一种状态寄存器数据处理方法、装置及芯片与流程

本申请涉及存储芯片，具体而言，涉及一种状态寄存器数据处理方法及相关装置。

背景技术：

1、状态寄存器一般用于查询闪存芯片的操作状态，其包含多个用于存储不同功能的参数的状态寄存器存储单元，状态寄存器存储单元中的存储数据表征了对应功能是否启动。

2、半导体存储器包括易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器在断电时会丢失存储的内容，非易失性存储器即使在断电时也可以保持存储的内容。

3、对于非易失性存储器，一般会在芯片上电后，由芯片自动读取非易失性状态寄存器内的值到锁存器中，以便用户需要是能够发送指令快速读取状态寄存器的值。或者状态寄存器存储单元表征的相应功能能够快速启用。当再次写入状态寄存器的数据值时，可以根据上电后读到的锁存器内的状态寄存器的值进行判断是否对相应的寄存器进行擦除或编程，然后再更新最新写入的值到锁存器中；或者也可以再次读取状态寄存器存取阵列的值到锁存器中，根据这些最新读到的值进行判断是否对相应的寄存器进行擦除或编程，然后再更新最新写入的值到锁存器中。

4、但是存在一种异常情况，当用户正在写入状态寄存器时，芯片突然断电，此时写入的状态寄存器的状态是不确定的，当再次上电读取状态寄存器的值时，此时芯片读到的状态寄存器的值是未知的，状态寄存器对应的锁存器的值，不是用户想要的值，从而导致用户判断错误，或者芯片功能紊乱。

5、综上，现有技术中当出现写入状态寄存器突然断电时，会出现读取的状态寄存器的值出错的问题。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种状态寄存器数据处理方法、装置及芯片，以解决现有技术中当出现写入状态寄存器突然断电时，出现的读取状态寄存器的值出错的问题。

2、为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

3、第一方面，本申请实施例提供了一种状态寄存器数据处理方法，所述方法包括：

4、在读取状态寄存器的数据时，启动状态寄存器的原始数据；其中，所述原始数据为默认数据或用户上次设定的状态数据；

5、在[rv-△v2，rv+△v1]的电压范围内选取任一电压值作为第一读取电压，依据所述第一读取电压读取所述状态寄存器的原始数据，并将读取的数据写入对应的锁存器中；其中，rv表示存储单元内部读电压，δv1表示保证“0”存储单元在任意工况均能正确读取的栅极电压冗余，δv2表示保证“1”存储单元在任意工况均能正确读取的栅极电压冗余；

6、在[rv-△v2，rv+△v1]的电压范围内选取至少一个电压值作为第二读取电压，依据所述第二读取电压再次读取所述状态寄存器，并确定读取的数据与所述锁存器的数据是否一致；其中，所述第二读取电压与所述第一读取电压的电压值不同；

7、当读取的数据与所述锁存器的数据不一致时，则将所述锁存器清零，并将所述状态寄存器的错误标记位置1。

8、第二方面，本申请实施例还提供了一种状态寄存器数据处理装置，所述装置包括：

9、初始化模块，用于在读取状态寄存器的数据时，启动状态寄存器的原始数据；其中，所述原始数据为默认数据或用户上次设定的状态数据；

10、数据处理模块，用于在[rv-△v2，rv+△v1]的电压范围内选取任一电压值作为第一读取电压，依据所述第一读取电压读取所述状态寄存器的原始数据，并将读取的数据写入对应的锁存器中；其中，rv表示存储单元内部读电压，δv1表示保证“0”存储单元在任意工况均能正确读取的栅极电压冗余，δv2表示保证“1”存储单元在任意工况均能正确读取的栅极电压冗余；

11、数据处理模块，还用于在[rv-△v2，rv+△v1]的电压范围内选取至少一个电压值作为第二读取电压，依据所述第二读取电压再次读取所述状态寄存器，并确定读取的数据与所述锁存器的数据是否一致；其中，所述第二读取电压与所述第一读取电压的电压值不同；

