开启第一晶体管或第二晶体管。驱动电路依据阈值电压及输入数据决定是否在所开启的第一晶体管或第二晶体管的路径上产生运算电流。技术研发人员：林志昇,侯拓宏,蔡富程,苏建维,曾国华受保护的技术使用者：财团法人工业技术研究院技术研发日：技术公布日：2024/3/11