子块状态相依设备操作的制作方法

本申请涉及非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的操作。

背景技术：

1、本节段提供与本公开相关联的技术相关的背景信息，并且由此不一定为现有技术。

2、半导体存储器装置已经变得越来越普遍用于各种电子设备。例如，非易失性半导体存储器用于蜂窝电话、数字相机、个人数字助理、移动计算设备、非移动计算设备以及其他设备。

3、电荷存储材料(诸如浮栅)或电荷俘获材料可用于此类存储器装置中以存储表示数据状态的电荷。电荷俘获材料可以被垂直布置在三维(3d)堆叠的存储器结构中，或者被水平布置在二维(2d)存储器结构中。3d存储器结构的一个示例是位成本可扩展(bics)体系结构，该体系结构包括交替的导电层和介电层的堆叠。

技术实现思路

1、本节段提供了本公开的一般概述，并且不是其全部范围或其所有特征和优点的全面公开。

2、本公开的目的是提供解决和克服本文所述的缺点的存储器装置和操作该存储器装置的方法。

3、因此，本公开的一个方面是一种存储设备，该存储设备包括：非易失性存储器，该非易失性存储器包括被划分成多个子块的n条字线的块；以及控制电路，该控制电路耦合到该n条字线。该控制电路被配置为：在对该多个子块中的选定子块执行操作之前确定该多个子块中的未选定子块的编程状态；基于确定所述未选定子块的所述编程状态为已编程，执行包括应用第一预充电时间的预充电操作；以及基于确定该未选定子块的该编程状态为未编程，执行包括应用第二预充电时间的预充电操作，其中该第一预充电时间比该第二预充电时间长。

4、因此，本公开的另一方面是一种操作非易失性半导体存储器设备的方法。该方法包括：在对多个子块中的选定子块执行操作之前，确定该多个子块中的未选定子块的编程状态；基于确定该未选定子块的编程状态为已编程，执行包括应用第一预充电时间的预充电操作；以及基于确定该未选定子块的该编程状态为未编程，执行包括应用第二预充电时间的预充电操作，其中该第一预充电时间比该第二预充电时间长。

5、因此，本公开的另一方面是一种装置，该装置包括：用于在对多个子块中的选定子块执行操作之前确定该多个子块中的未选定子块的编程状态的装置；用于基于确定该未选定子块的编程状态为已编程来执行包括应用第一预充电时间的预充电操作的装置；以及用于基于确定该未选定子块的编程状态为未编程来执行包括应用第二预充电时间的预充电操作的装置，其中第一预充电时间比第二预充电时间长。

6、根据本文提供的描述，另外的适用领域将变得显而易见。本技术实现要素：中的描述和具体示例仅旨在用于例证的目的，并非旨在限制本发明的范围。

技术特征：

1.一种存储设备，包括：

2.根据权利要求1所述的存储设备，其中所述控制电路被进一步配置为：

3.根据权利要求1所述的存储设备，其中所述控制电路被进一步配置为：

4.根据权利要求3所述的存储设备，其中所述感测操作是编程验证操作。

5.根据权利要求1所述的存储设备，其中所述操作是编程操作。

6.根据权利要求1所述的存储设备，其中所述控制电路被进一步配置为：

7.根据权利要求1所述的存储设备，其中所述操作是读取操作。

8.一种操作非易失性半导体存储器设备的方法，所述方法包括：

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

10.根据权利要求8所述的方法，还包括：

技术总结本文公开了一种存储设备。该存储设备包括：非易失性存储器，其中该非易失性存储器包括被划分成多个子块的N条字线的块；以及控制电路，该控制电路耦合到该N条字线。该控制电路被配置为：在对该多个子块中的选定子块执行操作之前确定该多个子块中的未选定子块的编程状态；基于确定该未选定子块的该编程状态为已编程，执行包括应用第一预充电时间的预充电操作；以及基于确定该未选定子块的该编程状态为未编程，执行包括应用第二预充电时间的预充电操作，其中该第一预充电时间比该第二预充电时间持续更长的时间段。技术研发人员：H-P·陈,G·梁受保护的技术使用者：闪迪技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/3/11