处理方法、装置、铁电存储电路、存储介质和程序产品

本申请涉及电路，特别是涉及一种处理方法、装置、铁电存储电路、存储介质和计算机程序产品。

背景技术：

1、铁电存储电路是一种利用铁电材料的特性来实现数据存储的电路，与传统的存储电路相比，铁电存储电路具有较高的存储密度和较快的读写速度，可满足大容量和高速数据存储的需求，现有的铁电存储电路中大多采用铪基铁电材料，但是铪基铁电存储电路中的铁电存储器耐久度有限的问题还仍待解决。

2、现有技术中，大多是基于增大写电压的方法来提高铁电存储器中铁电电容的剩余极化强度，以实现增加铁电存储器的耐久度。

3、然而，这种方法增加铁电存储器的耐久的效率较低，且还会影响铁电存储电路读写的速度，进而导致增加铁电存储器耐久度的工作效率较低。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种工作效率较高的增加铁电存储器耐久度的处理方法、装置、铁电存储电路、计算机可读存储介质和计算机程序产品。

2、第一方面，本申请提供了一种处理方法，用于铁电存储电路中，该铁电存储电路包括控制器和存储电路，该存储电路包括阵列排布的多个存储单元和一个空闲单元，该方法包括：

3、在该控制器接收到目标存储单元发送的目标信号后，获取该目标存储单元中的目标数据，并将该目标数据写入至该空闲单元中，该目标存储单元为该多个存储单元中的任一存储单元；在该控制器将该目标数据写入至该空闲单元后，对该目标存储单元进行耐久恢复处理，并将耐久恢复处理后的目标存储单元确定为新的空闲单元。

4、在其中一个实施例中，该目标信号为该目标存储单元触发目标事件后向该控制器发送的信号，该目标事件包括：该目标存储单元的错误次数超过预设错误次数阈值；或者，该目标存储单元的读写次数超过预设读写次数阈值；或者，该目标存储单元的使用时间超过预设使用时间阈值。

5、在其中一个实施例中，该对该目标存储单元进行耐久恢复处理，包括：基于目标脉冲对该目标存储单元进行该耐久恢复处理。

6、在其中一个实施例中，该方法还包括：在将该目标数据写入至该空闲单元的过程中，控制该铁电存储电路处于第一状态或第二状态。

7、在其中一个实施例中，该第一状态为非工作状态，该第二状态为工作状态，该方法还包括：在该铁电存储电路处于第二状态，且接收到针对该目标存储单元的目标请求的情况下，执行该目标请求。

8、在其中一个实施例中，该目标请求包括读请求和写请求，该执行该目标请求，包括：在该目标请求为该读请求的情况下，基于该目标存储单元执行该读请求；在该目标请求为该写请求的情况下，基于该目标存储单元和该空闲单元执行该写请求。

9、第二方面，本申请还提供了一种处理装置，用于铁电存储电路中，该铁电存储电路包括控制器和存储电路，该存储电路包括阵列排布的多个存储单元和一个空闲单元，该装置包括：

10、获取模块，用于在该控制器接收到目标存储单元发送的目标信号后，获取该目标存储单元中的目标数据，并写入至该空闲单元中，该目标存储单元为该多个存储单元中的任一存储单元；

11、执行模块，用于在该控制器将该目标数据写入至该空闲单元后，对该目标存储单元进行耐久恢复处理，并将耐久恢复处理后的目标存储单元确定为新的空闲单元。

12、在一个实施例中，该目标信号为该目标存储单元触发目标事件后向该控制器发送的信号，该目标事件包括：该目标存储单元的错误次数超过预设错误次数阈值；或者，该目标存储单元的读写次数超过预设读写次数阈值；或者，该目标存储单元的使用时间超过预设使用时间阈值。

