基于读电压表设置NandFlash读电压的方法及装置与流程

本发明涉及固态硬盘，尤其是指一种基于读电压表设置nand flash读电压的方法及装置。

背景技术：

1、nand flash的读电压会随着retention时间的改变而发生变化，使用寿命后期会出现健康度下降等问题，导致读出数据存在失真的风险。现有的技术方案是通过每次设置并更新读电压，以提高数据可靠性，这样的处理方式虽然简单，但是会增加每次发送设置读电压的命令，一些通过set feature或set parameter的方式进行设置的方案，会增加ssd的时延，严重影响ssd响应读命令的性能。

技术实现思路

1、本发明所要解决的技术问题是：提供一种能够有效降低下发读电压时间、提高ssd性能的基于读电压表设置nand flash读电压的方法及装置。

2、为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种基于读电压表设置nandflash读电压的方法，包括：

3、s1、建立读电压表，记录每个plane对应的第一读电压值；

4、s2、获取下发命令；

5、s3、判断下发命令是否为读命令，是则获取该读命令的第二读电压值；

6、s4、判断第二读电压值与第一读电压值是否相等，若不等则进入步骤s5；

7、s5、下发对应plane的设置读电压命令，获取更新后的第二读电压值；

8、s6、将第二读电压值替换掉读电压表中对应plane的第一读电压值。

9、进一步的，在步骤s1之中，根据默认读电压值建立读电压表。

10、进一步的，在步骤s3之中，还包括判断下发命令是否会改变读电压，是则获取改变后的读电压值，并将改变后的读电压值替换掉读电压表中对应plane的第一读电压值。

11、进一步的，在步骤s3之中，若不是读命令，则不下发设置读电压。

12、进一步的，在步骤s4之中，若相等，则下发读命令。

13、进一步的，在步骤s6之后，还包括根据第二读电压下发读命令。

14、进一步的，在步骤s1之前，还包括获取电压表存储空间。

15、本发明还涉及一种基于读电压表设置nand flash读电压的装置，包括初始化模块、获取模块、判断模块、设置模块和更新模块；

16、所述初始化模块用于建立读电压表，记录每个plane对应的第一读电压值；

17、所述获取模块用于获取下发命令、获取读命令的第二读电压值以及获取更新后的第二读电压值；

18、所述判断模块用于判断下发命令是否为读命令，以及判断第二读电压值和第一读电压值是否相等；

19、所述设置模块用于下发对应plane的设置读电压命令；

20、所述更新模块用于将第二读电压值替换掉读电压表中对应plane的第一读电压值。

21、本发明还涉及一种终端设备，其特征在于，包括：存储器，用于存储计算机程序；处理器，用于执行所述计算机程序时实现如上述任一项所述的基于读电压表设置nand flash读电压的方法的步骤。

22、本发明还涉及一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述任一项所述的基于读电压表设置nand flash读电压的方法的步骤。

23、本发明的有益效果在于：提供了一种基于读电压表设置nand flash读电压的方法，该方法通过检测当前读命令需要设置的读电压值是否命中指定plane上对应level的读电压值，从而下发设置读电压的命令，仅在需要读取时设置nand flash对应plane的读电压值，避免对全盘设置nand flash的读电压值造成的时间浪费以及性能损失，大大提高了ssd的性能。

技术特征：

1.一种基于读电压表设置nand flash读电压的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在步骤s1之中，根据默认读电压值建立读电压表。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在步骤s3之中，还包括判断下发命令是否会改变读电压，是则获取改变后的读电压值，并将改变后的读电压值替换掉读电压表中对应plane的第一读电压值。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在步骤s3之中，若不是读命令，则不下发设置读电压。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在步骤s4之中，若相等，则下发读命令。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在步骤s6之后，还包括根据第二读电压下发读命令。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在步骤s1之前，还包括获取电压表存储空间。

8.一种基于读电压表设置nand flash读电压的装置，其特征在于：包括初始化模块、获取模块、判断模块、设置模块和更新模块；

9.一种终端设备，其特征在于，包括：存储器，用于存储计算机程序；处理器，用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7任一项所述的基于读电压表设置nand flash读电压的方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述的基于读电压表设置nand flash读电压的方法的步骤。

技术总结本发明提供了一种基于读电压表设置Nand Flash读电压的方法及装置，包括：S1、建立读电压表，记录每个plane对应的第一读电压值；S2、获取下发命令；S3、判断下发命令是否为读命令，是则获取该读命令的第二读电压值；S4、判断第二读电压值与第一读电压值是否相等，若不等则进入步骤S5；S5、下发对应plane的设置读电压命令；S6、将第二读电压值替换掉读电压表中对应plane的第一读电压值，该方法通过检测当前读命令需要设置的读电压值是否命中指定plane上对应level的读电压值，从而下发设置读电压的命令，仅在需要读取时设置Nand Flash对应plane的读电压值，避免对全盘设置Nand Flash的读电压值造成的时间浪费以及性能损失，大大提高了SSD的性能。技术研发人员：张用,郭静颖,曾添友受保护的技术使用者：成都芯忆联信息技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/4/17