一种退化预警电路及存储器的制作方法

本公开涉及但不限于一种退化预警电路及存储器。

背景技术：

1、集成电路中，随着器件尺寸缩小，负偏压温度不稳定性(negative biastemperature instability，nbti)已经成为影响器件可靠性的最主要因素。nbti效应主要影响了pmos管的阈值电压，最大跨导，线性区漏极电流和饱和电流等特性。因此，如何对nbti效应预警是需要解决的问题。

技术实现思路

1、本公开实施例提供的一种退化预警电路及存储器，能够准确的对集成电路中的nbti效应进行预警。

2、本公开的技术方案是这样实现的：

3、本公开实施例提供了一种退化预警电路，包括：待测电路，用于产生待测电压；参考电路，用于产生参考电压；报警比较电路，分别连接所述待测电路和所述参考电路，用于接收所述待测电压和所述参考电压，在所述待测电路发生退化时，根据所述待测电压和所述参考电压输出预警信号。

4、上述方案中，所述待测电路具有退化性，所述参考电路具有耐退化性。

5、上述方案中，所述待测电压包括：第一待测电压和第二待测电压；所述待测电路，在未退化时向所述报警比较电路提供所述第一待测电压；其中，所述第一待测电压与所述参考电压的差值小于预定阈值；所述待测电路，在退化时向所述报警比较电路提供所述第二待测电压。

6、上述方案中，若所述第二待测电压大于所述第一待测电压，则所述报警比较电路在检测到所述第二待测电压大于所述参考电压时，输出所述预警信号；或，若所述第二待测电压小于所述第一待测电压，则所述报警比较电路在检测到所述第二待测电压小于所述参考电压时，输出所述预警信号。

7、上述方案中，所述待测电路，其第一端与电源连接，其第二端与所述报警比较电路的第一端连接，其第三端接地；所述参考电路，其第一端与所述电源连接，其第二端与所述报警比较电路的第二端连接，其第三端接地。

8、上述方案中，所述报警比较电路包括：比较电路和报警电路；所述比较电路，其第一端作为所述报警比较电路的第一端，其第二端作为所述报警比较电路的第二端，其第三端与所述报警电路的第二端连接，其用于向所述报警电路提供比较电压；所述报警电路，其第一端连接第一引脚，其第二端接地，其用于在所述待测电路发生退化时，受控于所述比较电压而导通，向所述第一引脚输送所述预警信号。

9、上述方案中，所述比较电路包括：第一电阻、第二电阻和电位比较器；所述第一电阻，其第一端与所述待测电路的第二端连接，其第二端与所述电位比较器的第一输入端连接；所述第二电阻，其第一端与所述参考电路的第二端连接，其第二端与所述电位比较器的第二输入端连接；所述电位比较器，其输出端与所述报警电路的第二端连接，其输出所述比较电压。

10、上述方案中，所述比较电路还包括：第三电阻和稳压管；所述第三电阻，其第一端与所述电位比较器的输出端连接，其第二端分别与所述稳压管的第一端、所述报警电路的第二端连接；所述稳压管，其第二端接地。

11、上述方案中，所述报警电路包括：第一晶体管；所述第一晶体管，其第一端连接所述第一引脚，其控制端连接所述电位比较器的输出端以接收所述比较电压，其第二端接地；所述第一晶体管响应于所述比较电压，将所述第一引脚接地。

12、上述方案中，所述待测电路包括：第二晶体管和第四电阻；所述第四电阻，其第一端连接所述电源，其第二端连接所述第二晶体管的第一端；所述第二晶体管，其控制端连接所述比较电路的第一端，其控制端与第二端接地。

13、上述方案中，所述参考电路包括：第三晶体管和第五电阻；所述第三晶体管具有耐退化性；所述第五电阻，其第一端连接所述电源，其第二端连接所述第三晶体管的第一端；所述第三晶体管，其控制端连接所述比较电路的第二端，其控制端与第二端接地。

14、上述方案中，所述参考电路包括：第六电阻和第七电阻；所述第六电阻，其第一端连接所述电源，其第二端分别连接所述第七电阻的第一端、及所述比较电路的第二端；所述第七电阻，其第二端接地；所述参考电压产生于所述第六电阻的第二端。

15、上述方案中，所述报警比较电路包括：比较电路和第二引脚；所述比较电路，其第一端作为所述报警比较电路的第一端，其第二端作为所述报警比较电路的第二端，其第三端与所述第二引脚连接；所述比较电路向所述第二引脚输送所述预警信号。

16、本公开实施例还提供了一种存储器，所述存储器包括如上述方案中的退化预警电路。

17、上述方案中，所述存储器为动态随机存取存储器dram。

18、由此可见，本公开实施例提供了一种退化预警电路及存储器。其中，退化预警电路包括：待测电路，用于产生待测电压；参考电路，用于产生参考电压；报警比较电路，分别连接所述待测电路和所述参考电路，用于接收所述待测电压和所述参考电压，在所述待测电路发生退化时，根据所述待测电压和所述参考电压输出预警信号。这样，当待测电路中的器件出现nbti效应时，导致待测电路产生的待测电压变化，报警比较电路可以根据待测电路和参考电路分别提供的电压，输出预警信号，准确的对待测电路中器件的nbti效应做出预警。

技术特征：

1.一种退化预警电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的退化预警电路，其特征在于，所述待测电路具有退化性，所述参考电路具有耐退化性。

3.根据权利要求1所述的退化预警电路，其特征在于，所述待测电压包括：第一待测电压和第二待测电压；

4.根据权利要求3所述的退化预警电路，其特征在于，若所述第二待测电压大于所述第一待测电压，则所述报警比较电路在检测到所述第二待测电压大于所述参考电压时，输出所述预警信号；

5.根据权利要求1所述的退化预警电路，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的退化预警电路，其特征在于，所述报警比较电路包括：比较电路和报警电路；

7.根据权利要求6所述的退化预警电路，其特征在于，所述比较电路包括：第一电阻、第二电阻和电位比较器；

8.根据权利要求7所述的退化预警电路，其特征在于，所述比较电路还包括：第三电阻和稳压管；

9.根据权利要求7所述的退化预警电路，其特征在于，所述报警电路包括：第一晶体管；

10.根据权利要求6所述的退化预警电路，其特征在于，所述待测电路包括：第二晶体管和第四电阻；

11.根据权利要求6所述的退化预警电路，其特征在于，所述参考电路包括：第三晶体管和第五电阻；所述第三晶体管具有耐退化性；

12.根据权利要求6所述的退化预警电路，其特征在于，所述参考电路包括：第六电阻和第七电阻；

13.根据权利要求5所述的退化预警电路，其特征在于，所述报警比较电路包括：比较电路和第二引脚；

14.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括如权利要求1至13任一项所述的退化预警电路。

15.根据权利要求14所述的存储器，其特征在于，所述存储器为动态随机存取存储器dram。

技术总结本公开提供了一种退化预警电路及存储器，其中，退化预警电路包括：待测电路，用于产生待测电压；参考电路，用于产生参考电压；报警比较电路，分别连接所述待测电路和所述参考电路，用于接收所述待测电压和所述参考电压，在所述待测电路发生退化时，根据所述待测电压和所述参考电压输出预警信号。这样，当待测电路中的器件出现NBTI效应时，导致待测电路产生的待测电压变化，报警比较电路可以根据待测电路和参考电路分别提供的电压，输出预警信号，准确的对待测电路中器件的NBTI效应做出预警。技术研发人员：杨杰受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/16