12、数据处理模块，还用于当读取的数据与所述锁存器的数据不一致时，则将所述锁存器清零，并将所述状态寄存器的错误标记位置1。

13、第三方面，本申请实施例还提供了一种芯片，所述芯片包括控制器、状态寄存器和锁存器，所述控制器执行计算机程序时，实现上述的状态寄存器数据处理方法。

14、相对于现有技术，本申请实施例具有以下有益效果：

15、本申请实施例提供了一种状态寄存器数据处理方法及相关装置，在读取状态寄存器的数据时，启动状态寄存器的原始数据；其中，原始数据为默认数据或用户上次设定的状态数据；在[rv-△v2，rv+△v1]的电压范围内选取任一电压值作为第一读取电压，依据第一读取电压读取状态寄存器的原始数据，并将读取的数据写入对应的锁存器中；其中，rv表示存储单元内部读电压，δv1表示保证“0”存储单元在任意工况均能正确读取的栅极电压冗余，δv2表示保证“1”存储单元在任意工况均能正确读取的栅极电压冗余；在[rv-△v2，rv+△v1]的电压范围内选取至少一个电压值作为第二读取电压，依据第二读取电压再次读取状态寄存器，并确定读取的数据与锁存器的数据是否一致；其中，第二读取电压与第一读取电压的电压值不同；当读取的数据与锁存器的数据不一致时，则将锁存器清零，并将状态寄存器的错误标记位置1。由于本申请在读取状态寄存器时，利用至少两个不同的读取电压进行读取，当存储单元存储的是稳定的“0”或1时，均能够被准确读取，但当存储单元由于在写入过程中突然掉电，导致存储的状态不稳定时，则依据不同的读取电压读取的数据存在不同，进而可以对状态寄存器的值是否出错进行有效的识别。

16、为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

技术特征：

1.一种状态寄存器数据处理方法，其特征在于，所述方法包括：

2.如权利要求1所述的状态寄存器数据处理方法，其特征在于，依据所述第一读取电压读取所述状态寄存器的原始数据的步骤包括：

3.如权利要求1所述的状态寄存器数据处理方法，其特征在于，在依据所述第一读取电压读取所述状态寄存器的原始数据的步骤之前，所述方法还包括：

4.如权利要求1所述的状态寄存器数据处理方法，其特征在于，所述方法还包括：

5.如权利要求4所述的状态寄存器数据处理方法，其特征在于，在获取待写入的数据、所述状态寄存器的原始数据以及所述状态寄存器的错误标记位数据的步骤之后，所述方法还包括：

6.如权利要求5所述的状态寄存器数据处理方法，其特征在于，依据所述待写入的数据与所述状态寄存器的原始数据的相似度进行数据写入的步骤包括：

7.如权利要求1所述的状态寄存器数据处理方法，其特征在于，所述方法还包括：

8.如权利要求1所述的状态寄存器数据处理方法，其特征在于，所述方法还包括：

9.一种状态寄存器数据处理装置，其特征在于，所述装置包括：

10.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括控制器、状态寄存器和锁存器，所述控制器执行计算机程序时，实现权利要求1至8中任一项所述的状态寄存器数据处理方法。

技术总结本申请提供了一种状态寄存器数据处理方法及相关装置，涉及存储芯片技术领域。在读取状态寄存器的数据时，启动状态寄存器的原始数据；其中，原始数据为默认数据或用户上次设定的状态数据；依据第一读取电压读取状态寄存器的原始数据，并将读取的数据写入对应的锁存器中；依据第二读取电压再次读取状态寄存器，并确定读取的数据与锁存器的数据是否一致；其中，第二读取电压与第一读取电压的电压值不同；当读取的数据与锁存器的数据不一致时，则将锁存器清零，并将状态寄存器的错误标记位置1。本申请具有在写入状态寄存器突然断电时，后续进行数据读取时，能够对该工况进行有效识别的优点。技术研发人员：汪齐方,金晓明受保护的技术使用者：普冉半导体(上海)股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/19