半导体存储器件及其操作方法与流程

本公开的实施例涉及一种半导体存储器件及其操作方法，并且更具体地，涉及一种执行操作以减轻行锤现象的半导体存储器件及其操作方法。

背景技术：

1、半导体存储器件是指使用诸如硅(si)、锗(ge)、砷化镓(gaas)、磷化铟(inp)等的半导体材料实现的存储器件。半导体存储器件可以被分类为易失性存储器件和非易失性存储器件。

2、非易失性存储器件即使在未向其供电时也保留存储在其中的数据。非易失性存储器件可以包括nand闪存(nand)、竖直nand闪存(竖直nand)、nor闪存、电阻随机存取存储器、相变存储器、磁阻随机存取存储器等。

3、易失性存储器件中存储的数据可能在电力中断时丢失。易失性存储器件可以包括静态随机存取存储器(sram)、动态随机存取存储器(dram)、锁存器、触发器和寄存器。

4、诸如动态随机存取存储器(dram)的易失性存储器件基于电容器中存储的电荷来确定存储在其中的数据的值。由于电容器中存储的电荷可能随时间泄漏，因此易失性存储器件周期性地执行刷新操作。然而，当对与给定字线连接的存储单元执行刷新操作时，与相邻字线连接的存储单元的数据可能由于行锤现象而丢失。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供了一种存储器件，该存储器件通过控制模式寄存器的操作模式来减轻行锤现象。

2、本公开的实施例提供了一种操作存储器件的方法，该存储器件通过控制模式寄存器的操作模式来减轻行锤现象。

3、根据本公开的实施例，一种操作半导体存储器件的方法，该半导体存储器件包括用于控制包括多个存储单元的存储单元阵列的控制逻辑、模式寄存器和模式寄存器控制逻辑，该方法包括：将模式寄存器的操作模式设置为第一操作模式，以允许以第一周期的间隔对存储单元阵列执行刷新操作；由控制逻辑在第一操作模式下对激活命令和预充电命令进行计数以生成计数信息；由控制逻辑将阈值计数值与计数信息进行比较，以确定计数信息是否达到阈值计数值；当确定计数信息达到阈值计数值时，由控制逻辑生成自适应模式信号；以及响应于自适应模式信号，将模式寄存器的操作模式设置为以第二周期的间隔执行刷新操作的第二操作模式，且第二周期小于第一周期。

4、根据本公开的实施例，一种半导体存储器件包括：控制逻辑，其生成用于控制存储单元阵列的激活命令、预充电命令和刷新控制信号，该存储单元阵列包括多个存储单元、存储操作模式的模式寄存器、以及模式寄存器控制逻辑，模式寄存器控制逻辑基于激活命令和预充电命令来生成用于改变模式寄存器的操作模式的自适应模式信号。操作模式被设置为以第一周期的间隔对存储单元阵列执行刷新操作的第一操作模式、以及以第二周期的间隔对存储单元阵列执行刷新操作的第二操作模式。控制逻辑基于自适应模式信号，而基于第一操作模式和第二操作模式之一执行刷新操作。

5、根据本公开的实施例，一种用于控制模式寄存器的操作模式的模式寄存器控制逻辑包括：预充电激活计数器，其通过将经由对激活命令和预充电命令进行计数而生成的计数信息与阈值计数值进行比较来生成标志信号；以及自适应信号发生器，其在生成标志信号时生成自适应模式信号。当不生成自适应模式信号时，模式寄存器被设置为以第一周期的间隔执行刷新操作的第一操作模式。当生成自适应模式信号时，模式寄存器被设置为以第二周期的间隔执行刷新操作的第二操作模式。第二周期小于第一周期。

技术特征：

1.一种操作半导体存储器件的方法，所述半导体存储器件包括用于控制包括多个存储单元在内的存储单元阵列的控制逻辑、模式寄存器和模式寄存器控制逻辑，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述存储单元阵列包括第一存储体阵列和第二存储体阵列，

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述模式寄存器控制逻辑包括预充电激活计数器和自适应信号发生器，

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述预充电激活计数器包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述控制逻辑被配置为向所述第一计数器和所述第二计数器输出使能信号，

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述模式寄存器控制逻辑包括复位信号发生器，以及

8.一种半导体存储器件，包括：

9.根据权利要求8所述的半导体存储器件，其中，所述模式寄存器控制逻辑包括：

10.根据权利要求9所述的半导体存储器件，其中，所述存储单元阵列包括第一存储体阵列和第二存储体阵列，

11.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述预充电激活计数器包括：

12.根据权利要求11所述的半导体存储器件，其中，所述逻辑电路被配置为：设置阈值计数值，并且当所述第一计数信息和所述第二计数信息中的至少一个达到所述阈值计数值时生成所述标志信号。

13.根据权利要求11所述的半导体存储器件，其中，所述控制逻辑被配置为向所述第一计数器和所述第二计数器输出使能信号，

14.根据权利要求9所述的半导体存储器件，其中，所述模式寄存器控制逻辑包括复位信号发生器，以及

15.根据权利要求14所述的半导体存储器件，其中，所述复位信号发生器被配置为：设置刷新完成计数值，对执行了所述刷新操作的存储单元的数量进行计数以生成计数值，并确定所述计数值是否达到所述刷新完成计数值以生成所述复位信号。

16.根据权利要求15所述的半导体存储器件，其中，所述自适应信号发生器被配置为接收所述复位信号，以及

17.根据权利要求8所述的半导体存储器件，其中，所述第二周期是所述第一周期的一半。

18.一种用于控制模式寄存器的操作模式的模式寄存器控制逻辑，包括：

19.根据权利要求18所述的模式寄存器控制逻辑，其中，所述模式寄存器控制逻辑还包括复位信号发生器，以及

20.根据权利要求19所述的模式寄存器控制逻辑，其中，所述复位信号发生器被配置为：设置刷新完成计数值，对执行了所述刷新操作的存储单元的数量进行计数以确定计数值，并确定所述计数值是否达到所述刷新完成计数值以生成所述复位信号。

技术总结一种操作半导体存储器件的方法包括：将模式寄存器的操作模式设置为第一操作模式，以允许以第一周期的间隔执行刷新操作；由控制逻辑在第一操作模式下对激活命令和预充电命令进行计数以生成计数信息；由控制逻辑将阈值计数值与计数信息进行比较，以确定计数信息是否达到阈值计数值；当确定计数信息达到阈值计数值时，由控制逻辑生成自适应模式信号；以及响应于自适应模式信号，将模式寄存器的操作模式设置为以第二周期的间隔执行刷新操作的第二操作模式。第二周期小于第一周期。技术研发人员：洪升基,姜雄大,朴泳宰受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/5/12