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一种高密度DDR颗粒低速率全覆盖读写电路的制作方法

  • 国知局
  • 2024-07-31 19:54:37

本发明涉及电子电路,尤其涉及一种高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路。

背景技术:

1、ddr,即双倍速率同步动态随机存储器,是内存的其中一种,目前,随着集成电路的发展,双倍速率(double data rate,ddr)同步动态随机存储器(synchronous dynamicrandom access memory,sdram)因其高数据传输速率,在很多领域中得到广泛应用。

2、相关技术中,ddr颗粒存在一定的生命周期,ddr颗粒可能因为温度、湿度、碰撞等各种因素出现故障。在高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路的应用当中,一旦电路连接的一颗ddr颗粒出现故障,就会导致整个电路无法正常运行。

3、因此,有必要提供一种高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本发明提供一种高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路,解决了背景技术中的问题。

2、为解决上述技术问题,本发明提供的高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路包括:ddr读写电路模块、获取模块、故障监测模块、中央处理模块、读取模块、故障确定模块、配置模块、数据储存模块以及预警模块。

3、所述ddr读写电路模块的输出端连接于所述获取模块的输入端,所述故障监测模块的输出端连接于所述获取模块的输入端,所述获取模块的输出端连接于所述中央处理模块的输入端,所述中央处理模块的输出端连接于所述读取模块的输入端,所述读取模块的输出端连接于所述故障确定模块的输出端,所述故障确定模块的输出端连接于所述配置模块的输入端,所述读取模块的输出端以及所述故障确定模块的输出端均连接于所述数据储存模块的输入端,所述数据储存模块的输出端连接于所述预警模块的输入端。

4、优选的,所述获取模块用于获取所述ddr读写电路模块的信息数据,所述故障监测模块用于对获取模块获取的信息数据进行监测,检测是否存在异常信息,异常信息用于指示故障ddr颗粒,所述中央处理模块用于对监测结果进行处理,并传导给读取模块,所述读取模块用于对处理结果进行读取,并传导给故障确定模块,所述故障确定模块用于确定该ddr颗粒是否为故障ddr颗粒,所述配置模块用于对ddr读写电路模块进行初始化配置时,禁用异常信息所指示的故障ddr颗粒,所述数据储存模块用于对读取模块以及故障确定模块的数据信息进行储存,所述预警模块用于对故障ddr颗粒进行提醒。

5、优选的,所述故障监测模块对ddr颗粒进行错误检查和纠正ecc检测,并分别确定各ddr颗粒存在的双比特错误数量。

6、优选的,所述中央处理模块为单片机,其型号为stc89c51。

7、优选的,还包括分区模块,所述中央处理模块的输出端连接于所述分区模块的输入端,所述分区模块的输出端连接于所述读取模块的输入端。

8、优选的,所述分区模块用于对ddr读写电路模块中高密度ddr颗粒进行分区,经故障监测模块检测的故障ddr颗粒可通过读取模块快速确认所处的片区,并通过数据储存模块对该片区进行标记,预警模块对其拟定风险等级。

9、优选的,所述故障检测模块包括第一检测单元、第二检测单元以及第三检测单元。

10、优选的,所述第一检测单元用于检测ddr读写电路模块是否发生断路故障,所述第二检测单元用于检测ddr读写电路模块是否发生短路故障,所述第三检测单元用于检测ddr读写电路模块是否发生ddr颗粒故障。

11、优选的,所述数据储存模块包括第一储存单元、第二储存单元、数据统计单元以及标记单元。

12、优选的,所述第一储存单元用于储存读取模块的数据信息,所述第二储存单元用于储存故障确定模块的数据信息,所述数据统计单元用于统计故障ddr颗粒,所述标记单元用于对故障ddr颗粒进行标记。

13、与相关技术相比较,本发明提供的高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路具有如下有益效果:

