执行裕度读取测试操作的闪存和包括该闪存的裕度读取测试系统的制作方法

与本公开一致的实施例涉及一种半导体存储器件，更具体地，涉及一种用于执行裕度读取测试操作的闪存、以及包括该闪存的裕度读取测试系统。

背景技术：

1、半导体存储器可以主要分类为易失性存储器或非易失性存储器。易失性存储器(例如，dram或sram)的读取速度和写入速度较快，但当电源关闭时，存储在易失性存储器中的数据就会消失。相反，即使当电源关闭时，非易失性存储器也可以保留数据。

2、非易失性存储器的代表性示例是闪存。闪存可以将两个比特或更多个比特的多比特数据存储在一个存储单元中。根据阈值电压分布，存储多比特数据的闪存可以具有一个擦除状态和多个编程状态。

3、如今，嵌入式闪存被嵌入在便携式电子设备(例如，智能电话)中，并在便携式电子设备(例如，智能电话)中使用。随着对便携式电子设备的需求增加以及要存储的数据量增加，嵌入式闪存正逐渐高度集成。在闪存中，重要的是确保编程状态之间的读取裕度。

4、通过在闪存的裕度读取测试操作中使用外部电压来调查读取裕度。因为在裕度读取测试操作中使用外部电压，所以花费大量时间来在闪存内稳定外部电压。

技术实现思路

1、一个方面是提供一种闪存，该闪存能够通过内部执行裕度读取测试操作来减小调查读取裕度所花费的时间。

2、另一方面是提供一种裕度读取测试系统，该裕度读取测试系统用于通过使用闪存的内部电路执行裕度读取测试操作来高速地执行裕度读取测试操作。

3、根据一个或多个实施例的一方面，一种闪存可以包括：第一存储单元，与所选择的字线和第一位线连接；第二存储单元，与所选择的字线和第二位线连接；读出放大器，被配置为向感测线提供感测电流，该感测电流用于感测存储在第一存储单元或第二存储单元中的数据；位线选择电路，被配置为通过将感测线与第一位线或第二位线连接来选择位线；以及裕度读取测试电路，被配置为执行裕度读取测试操作，在该裕度读取测试操作中，裕度读取测试电路向感测线提供裕度电流，该裕度电流用于测试存储在与所选择的位线连接的第一存储单元或第二存储单元中的数据的读取裕度。

4、根据一个或多个实施例的另一方面，一种裕度读取测试系统可以包括：闪存，包括多个存储单元；以及裕度读取测试器，被配置为向闪存提供用于执行裕度读取测试操作的命令，以测试存储在多个存储单元中的数据的读取裕度。该闪存包括：读出放大器，被配置为向感测线提供感测电流，该感测电流用于感测存储在多个存储单元中的数据；以及裕度读取测试电路，被配置为基于所述命令，向感测线提供裕度电流，该裕度电流用于测试存储在多个存储单元中的数据的读取裕度。

5、根据一个或多个实施例的又一方面，一种裕度读取测试系统可以包括：闪存，包括多个存储单元；以及裕度读取测试器，被配置为向闪存提供用于测试存储在多个存储单元中的数据的读取裕度的测试命令。该闪存包括裕度读取测试电路，该裕度读取测试电路被配置为基于测试命令，向感测线提供裕度电流，该裕度电流用于测试存储在多个存储单元中的数据的读取裕度。

技术特征：

1.一种闪存，包括：

2.根据权利要求1所述的闪存，其中，在所述裕度读取测试操作中，所述裕度读取测试电路向所述所选择的位线提供所述感测电流和所述裕度电流之和、或所述感测电流和所述裕度电流之差。

3.根据权利要求2所述的闪存，其中，所述裕度读取测试操作包括导通裕度读取操作，并且在所述导通裕度读取操作中，所述裕度读取测试电路向所述所选择的位线提供所述感测电流和所述裕度电流之差。

4.根据权利要求2所述的闪存，其中，所述裕度读取测试操作包括断开裕度读取操作，并且在所述断开裕度读取操作中，所述裕度读取测试电路向所述所选择的位线提供所述感测电流和所述裕度电流之和。

5.根据权利要求1所述的闪存，其中，所述裕度读取测试电路包括：

6.根据权利要求5所述的闪存，其中，所述内部电流发生器包括用于调整所述导通裕度电流的电流选项电路。

7.根据权利要求5所述的闪存，其中，所述内部电流发生器包括用于调整所述断开裕度电流的pmos晶体管电流镜。

8.根据权利要求5所述的闪存，其中，所述电流缓冲器基于测试裕度导通信号或测试裕度断开信号来执行导通裕度读取测试操作或断开裕度读取测试操作。

9.根据权利要求1所述的闪存，其中，所述第一存储单元和所述第二存储单元是nor单元。

10.根据权利要求1所述的闪存，其中，所述闪存是嵌入式闪存。

11.一种裕度读取测试系统，包括：

12.根据权利要求11所述的裕度读取测试系统，其中，所述裕度读取测试电路包括：

13.根据权利要求12所述的裕度读取测试系统，其中，所述内部电流发生器包括用于调整所述导通裕度电流的电流选项电路。

14.根据权利要求12所述的裕度读取测试系统，其中，所述命令包括测试裕度导通信号或测试裕度断开信号，并且所述电流缓冲器基于所述测试裕度导通信号或所述测试裕度断开信号来执行导通裕度读取测试操作或断开裕度读取测试操作。

15.根据权利要求14所述的裕度读取测试系统，其中，所述电流缓冲器基于所述测试裕度导通信号，向所述感测线提供具有正值的裕度电流。

16.根据权利要求14所述的裕度读取测试系统，其中，所述电流缓冲器基于所述测试裕度断开信号，向所述感测线提供具有负值的裕度电流。

17.根据权利要求11所述的裕度读取测试系统，其中，所述闪存是嵌入式闪存。

18.一种裕度读取测试系统，包括：

19.根据权利要求18所述的裕度读取测试系统，其中，所述裕度读取测试电路包括：

20.根据权利要求19所述的裕度读取测试系统，其中，所述内部电流发生器包括用于调整所述导通裕度电流的电流选项电路。

技术总结一种闪存，包括：第一存储单元，与所选择的字线和第一位线连接；第二存储单元，与所选择的字线和第二位线连接；读出放大器，向感测线提供感测电流，该感测电流用于感测存储在第一存储单元或第二存储单元中的数据；位线选择电路，通过将感测线与第一位线或第二位线连接来选择位线；以及裕度读取测试电路，执行裕度读取测试操作，在该裕度读取测试操作中，裕度读取测试电路向感测线提供裕度电流，该裕度电流用于测试存储在与所选择的位线连接的第一存储单元或第二存储单元中的数据的读取裕度。技术研发人员：金奎星,辛贤真受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/5/9