用于运行存储设备的方法和设备与流程

本公开文本涉及一种用于运行存储设备的方法。本公开文本还涉及到一种用于运行存储设备的设备。

背景技术：

技术实现思路

1、示例性的实施方式涉及到一种用于运行存储设备的方法，存储设备具有至少一个存储单元、例如存储单体，其中，至少一个存储单元具有双稳态的触发器和两个存取晶体管，两个存取晶体管用于将双稳态的触发器与两条次级控制线、例如位线可控地连接起来，次级控制线和至少一个存储单元关联，其中，例如双稳态的触发器与两条次级控制线的连接借助第一初级控制线、例如字线是可控的，其中，所述方法具有：用控制信号、例如控制电压这样来加载两个存取晶体管中的至少一个存取晶体管的控制接头，使得至少一个存取晶体管的负载路径例如相对至少一个存取晶体管的负载路径的高欧姆的状态至少部分是能导电的，例如相对至少一个存取晶体管的负载路径的低欧姆的状态是导电能力更差的；求出第一参量，第一参量表征至少一个流过至少一个存取晶体管的负载路径的电流。

2、在进一步的示例性的实施方式中，可以由此例如获取有关至少一个存储单元的存储内容的信息。在进一步的示例性的实施方式中，可以将所述原理根据实施方式例如应用于存储设备的可能存在的多个存储单元，由此获取、例如同时获取比如有关存储设备的多个存储单元的存储内容的信息，这在进一步的示例性的实施方式中例如能用于基于所获取的信息实施算术运算。

3、在进一步的示例性的实施方式中规定，用控制信号经由初级控制线、例如字线实施对两个存取晶体管中的至少一个存取晶体管的控制接头的加载。

4、在进一步的示例性的实施方式中，至少一个存储单元被构造成静态ram(随机存取存储器)存储单体或者形成了静态ram存储单体。

5、在进一步的示例性的实施方式中，双稳态的触发器具有多个例如mosfet型的场效应晶体管。在进一步的示例性的实施方式中，两个存取晶体管被构造成例如mosfet型的场效应晶体管。

6、在进一步的示例性的实施方式中规定，所述方法具有：例如通过初级控制线、例如字线用控制信号加载两个存取晶体管。因此可以在进一步的示例性的实施方式中例如基于两个电流来例如求出第一参量，两个电流中的第一电流是流过第一存取晶体管的负载路径(例如漏-源路径)的电流，并且两个电流中的第二电流是流过第二存取晶体管的负载路径的电流。在进一步的示例性的实施方式中，可以基于第一电流和第二电流例如在使用微分测量原理的情况下求出第一参量。

7、在进一步的示例性的实施方式中规定，用控制信号这样来加载两个存取晶体管中的至少一个存取晶体管的控制接头，使得至少一个存取晶体管的负载路径例如相对至少一个存取晶体管的负载路径的高欧姆状态至少部分是能导电的(但例如要比在低欧姆状态中导电能力更差，例如在场效应晶体管的情况下能用电阻rds,on表征)，具有：用小于或等于至少一个存取晶体管的阈值电压的控制电压加载两个存取晶体管中的至少一个存取晶体管的控制接头。

8、在进一步的示例性的实施方式中，设定控制电压小于或等于至少一个存取晶体管的阈值电压，使得能从双稳态的触发器例如有针对性地“取出”电荷，即例如将通过至少一个存取晶体管的电流有针对性地从双稳态的触发器导出，其中，电流的值例如也取决于双稳态的触发器的状态。

9、在进一步的示例性的实施方式中规定，存储设备具有多个存储单元、例如存储单体，其中，所述方法具有：用控制信号、例如控制电压这样来加载多个存储单元的两个存取晶体管中的至少一个存取晶体管的相应的控制接头，使得多个存储单元的相应的至少一个存取晶体管的负载路径例如相对至少一个存取晶体管的负载路径的高欧姆状态至少部分是能导电的(例如通过将控制电压选择得小于或等于至少一个存取晶体管的阈值电压)；求出第一参量，该第一参量表征流过多个存储单元的至少一个存取晶体管的相应的负载路径的电流的总和，其中，这个总和例如可以是来自各个存取晶体管的总电流，电流例如能经由次级控制线、如位线中的至少一条传导，例如传导给用于求出第一参量或总电流的装置，该装置例如具有至少一个测量装置。

10、在进一步的示例性的实施方式中规定，在使用至少第一初级控制线的情况下实施所述加载。

11、换句话说，在进一步的示例性的实施方式中规定，例如通过用控制信号、例如控制电压加载多个存储单元的两个存取晶体管中的至少一个存取晶体管的相应的控制接头，这样来激活、例如同时激活存储设备的多个存储单元、例如存储单体，使得多个存储单元的相应的至少一个存取晶体管的负载路径例如相对至少一个存取晶体管的负载路径的高欧姆的状态至少部分是能导电的(例如通过将控制电压选择得小于或等于至少一个存取晶体管的阈值电压)。

