存储器和控制方法与流程

本公开涉及但不限定于一种存储器和控制方法。

背景技术：

1、随着手机、平板、个人计算机等电子设备的普及，半导体存储器技术也得到了快速的发展。

2、在动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)中，设有多级放大电路，通过多级放大电路放大电压差，实现对存储单元中读出或者写入数据。对于多级放大电路的改进可以提升存储器的性能。

技术实现思路

1、本公开提供一种存储器，包括：

2、一级放大电路，连接位线和互补位线，用于放大位线和互补位线上的电压差；

3、均衡电路，连接局部数据线和互补局部数据线，用于根据存储器的时序参数调整预充电电压，在位线和局部数据线接通之前将局部数据线的电压驱动至调整后的预充电电压，以及在互补位线和互补局部数据线接通之前将互补局部数据线的电压驱动至调整后的预充电电压；

4、二级放大电路，连接局部数据线和互补局部数据线，用于在位线和局部数据线接通，以及互补位线和互补局部数据线接通后，放大局部数据线和互补局部数据线上的电压差。

5、在一些实施例中，均衡电路用于：

6、根据存储器的相邻的行寻址到列寻址之间的第一时间间隔，以及上一个列地址选通脉冲和下一个列地址选通脉冲之间的第二时间间隔，调整预充电电压。

7、在一些实施例中，在第一时间间隔位于第一时间范围时，预充电电压位于第一电压范围；

8、在第一时间间隔位于第二时间范围时，预充电电压位于第二电压范围；

9、第一时间范围的上限值小于或等于第二时间范围的下限值，第一电压范围的上限值小于第二电压范围的下限值。

10、在一些实施例中，均衡电路，用于：

11、确定满足放大条件的预充电电压范围，其中，满足放大条件包括在满足第一时间间隔时控制位线和局部数据线之间接通，以及互补位线和互补局部数据线之间接通，位于预充电电压范围内的预充电电压不会使经过放大后的位线和互补位线上电压差所表征的数据与位线连接的存储单元内数据相反；

12、从预充电电压范围内确定使第二时间间隔满足时序参数条件的预充电电压。

13、在一些实施例中，当满足时序参数条件包括第二时间间隔位于第三时间范围时，预充电电压位于第三电压范围；

14、当满足时序参数条件包括第二时间间隔位于第四时间范围时，预充电电压位于第四电压范围；

15、第三时间范围的上限值小于或等于第四时间范围的下限值，第三电压范围的下限值大于第四电压范围的上限值。

16、在一些实施例中，均衡电路包括：

17、供电电路，用于根据第一时间间隔，以及第二时间间隔，调整输出的预充电电压；

18、第二控制电路，连接供电电路的输出端，还连接局部数据线和互补局部数据线，用于控制局部数据线与供电电路的输出端接通或者断开，以及控制互补局部数据线与供电电路的输出端接通或者断开。

19、在一些实施例中，供电电路，用于：

20、将预充电电压从供电电路的可调节范围的上限值逐渐下调，确定满足放大条件的预充电电压范围；其中，满足放大条件包括在满足第一时间间隔时控制位线和局部数据线之间接通，以及互补位线和互补局部数据线之间接通，位于预充电电压范围内的预充电电压不会使经过放大后的位线和互补位线上的电压差表征数据与位线连接的存储单元内数据相反；

21、从预充电电压范围内确定使第二时间间隔满足时序参数条件的预充电电压。

22、在一些实施例中，第二控制电路包括：

23、第一p型晶体管，源极连接供电电路的输出端，漏极连接局部数据线，栅极接收第一控制信号，在供电电路输出的预充电电压大于或等于参考电压时第一控制信号控制第一p型晶体管在预充电阶段导通；

24、第二p型晶体管，源极连接供电电路的输出端，漏极连接互补局部数据线，栅极接收第一控制信号，在供电电路输出的预充电电压大于或等于参考电压时第一控制信号控制第二p型晶体管在预充电阶段导通；

25、第一n型晶体管，漏极连接供电电路的输出端，源极连接局部数据线，栅极接收第二控制信号，在供电电路输出的预充电电压小于参考电压时第二控制信号控制第一n型晶体管在预充电阶段导通；

26、第二n型晶体管，漏极连接供电电路的输出端，源极连接互补局部数据线，栅极接收第二控制信号，在供电电路输出的预充电电压小于参考电压时第二控制信号控制第二n型晶体管在预充电阶段导通。

