一种用于减少3DNAND系统中Vpass干扰的方法与流程

本说明书涉及用于编程操作的存储器设备和方法。具体地说，该存储器设备和该方法减少在编程操作期间的vpass干扰。

背景技术：

1、存储器设备(例如闪存芯片)可以通过向存储单元施加电压(例如编程电压)以执行编程操作来对存储器设备的存储单元进行编程。在一些方面，存储器设备的相同存储块中的存储单元可以共享相同的字线(wl)并且可以同时被编程。在编程操作期间，行解码器可以选择与存储单元相关联的wl来发送编程电压信号以将存储单元编程到目标状态。存储块中未选中wl通常可以偏置到被称为“vpass”的电压电平，以使对存储块的所有未选中单元的编程干扰最小化。

2、当一个或多个未选中单元无意中被“软编程”为与未选中wl相关时，可能会发生被称为“vpass干扰”的已知问题。例如，在编程操作期间，可以将vpass电压施加到与编程串的未被编程单元相对应的未选中wl。此时，未被编程单元的栅极和沟道之间的电位差可以形成电场。电场的大小可能不足以让电子轻松进入电荷捕获层。然而，由于电场的原因，可能会出现电子进入电荷捕获层的一定的概率，特别是当隧穿层的隔离性能较差或退化时。因此，未被编程单元可能会受到所施加的vpass电压的影响，这通常被称为vpass干扰。

技术实现思路

1、本公开内容的一些方面涉及用于编程操作的存储器设备和方法。例如，提供了用于减少编程操作期间的vpass干扰的存储器设备和方法。

2、本公开内容的一些方面涉及一种用于对具有多个存储单元的存储器设备进行编程的方法。所述方法包括：对所述存储单元中的一个存储单元执行编程操作。所述存储单元可由多条字线中的选中字线控制。所述多条字线可以包括：与所述选中字线相邻的第一未被选中字线；与所述第一未被选中字线相邻的第一多条未被选中字线；以及与所述第一多条未被选中字线相邻的第二多条未被选中字线。执行所述编程操作可以包括：将编程电压信号施加到所述选中字线以将所述存储单元编程到目标状态。执行所述编程操作还可以包括：将第一通过电压施加到所述第一多条未被选中字线。执行所述编程操作还可以包括：将第二通过电压施加到所述第二多条未被选中字线，其中，所述第一通过电压不同于所述第二通过电压。

3、根据一些方面，所述多条字线还可以包括：与所述选中字线相邻的第二未被选中字线；与所述第二未被选中字线相邻的第三多条未被选中字线；以及与所述第三多条未被选中字线相邻的第四多条未被选中字线，其中，所述第一未被选中字线在所述选中字线的第一侧，并且所述第二未被选中字线在所述选中字线的第二侧，并且其中，所述第一侧和所述第二侧是所述选中字线的相对侧。

4、根据一些方面，执行所述编程操作还可以包括：将第三通过电压施加到所述第三多条未被选中字线。执行所述编程操作还可以包括：将第四通过电压施加到所述第四多条未被选中字线。所述第三通过电压可以不同于所述第四通过电压。

5、根据一些方面，所述多条字线还可以包括：与所述第一未被选中字线相邻的第五多条未被选中字线。所述第一多条未被选中字线还可以包括与所述第五多条未被选中字线相邻，并且所述第二多条未被选中字线可以与所述第一多条未被选中字线相邻。执行所述编程操作还可以包括：将第五通过电压施加到所述第五多条未被选中字线。

6、根据一些方面，所述多条字线还可以包括：与所述第二未被选中字线相邻的第六多条未被选中字线。所述第三多条未被选中字线可以与所述第六多条未被选中字线相邻，并且所述第四多条未被选中字线可以与所述第三多条未被选中字线相邻。执行所述编程操作还可以包括：将第六通过电压施加到所述第六多条未被选中字线。

7、根据一些方面，所述第二多条未被选中字线与所述选中字线之间的未被选中字线的数量可以在10和20之间。

8、根据一些方面，所述第四多条未被选中字线与所述选中字线之间的未被选中字线的数量可以在10和20之间。

9、本公开内容的一些方面涉及一种三维(3d)nand存储器设备。一种3d nand存储器设备可以包括：nand串，其包括将被禁止编程的存储单元；字线驱动器；以及控制器。所述控制器可以被配置为控制所述字线驱动器对所述存储单元执行编程操作。所述存储单元可由多条字线中的选中字线控制。所述多条字线可以包括：与所述选中字线相邻的第一未被选中字线；与所述第一未被选中字线相邻的第一多条未被选中字线；以及与所述第一多条未被选中字线相邻的第二多条未被选中字线。执行所述编程操作可以包括：将编程电压信号施加到所述选中字线以将所述存储单元编程到目标状态。执行所述编程操作还可以包括：将第一通过电压施加到所述第一多条未被选中字线。执行所述编程操作还可以包括：将第二通过电压施加到所述第二多条未被选中字线，而所述第一通过电压可以不同于所述第二通过电压。