14、本发明提供一种高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路,本发明通过故障监测模块实时对ddr读写电路模块进行监测,检测其是否存在异常信息,一旦通过故障确定模块确定异常情况,可通过配置模块对ddr读写电路模块进行初始化配置,禁用异常信息所指示的故障ddr颗粒,使得异常信息所指示的故障ddr颗粒不会影响ddr读写电路模块对其他ddr颗粒的使用,避免了因少数故障ddr颗粒故障导致整个ddr读写电路模块无法正常运行的问题,并且响应速度快,分区模块可快速标记片区内故障ddr颗粒,且对该片区进行风险等级评估,给后续规划相应处理措施带来了便捷。

技术特征:

1.一种高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路,其特征在于,包括:ddr读写电路模块、获取模块、故障监测模块、中央处理模块、读取模块、故障确定模块、配置模块、数据储存模块以及预警模块。

2.根据权利要求1所述的高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路,其特征在于,所述获取模块用于获取所述ddr读写电路模块的信息数据,所述故障监测模块用于对获取模块获取的信息数据进行监测,检测是否存在异常信息,异常信息用于指示故障ddr颗粒,所述中央处理模块用于对监测结果进行处理,并传导给读取模块,所述读取模块用于对处理结果进行读取,并传导给故障确定模块,所述故障确定模块用于确定该ddr颗粒是否为故障ddr颗粒,所述配置模块用于对ddr读写电路模块进行初始化配置时,禁用异常信息所指示的故障ddr颗粒,所述数据储存模块用于对读取模块以及故障确定模块的数据信息进行储存,所述预警模块用于对故障ddr颗粒进行提醒。

3.根据权利要求2所述的高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路,其特征在于,所述故障监测模块对ddr颗粒进行错误检查和纠正ecc检测,并分别确定各ddr颗粒存在的双比特错误数量。

4.根据权利要求1所述的高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路,其特征在于,所述中央处理模块为单片机,其型号为stc89c51。

5.根据权利要求1所述的高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路,其特征在于,还包括分区模块,所述中央处理模块的输出端连接于所述分区模块的输入端,所述分区模块的输出端连接于所述读取模块的输入端。

6.根据权利要求5所述的高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路,其特征在于,所述分区模块用于对ddr读写电路模块中高密度ddr颗粒进行分区,经故障监测模块检测的故障ddr颗粒可通过读取模块快速确认所处的片区,并通过数据储存模块对该片区进行标记,预警模块对其拟定风险等级。

7.根据权利要求1所述的高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路,其特征在于,所述故障检测模块包括第一检测单元、第二检测单元以及第三检测单元。

8.根据权利要求7所述的高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路,其特征在于,所述第一检测单元用于检测ddr读写电路模块是否发生断路故障,所述第二检测单元用于检测ddr读写电路模块是否发生短路故障,所述第三检测单元用于检测ddr读写电路模块是否发生ddr颗粒故障。

9.根据权利要求1所述的高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路,其特征在于,所述数据储存模块包括第一储存单元、第二储存单元、数据统计单元以及标记单元。

10.根据权利要求9所述的高密度ddr颗粒低速率全覆盖读写电路,其特征在于,所述第一储存单元用于储存读取模块的数据信息,所述第二储存单元用于储存故障确定模块的数据信息,所述数据统计单元用于统计故障ddr颗粒,所述标记单元用于对故障ddr颗粒进行标记。

技术总结本发明提供一种高密度DDR颗粒低速率全覆盖读写电路。所述高密度DDR颗粒低速率全覆盖读写电路包括:DDR读写电路模块、获取模块、故障监测模块、中央处理模块、读取模块、故障确定模块、配置模块、数据储存模块以及预警模块。本发明提供的高密度DDR颗粒低速率全覆盖读写电路,通过故障监测模块实时对DDR读写电路模块进行监测,检测其是否存在异常信息,一旦通过故障确定模块确定异常情况,可通过配置模块对DDR读写电路模块进行初始化配置,禁用异常信息所指示的故障DDR颗粒,使得异常信息所指示的故障DDR颗粒不会影响DDR读写电路模块对其他DDR颗粒的使用,避免了因少数故障DDR颗粒故障导致整个DDR读写电路模块无法正常运行的问题。技术研发人员:金锐,吴守然受保护的技术使用者:南京泰恩精密科技有限公司技术研发日:技术公布日:2024/5/16

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