12、在进一步的示例性的实施方式中，可以例如通过经由至少第一初级控制线、例如字线，必要时也可以通过多条(例如倘若存在的话)初级控制线、例如字线施加例如小于或等于阈值电压的控制电压完成激活。在进一步的示例性的实施方式中在此能从相应的多个存储单元中导出的电流可以例如经由至少一条与相关的存储单元关联的位线导出，并且可选例如进行测量。

13、在进一步的示例性的实施方式中规定，所述方法具有：用例如基于电流的模/数转换装置、例如微分的模/数转换装置和/或用其它适用于此的求取装置、例如测量装置求出第一参量。

14、在进一步的示例性的实施方式中规定，求取装置、例如测量装置与和/或能与总线中的至少一条总线连接。在进一步的示例性的实施方式中规定，求取装置、例如测量装置例如能与现有的、例如传统的测量装置组合起来，例如集成到现有的、例如传统的测量装置中，现有的、例如传统的测量装置例如在存取晶体管完全激活时被构造用于读取存储单元的内容，这例如能用电压测量实施。

15、在进一步的示例性的实施方式中规定，所述方法具有下列元素中的至少一个元素：a)以第一种例如数字的运行方式至少暂时运行存储设备，在第一种运行方式中，为了加载两个存取晶体管中的至少一个存取晶体管的控制接头而使用大于两个存取晶体管中的至少一个存取晶体管的阈值电压的控制电压(例如为了传统地读取存储内容)，b)以第二种例如模拟的运行方式至少暂时运行存储设备，在第二种运行方式中，为了加载两个存取晶体管中的至少一个存取晶体管的控制接头而使用小于或等于两个存取晶体管中的至少一个存取晶体管的阈值电压的控制电压(例如为了求出至少一个电流，例如根据示例性的实施方式)。

16、进一步的示例性的实施方式涉及到一种用于实施根据所述实施方式的方法的设备。

17、在进一步的示例性的实施方式中规定，所述设备具有下列元件中的至少一个元件：a)用于例如经由第一初级控制线用控制信号加载两个存取晶体管中的至少一个存取晶体管的控制接头的装置，b)模/数转换装置、例如基于电流的模/数转换装置，例如微分的模/数转换装置，c)测量装置、例如测量放大器，用于求出至少一个电位或电位差，至少一个电位或电位差与次级控制线、例如位线中的至少一条关联。

18、在进一步的示例性的实施方式中规定，所述设备具有至少一个存储设备，至少一个存储设备具有至少一个存储单元、例如存储单体，其中，至少一个存储单元具有双稳态的触发器和两个存取晶体管，两个存取晶体管用于将双稳态的触发器与两条次级控制线、例如位线可控地连接起来，次级控制线和至少一个存储单元关联，其中，例如双稳态的触发器与两条次级控制线的连接借助第一初级控制线、例如字线是可控的。

19、在进一步的示例性的实施方式中规定，例如通过分配、例如设置下列元件中的至少一个元件可以将传统的存储单元或存储设备扩展了根据所述实施方式的原理的至少一个方面，：a)用于例如经由第一初级控制线用控制信号加载两个存取晶体管中的至少一个存取晶体管的控制接头的装置，b)模/数转换装置、例如基于电流的模/数转换装置、例如微分的模/数转换装置，c)测量装置、例如测量放大器，用于求出至少一个电位或电位差，至少一个电位或电位差与次级控制线、例如位线中的至少一条关联。在进一步的实施方式中规定，前面提到的方面a)、b)、c)中的至少一个能分配到传统的存储单元或存储设备中或分配给传统的存储单元或存储设备。

20、进一步的示例性的实施方式涉及到一种计算装置、例如矢量矩阵乘法装置，即vmm，其具有：根据所述实施方式的至少一个设备。

21、进一步的示例性的实施方式涉及到根据所述实施方式的方法的和/或根据所述实施方式的设备的和/或根据所述实施方式的计算装置针对下列方面中的至少一个方面的应用：a)处理与双稳态的触发器关联的电流，b)评估双稳态的触发器的输出电流，c)求出所述设备的多个存储单元、例如存储单体的双稳态的触发器的输出电流的总和，d)例如为人工智能的算法提供计算装置，例如以用于实施人工神经网络的推论，e)例如为了读取或者求出双稳态的触发器的输出电流而扩展例如传统的存储单体。

22、本发明的进一步的特征、应用可能性和优点由对本发明的附图所示的实施例的随后的说明得出。在此，所有所述的或所示的特征无论是单独的还是以任意的组合，均形成了本发明的主题，与它们在权利要求中或权利要求的援引中的摘要无关以及与它们在说明书中或附图中的措辞或图示无关。