27、在一些实施例中，均衡电路还包括：

28、信号生成单元，第一输出端连接第一p型晶体管的栅极，第一输出端还连接第二p型晶体管的栅极，第二输出端连接第一n型晶体管的栅极，第二输出端还连接第二n型晶体管的栅极，用于根据供电电路输出的预充电电压、参考电压以及预充电信号生成第一控制信号和第二控制信号，第一输出端输出第一控制信号，第二输出端输出第二控制信号。

29、在一些实施例中，信号生成单元包括：

30、比较器，第一输入端接收供电电路输出的预充电电压，第二输入端接收参考电压，将预充电电压和参考电压进行比较，输出比较结果；

31、输出电路，第一输入端接收预充电信号，第二输入端连接比较器的输出端，在比较结果指示预充电电压大于或等于参考电压时，根据预充电信号输出在在预充电阶段为低电平的第一控制信号和在在预充电阶段为低电平的第二控制信号；在比较结果指示预充电电压小于参考电压时，根据预充电信号输出在在预充电阶段为高电平的第一控制信号和在在预充电阶段为高电平的第二控制信号。

32、在一些实施例中，存储器还包括：

33、第一控制电路，连接位线和互补位线，还连接局部数据线和互补局部数据线，用于控制位线和局部数据线接通或者断开，以及控制互补位线和互补局部数据线接通或断开。

34、在一些实施例中，存储器还包括：

35、三级放大电路，与全局数据线连接，还与互补全局数据线连接，用于放大全局数据线和互补全局数据线上电压差。

36、本公开另一实施例提供一种存储器的控制方法，存储器包括一级放大电路、均衡电路以及二级放大电路，一级放大电路连接位线和互补位线，均衡电路连接局部数据线和互补局部数据线，二级放大电路连接局部数据线和互补局部数据线，方法包括：

37、控制一级放大电路放大位线和互补位线上的电压差；

38、控制均衡电路根据存储器的时序参数调整预充电电压，在位线和局部数据线接通之前将局部数据线的电压驱动至调整后的预充电电压，以及在互补位线和互补局部数据线接通之前将互补局部数据线的电压驱动至调整后的预充电电压；

39、控制二级放大电路在位线和局部数据线接通，以及互补位线和互补局部数据线接通时，放大局部数据线和互补局部数据线上的电压差。

40、在一些实施例中，控制均衡电路根据存储器的时序参数调整预充电电压，具体包括：

41、根据存储器的相邻的行寻址到列寻址之间的第一时间间隔，以及上一个列地址选通脉冲和下一个列地址选通脉冲之间的第二时间间隔，调整预充电电压。

42、在一些实施例中，在第一时间间隔位于第一时间范围时，预充电电压位于第一电压范围；

43、在第一时间间隔位于第二时间范围时，预充电电压位于第二电压范围；

44、第一时间范围的上限值小于或等于第二时间范围的下限值，第一电压范围的上限值小于第二电压范围的下限值。

45、在一些实施例中，根据存储器的行寻址到列寻址之间的第一时间间隔，以及上一个列地址选通脉冲和下一个列地址选通脉冲之间的第二时间间隔，调整预充电电压，具体包括：

46、确定满足放大条件的预充电电压范围，其中，满足放大条件包括在满足第一时间间隔时控制位线和局部数据线之间接通，以及互补位线和互补局部数据线之间接通，位于预充电电压范围内的预充电电压不会使经过放大后的位线和互补位线上的电压差所表征的数据与位线连接的存储单元内数据相反；

47、从预充电电压范围内确定使第二时间间隔满足时序参数条件的预充电电压。

48、在一些实施例中，当满足时序参数条件包括第二时间间隔为第三时间范围时，预充电电压为第三电压范围；

49、当满足时序参数条件包括第二时间间隔为第四时间范围时，预充电电压为第四电压范围；

50、第三时间范围的上限值小于或等于第四时间范围的下限值，第三电压范围的下限值大于第四电压范围的上限值。

51、本公开提供的存储器和控制方法，存储器包括一级放大电路、均衡电路以及二级放大电路，均衡电路根据存储器的时序参数调整预充电电压，并将局部数据线和互补局部数据线预充电至调整后的预充电电压，在存储器的时序参数比较差时，不会出现由于预充电电压过大而使一级放大电路出现数据翻转情况，还可以使预充电电压不会过小而使二级放大电路放大局部数据线和互补局部数据线上的电压差的时间比较长，提升存储器的时序参数性能。