13、在一个实施例中，该执行模块，具体用于基于目标脉冲对该目标存储单元进行该耐久恢复处理。

14、在一个实施例中，该处理装置还包括控制模块，该控制模块，用于在将该目标数据写入至该空闲单元的过程中，控制该铁电存储电路处于第一状态或第二状态。

15、在一个实施例中，该控制模块，具体用于在该铁电存储电路处于第二状态，且接收到针对该目标存储单元的目标请求的情况下，执行该目标请求。

16、在一个实施例中，该控制模块，具体用于在该目标请求为该读请求的情况下，基于该目标存储单元执行该读请求；在该目标请求为该写请求的情况下，基于该目标存储单元和该空闲单元执行该写请求。

17、第三方面，本申请还提供了一种铁电存储电路，包括控制器和存储电路，所述存储电路包括阵列排布的多个存储单元和一个空闲单元，所述控制器用于实现上述第一方面中任一所述的步骤。

18、第四方面，本申请还提供了一种计算机可读存储介质。该计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述第一方面中任一所述的步骤。

19、第五方面，本申请还提供了一种计算机程序产品。该计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述第一方面中任一所述的步骤。

20、上述处理方法、装置、铁电存储电路、计算机可读存储介质和计算机程序产品，用于铁电存储电路中，该铁电存储电路包括控制器和存储电路，该存储电路包括阵列排布的多个存储单元和一个空闲单元，在该控制器接收到目标存储单元发送的目标信号后，获取该目标存储单元中的目标数据，并将该目标数据写入至该空闲单元中，该目标存储单元为该多个存储单元中的任一存储单元；在该控制器将该目标数据写入至该空闲单元后，对该目标存储单元进行耐久恢复处理，并将耐久恢复处理后的目标存储单元确定为新的空闲单元。本申请提供的处理方法，可以用于铁电存储电路中，该铁电存储电路包括控制器和存储电路，而存储电路中又包括阵列排布的多个存储单元和一个空闲单元，存储单元可以通过发送目标信号使控制器对其进行耐久恢复处理，以进行疲劳恢复，并在疲劳恢复后成为新的空闲单元，并且该存储单元在进行耐久恢复处理前，该存储单元的数据将会被写入至空闲单元中，采用本申请提供的处理方法，在对存储单元进行疲劳恢复的同时，也不影响读写速度，进而有效的提高了增加铁电存储器耐久度的工作效率。

技术特征：

1.一种处理方法，其特征在于，用于铁电存储电路中，所述铁电存储电路包括控制器和存储电路，所述存储电路包括阵列排布的多个存储单元和一个空闲单元，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标信号为所述目标存储单元触发目标事件后向所述控制器发送的信号，所述目标事件包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述目标存储单元进行耐久恢复处理，包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一状态为非工作状态，所述第二状态为工作状态，所述方法还包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述目标请求包括读请求和写请求，所述执行所述目标请求，包括：

7.一种处理装置，其特征在于，用于铁电存储电路中，所述铁电存储电路包括控制器和存储电路，所述存储电路包括阵列排布的多个存储单元和一个空闲单元，所述装置包括：

8.一种铁电存储电路，包括控制器和存储电路，所述存储电路包括阵列排布的多个存储单元和一个空闲单元，其特征在于，所述控制器用于实现权利要求1至6任一项所述的方法的步骤。

9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。

10.一种计算机程序产品，包括计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。

技术总结本申请涉及一种处理方法、装置、铁电存储电路、计算机可读存储介质和计算机程序产品，用于铁电存储电路中，该铁电存储电路包括控制器和存储电路，该存储电路包括阵列排布的多个存储单元和一个空闲单元，该方法包括：在控制器接收到目标存储单元发送的目标信号后，获取目标存储单元中的目标数据，并将目标数据写入至该空闲单元中；在该控制器将该目标数据写入至该空闲单元后，对该目标存储单元进行耐久恢复处理，并将耐久恢复处理后的目标存储单元确定为新的空闲单元。采用本申请提供的处理方法，能够在不影响读写速度的情况下，对铁电存储电路中的存储单元进行疲劳恢复，进而有效的提高了增加铁电存储器耐久度的工作效率。技术研发人员：任天令,王震泽,刘厚方,闫岸之,鄢诏译,杨轶受保护的技术使用者：清华大学技术研发日：技术公布日：2024/5/27