存储器件、存储器件的操作方法和存储系统与流程

本公开涉及电子设备，更具体地，涉及执行错误检查和清理(error check andscrub，ecs)操作的存储器件、存储器件的操作方法、存储系统、电子设备、以及电子系统。

背景技术：

1、半导体存储器被广泛用于将数据存储在诸如计算机、无线通信设备、相机、数字显示器等的各种电子设备中。通过半导体存储器的编程状态来存储数据。为了访问所存储的数据，可以读取或检测半导体存储器的至少一种存储状态。为了存储数据，设备的部件可以写入或编程半导体存储器的状态。

2、存在各种类型的半导体存储器。诸如动态随机存取存储器(dram)的易失性存储器会在与外部电源断开连接时丢失所存储的数据。此外，半导体存储器的状态随时间而劣化，这可能导致不可恢复的存储器错误或其他问题。

技术实现思路

1、一个或更多个实施例提供了根据每个客户的要求来设置错误检查和清理(ecs)设定值的存储器件、存储器件的操作方法、存储系统、电子设备、以及电子系统。

2、根据实施例的一个方面，一种存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元行；刷新控制电路，所述刷新控制电路被配置为：输出刷新行地址，以控制对所述多个存储单元行当中的至少一个存储单元行执行刷新操作；以及控制逻辑电路，所述控制逻辑电路被配置为：从存储控制器接收与多个模式当中的模式相对应的错误检查和清理(ecs)设定数据；将所述ecs设定数据存储在模式寄存器中；并且响应于从所述存储控制器提供的刷新命令，基于所述ecs设定数据的值向所述刷新控制电路提供要被刷新的存储单元行的目标行地址。

3、根据实施例的另一方面，一种存储器件的操作方法包括：从存储控制器接收与多个模式当中的模式相对应的错误检查和清理(ecs)设定数据；将所述ecs设定数据存储在模式寄存器中；响应于从所述存储控制器提供的第一刷新命令，对所述存储器件的存储单元阵列中包括的多个存储单元行当中的至少一个存储单元行执行刷新操作；以及响应于从所述存储控制器提供的第二刷新命令，基于所述ecs设定数据的值对所述至少一个存储单元行执行ecs操作。

4、根据实施例的另一方面，一种存储系统包括：存储控制器；以及存储器件，所述存储器件被配置为：通过第一通道从所述存储控制器接收命令和地址并且通过第二通道发送和接收数据。所述存储器件还被配置为：通过所述第一通道接收第一模式寄存器设定命令，所述第一模式寄存器设定命令包括寄存器写入命令以及与多个模式当中的根据客户确定的模式相对应的错误检查和清理(ecs)设定数据。所述ecs设定数据包括：表示在所述存储器件的刷新操作中执行ecs操作的ecs时段的时段值、以及与在所述刷新操作中使用的刷新电流相关的电流值。

5、根据实施例的另一方面，一种电子设备包括：处理器，所述处理器被配置为输出与多个模式当中的模式相对应的错误检查和清理(ecs)设定数据；易失性存储器；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为将从所述处理器提供的所述ecs设定数据存储在所述易失性存储器中。所述ecs设定数据包括：表示在刷新操作中执行ecs操作的ecs时段的时段值、以及与在所述刷新操作中使用的刷新电流相关的电流值。

6、根据实施例的另一方面，一种电子系统包括：片上系统，所述片上系统被配置为输出第一模式寄存器设定命令，所述第一模式寄存器设定命令包括与多个模式当中的模式相对应的错误检查和清理(ecs)设定数据；以及存储器，所述存储器被配置为响应于所述第一模式寄存器设定命令而存储所述ecs设定数据。所述ecs设定数据包括：表示在所述存储器的刷新操作中执行ecs操作的ecs时段的时段值、以及与在所述刷新操作中使用的刷新电流相关的电流值。

技术特征：

1.一种存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述ecs设定数据包括：表示在所述刷新操作中执行ecs操作的ecs时段的时段值、以及与所述刷新操作中使用的刷新电流相关的电流值。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，当包括在第一ecs设定数据中的第一时段值小于包括在第二ecs设定数据中的第二时段值时，包括在所述第一ecs设定数据中的第一电流值大于包括在所述第二ecs设定数据中的第二电流值，并且

4.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述ecs设定数据还包括：表示在动态电压频率调节中供应给所述存储器件的电源电压的电平的数据。

5.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：

6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述控制逻辑电路还被配置为：响应于从所述存储控制器接收的寄存器读取命令，向所述存储控制器提供所述ecs设定数据和所述错误计数数据。

7.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述控制逻辑电路还被配置为：

8.根据权利要求7所述的存储器件，其中，所述新的ecs设定数据包括：表示在所述刷新操作中执行ecs操作的ecs时段的时段值、以及与所述刷新操作中使用的刷新电流相关的电流值，并且

9.一种存储器件的操作方法，所述操作方法包括：

10.根据权利要求9所述的操作方法，其中，所述ecs设定数据包括：表示在所述刷新操作中执行所述ecs操作的ecs时段的时段值、以及与在所述刷新操作中使用的刷新电流相关的电流值。

11.根据权利要求10所述的操作方法，其中，第一ecs设定数据中的第一时段值小于第二ecs设定数据中的第二时段值；并且

12.根据权利要求10所述的操作方法，其中，包括在第一ecs设定数据中的第一时段值大于包括在第二ecs设定数据中的第二时段值，并且

13.根据权利要求10所述的操作方法，其中，所述ecs设定数据还包括：表示在动态电压频率调节中供应给所述存储器件的电源电压的电平的数据。

14.根据权利要求9所述的操作方法，其中，执行所述ecs操作包括：

15.根据权利要求14所述的操作方法，还包括：

16.一种存储系统，包括：

17.根据权利要求16所述的存储系统，其中，当包括在第一ecs设定数据中的第一时段值小于包括在第二ecs设定数据中的第二时段值时，包括在所述第一ecs设定数据中的第一电流值大于包括在所述第二ecs设定数据中的第二电流值，并且

18.根据权利要求16所述的存储系统，其中，所述ecs设定数据还包括：在动态电压频率调节中供应给所述存储器件的电源电压的电平。

19.根据权利要求16所述的存储系统，其中，所述存储器件还被配置为：

20.根据权利要求19所述的存储系统，其中，所述存储器件还被配置为通过所述第一通道接收第三模式寄存器设定命令，并且

技术总结提供了一种存储器件、存储器件的操作方法和存储系统。所述存储器件包括：包括多个存储单元行的存储单元阵列；刷新控制电路，其被配置为输出刷新行地址以控制将对所述多个存储单元行中的至少一个存储单元行执行的刷新操作；以及控制逻辑电路，其被配置为从存储控制器接收与多个模式中的模式相对应的错误检查和清理(ECS)设定数据，将所述ECS设定数据存储在模式寄存器中，并且响应于从所述存储控制器提供的刷新命令，基于所述ECS设定数据的值向所述刷新控制电路提供要被刷新的存储单元行的目标行地址。技术研发人员：黄晙夏,李泳斌,金刚逸,宋新美,吴起硕,黄斗熙受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/5/19