10、根据一些方面，所述多条字线还可以包括：与所述选中字线相邻的第二未被选中字线；与所述第二未被选中字线相邻的第三多条未被选中字线；以及与所述第三多条未被选中字线相邻的第四多条未被选中字线，其中，所述第一未被选中字线在所述选中字线的第一侧，并且所述第二未被选中字线在所述选中字线的第二侧，并且其中，所述第一侧和所述第二侧是所述选中字线的相对侧。

11、根据一些方面，执行所述编程操作还可以包括：将第三通过电压施加到所述第三多条未被选中字线。执行所述编程操作还可以包括：将第四通过电压施加到所述第四多条未被选中字线。所述第三通过电压可以不同于所述第四通过电压。

12、根据一些方面，所述多条字线还可以包括：与所述第一未被选中字线相邻的第五多条未被选中字线。所述第一多条未被选中字线还可以包括与所述第五多条未被选中字线相邻，并且所述第二多条未被选中字线可以与所述第一多条未被选中字线相邻。执行所述编程操作还可以包括：将第五通过电压施加到所述第五多条未被选中字线。

13、根据一些方面，所述多条字线还可以包括：与所述第二未被选中字线相邻的第六多条未被选中字线。所述第三多条未被选中字线可以与所述第六多条未被选中字线相邻，并且所述第四多条未被选中字线可以与所述第三多条未被选中字线相邻。执行所述编程操作还可以包括：将第六通过电压施加到所述第六多条未被选中字线。

14、根据一些方面，所述第二多条未被选中字线与所述选中字线之间的未被选中字线的数量可以在10和20之间。

15、根据一些方面，所述第四多条未被选中字线与所述选中字线之间的未被选中字线的数量可以在10和20之间。

16、本公开内容的一些方面涉及一种非暂时性介质，其上存储有指令，所述指令在由至少一个控制器执行时使所述至少一个控制器执行一种执行对存储器设备的编程操作的方法。所述方法可以包括：对所述存储单元中的一个存储单元执行所述编程操作。所述存储单元可由多条字线中的选中字线控制。所述多条字线可以包括：与所述选中字线相邻的第一未被选中字线；与所述第一未被选中字线相邻的第一多条未被选中字线；以及与所述第一多条未被选中字线相邻的第二多条未被选中字线。执行所述编程操作可以包括：将编程电压信号施加到所述选中字线以将所述存储单元编程到目标状态。执行所述编程操作还可以包括：将第一通过电压施加到所述第一多条未被选中字线。执行所述编程操作还可以包括：将第二通过电压施加到所述第二多条未被选中字线，而所述第一通过电压可以不同于所述第二通过电压。

17、根据一些方面，所述多条字线还可以包括：与所述选中字线相邻的第二未被选中字线；与所述第二未被选中字线相邻的第三多条未被选中字线；以及与所述第三多条未被选中字线相邻的第四多条未被选中字线，其中，所述第一未被选中字线在所述选中字线的第一侧，并且所述第二未被选中字线在所述选中字线的第二侧，并且其中，所述第一侧和所述第二侧是所述选中字线的相对侧。

18、根据一些方面，执行所述编程操作还可以包括：将第三通过电压施加到所述第三多条未被选中字线。执行所述编程操作还可以包括：将第四通过电压施加到所述第四多条未被选中字线。所述第三通过电压可以不同于所述第四通过电压。

19、根据一些方面，所述多条字线还可以包括：与所述第一未被选中字线相邻的第五多条未被选中字线。所述第一多条未被选中字线还可以包括与所述第五多条未被选中字线相邻，并且所述第二多条未被选中字线可以与所述第一多条未被选中字线相邻。执行所述编程操作还可以包括：将第五通过电压施加到所述第五多条未被选中字线。

20、根据一些方面，所述多条字线还可以包括：与所述第二未被选中字线相邻的第六多条未被选中字线。所述第三多条未被选中字线可以与所述第六多条未被选中字线相邻，并且所述第四多条未被选中字线可以与所述第三多条未被选中字线相邻。执行所述编程操作还可以包括：将第六通过电压施加到所述第六多条未被选中字线。

21、根据一些方面，所述第二多条未被选中字线与所述选中字线之间的未被选中字线的数量可以在10和20之间。

22、提供本技术实现要素：仅出于说明一些方面以提供对本文描述的主题的理解的目的。因此，上述特征仅是示例并且不应被解释为缩小本公开内容的主题的范围或精神。本公开内容的其他特征、方面和优点将从以下具体实施方式、附图和权利要求中变得显而易见。